限定在相同工藝的情況下的話，的確可以這麼說1.結構複雜了之後，各個單元之間的時鐘同步會出現一定問題，頻率越高問題就越顯著2.理想情況下電容電感是不存在於純電阻電路中的，但是現實很骨感。電路中的導線，CPU中的半導體開關管（MOSFET）都存在寄生電感和寄生電容，只是這倆的值特別小，一般情況下可以忽略，但是CPU內部高頻的情況下這倆是不能被忽略的。3.還有就是發熱問題，相同工藝情況下，結構簡單的器件一般也少，發熱量一般也少點，頻率也就能再拉高點。-----舉例來說吧1.在理想情況下某兩個單元是嚴格同步到達後極的，但是現實中，這倆單元的訊號總是有一定的時間差，假設這倆單元的訊號差了1us，這樣至少這個部分在低於1MHz的情況下都是可以工作的。越接近1MHz的情況下就越可能出錯，一旦頻率超過了1MHz，第一個訊號到達之後，晶片又經過了一個週期第二個訊號才到達，顯然這就已經執行錯誤了。頻率越高，週期時間就越短（週期和頻率是反比嘛），對容許的時間差就越來越嚴格。而結構複雜了之後，就明顯意味著訊號要經過更過的單元，更多的器件，而每一個器件和單元都有一定的延遲時間，雖然說是在同一個CPU中，一樣的單元一樣的器件，它們的延遲時間也不一定一樣，這樣帶來的時間差在一定範圍內是不可控的，頻率越高，這個問題也越顯著。2.寄生電感和寄生電容是客觀存在的，並不會因為頻率的降低或者升高而變化。結構簡單了的話，線路上的寄生引數的確是要小點（雖然影響它們的引數很多，不過大體上是沒有錯的）。不知道你有沒有學過電路？感性一點描述的話，電感和電容都是阻止電路發生變化的元件，而它們阻止電路發生變化的能力就是由它們本身的容值和電感值決定的。比如說，這裡有在負載兩端有一個電容，當電源電壓從低電平（0V）突變為高電平（5V）的時候，電容要阻止這個變化，在負載側就會體現為電壓是緩慢上升的，從0V到5V經過了一定時間，電感與之類似。低頻情況下，這時間可以忽略不記，高頻情況下，這點時間是很致命的。
限定在相同工藝的情況下的話，的確可以這麼說1.結構複雜了之後，各個單元之間的時鐘同步會出現一定問題，頻率越高問題就越顯著2.理想情況下電容電感是不存在於純電阻電路中的，但是現實很骨感。電路中的導線，CPU中的半導體開關管（MOSFET）都存在寄生電感和寄生電容，只是這倆的值特別小，一般情況下可以忽略，但是CPU內部高頻的情況下這倆是不能被忽略的。3.還有就是發熱問題，相同工藝情況下，結構簡單的器件一般也少，發熱量一般也少點，頻率也就能再拉高點。-----舉例來說吧1.在理想情況下某兩個單元是嚴格同步到達後極的，但是現實中，這倆單元的訊號總是有一定的時間差，假設這倆單元的訊號差了1us，這樣至少這個部分在低於1MHz的情況下都是可以工作的。越接近1MHz的情況下就越可能出錯，一旦頻率超過了1MHz，第一個訊號到達之後，晶片又經過了一個週期第二個訊號才到達，顯然這就已經執行錯誤了。頻率越高，週期時間就越短（週期和頻率是反比嘛），對容許的時間差就越來越嚴格。而結構複雜了之後，就明顯意味著訊號要經過更過的單元，更多的器件，而每一個器件和單元都有一定的延遲時間，雖然說是在同一個CPU中，一樣的單元一樣的器件，它們的延遲時間也不一定一樣，這樣帶來的時間差在一定範圍內是不可控的，頻率越高，這個問題也越顯著。2.寄生電感和寄生電容是客觀存在的，並不會因為頻率的降低或者升高而變化。結構簡單了的話，線路上的寄生引數的確是要小點（雖然影響它們的引數很多，不過大體上是沒有錯的）。不知道你有沒有學過電路？感性一點描述的話，電感和電容都是阻止電路發生變化的元件，而它們阻止電路發生變化的能力就是由它們本身的容值和電感值決定的。比如說，這裡有在負載兩端有一個電容，當電源電壓從低電平（0V）突變為高電平（5V）的時候，電容要阻止這個變化，在負載側就會體現為電壓是緩慢上升的，從0V到5V經過了一定時間，電感與之類似。低頻情況下，這時間可以忽略不記，高頻情況下，這點時間是很致命的。