MB晶片 1:採用高散熱係數的材料---Si 作為襯底﹐散熱容易。 2:透過金屬層來接合(wafer bonding)磊晶層和襯底，同時反射光子，避免襯底的吸收。 3:導電的Si 襯底取代GaAs 襯底，具備良好的熱傳導能力(導熱係數相差3~4 倍)，更適應於高驅動電流領域。 4:底部金屬反射層﹐有利於光度的提升及散熱。5:尺寸可加大﹐應用於High power 領域﹐eg : 42mil MB。 GB晶片 1:透明的藍寶石襯底取代吸光的GaAs襯底﹐其出光功率是傳統AS (Absorbable structure)晶片的2倍以上﹐藍寶石襯底類似TS晶片的GaP襯底. 2:晶片四面發光﹐具有出色的Pattern圖似TS晶片的GaP襯底。 3:亮度方面﹐其整體亮度已超過TS晶片的水平(8.6mil)。 4:雙電極結構﹐其耐高電流方面要稍差於TS單電極TS晶片定義和特點。 TS晶片 1:晶片工藝製作複雜﹐遠高於AS LED 2:信賴性卓越 3:透明的GaP襯底﹐不吸收光﹐亮度高 4:應用廣泛 AS晶片 1:四元晶片﹐採用 MOVPE工藝製備﹐亮度相對於常規晶片要亮 2:信賴性優良3:應用廣泛

現在市面上有太多了74HC245D 收發器，訊號線傳送過來的訊號處理，併發送到下一張單元板。

74HC138D 用於LED的位選，

74HC04 反相器

74HC595D 8位移位鎖存器，每個晶片控制8列LED畫素。

74HC4953 行驅動管，每個晶片控制4行LED畫素。

全綵驅動有5026 2027 還有很多特殊的