分析： 記憶體的各種技術指標，一般包括記憶體容量、腳數、速度等。其中記憶體容量是使用者最關心的一個指標，因為它將直接影響系統的整體效能。 1 記憶體容量 記憶體容量是指存放計算機執行所需的程式和資料的多少。記憶體容量直接關係到計算機的整體效能，是除CPU之外能表明計算機檔次等級的一個重要指標。目前，主流計算機的記憶體容量一般為128MB、256MB和512MB。 2 資料頻寬 資料頻寬是指記憶體一次輸出/輸入的資料量，是衡量記憶體效能的重要指標。通常情況下，PC100的SDRAM在額定頻率（100MHz）下工作時，其峰值傳輸率可以達到800MBps；工作在133MHz的情況下，其峰值的傳輸率已經達到了1.06GBps，這一速度比PC100提高了200MBps。在實際應用中，其效能提高的效果是很明顯的。對於DDR而言，由於在同一個時鐘的上升沿和下降沿都能傳輸資料，所以工作在133MHz時，它的實際傳輸率可以達到2.1GBps。 計算記憶體頻寬的公式也很簡單：記憶體頻寬總量（Mbytes）＝最大時鐘速頻率（MHz）×匯流排寬度（bits）×每時鐘資料段數量／8。 3 ECC校驗 為了防止記憶體中的資料發生錯誤，需要對位元組中的資料位進行奇偶校驗。奇偶校驗對於保證資料的正確讀寫起到很關鍵的作用，尤其是在資料量非常大的計算中。標準型的記憶體條有的有校驗位，有的沒有；非標準的記憶體條均有奇偶校驗位。 ECC是Error Correction Coding或Error Checking and Correcting的縮寫，代表具有自動糾錯功能的記憶體，可以糾正一位二進位制數的錯誤。ECC記憶體也是在原來的資料位上外加位來實現的。當資料的位數增加一倍，Parity也增加一倍，而ECC只需增加一位，當資料為64位時所用的ECC只需增加一位，當資料為64位時所用的ECC和Parity位數相同。 4 tCK tCK（TCLK）指系統時鐘週期，表示SDRAM所能執行的最大頻率。數字越小說明SDRAM晶片所能執行的頻率越高。對於一片普通的PC-100 SRDAM來說，其晶片上的標識-100表示它的執行時鐘週期為10ns，即可以在100MHz的外頻下正常工作。大多數記憶體標號的尾數表示的就是tCK週期。P133標準要求tCK不大於7.5ns。 5 tAC tAC（Access Time from CLK）是最大CAS延遲時的最大數輸入時鐘。PC100規範要求在CL＝3時，tAC不大於6ns。某些記憶體標號的位數表示這個值。目前大多數SDRAM晶片的存取時間為5、6、7、8或10ns。這不同於系統時鐘週期，它們之間有著本質的區別 6 CL CL（CAS Latency）為CAS的延遲時間，是縱向地址脈衝的反應時間，也是在一定頻率下衡量支援不同規範的記憶體的重要標誌之一。如現在大多數的SDRAM都能執行在CAS Latency＝2或3的模式下，也就是說這時它們讀取資料的延遲時間可以是2個時鐘週期也可以是3個時鐘週期。在SDRAM的製造過程中，可以將這個特性寫入SDRAM的EEPROM中，在開機時主機板的BIOS就會檢查此項內容，並以CL＝2這一預設模式執行。 對於PC100記憶體來說，就是要求當CL＝3時，tCK的數值要小於10ns，tAC要小於6ns。至於為什麼強調是CL＝3的時候，這是因為對於同一個記憶體條當設定成不同的CL數值時，tCK的值可能是不相同的，當然tAC的值也是不太可能相同的。總延遲時間的計算公式為：總延遲時間＝系統時鐘週期＋儲存時間，如某PC100記憶體的存取時間為6ns，假設CL模式數為2即CL＝2，則總延遲時間＝10ns×2＋6ns＝26ns，這就是評價記憶體效能高低的重要數值。對於將PC100、PC133記憶體只使用在66MHz或100MHz匯流排下的使用者，強烈建議將CL的數值設定為2，這樣你的記憶體無疑會有更好的效能。 7 行地址控制器（CAS） 行地址控制器（CAS）可能是最能決定記憶體模組對資料請求進行響應的因素之一了。通常把行地址控制器叫做CAS延遲，一般來說，在SDR SDRAM中，可以設定為2或者3（當然是根據自己記憶體的具體情況而定）。對於DDR記憶體來說，一般常用的設定為2或者2.5。 記憶體中最基本的儲存單元就是柱面，而這些柱面透過行和列的排列組成了一個矩陣，每個行和列的座標集就代表了一個惟一的地址。所以記憶體在存取資料的時候是根據行和列的地址集來進行資料搜尋的。 8 定址到可用（Trp）/GAS到RAS（CMD） 相對而言，Trp以及CMD時間並沒有CAS時間那麼重要，但是也足以影響記憶體的效能。一般這裡的設定值為3（時鐘迴圈），如果把這個值改小為2，就可以提升一點記憶體效能。 9 列地址控制器（RAS）/其他延遲 記憶體本身就是一個非常複雜的零部件，可以這麼說，計算機內部工作過程最複雜的就是儲存器了。但是幸好這些煩瑣的工作對於我們這些終端使用者來說是透明的，而我們平時用來判斷記憶體效能、質量好壞的這些引數也只是其中的一部分而已。在此必須提及RAS延遲和另外兩個延遲。RAS通常為6個始終迴圈，但是實際上在超頻中可以將它修改為5。 10 SPD（串的存在探測） SPD是1個8針的SOIC封裝256位元組的EEPROM晶片。型號多為24LC01B，一般處於記憶體條正面的右側，裡面記錄了諸如記憶體的速度、容量、電壓與行、列地址頻寬等引數資訊。當開機時，計算機的BIOS將自動讀取SPD中記錄的資訊，如果沒有SPD，就容易出現宕機或致命錯誤的現象。 11 ECC（Error Checking and Correcting） 錯誤檢查和糾正。與奇偶校驗類似，它不但能檢測到錯誤的地方，還可以糾正絕大多數錯誤。它也是在原來的資料位上外加位來實現的，這些額外的位是用來重建錯誤資料的。只有經過記憶體的糾錯後，計算機操作指令才可以繼續執行。 12 DIMM（Dual In-line Memory Modules） 雙邊接觸記憶體模組。也就是說這種型別介面記憶體的插板兩邊都有資料介面觸片，這種介面模式的記憶體廣泛應用於現在的計算機中，通常為84針。由於是雙邊的，共有84×2＝168線接觸，所以人們常把這種記憶體稱為168線記憶體。 13 SIMM （Single In-line Memory Modules） 單邊接觸記憶體模組，是5x86及其較早的PC中常採用的記憶體介面方式。在486以前，多采用30針的SIMM介面，而在Pentium中更多的是72針的SIMM介面，或者與DIMM介面型別並存。人們通常把72線的SIMM型別記憶體模組直接稱為72線記憶體
分析： 記憶體的各種技術指標，一般包括記憶體容量、腳數、速度等。其中記憶體容量是使用者最關心的一個指標，因為它將直接影響系統的整體效能。 1 記憶體容量 記憶體容量是指存放計算機執行所需的程式和資料的多少。記憶體容量直接關係到計算機的整體效能，是除CPU之外能表明計算機檔次等級的一個重要指標。目前，主流計算機的記憶體容量一般為128MB、256MB和512MB。 2 資料頻寬 資料頻寬是指記憶體一次輸出/輸入的資料量，是衡量記憶體效能的重要指標。通常情況下，PC100的SDRAM在額定頻率（100MHz）下工作時，其峰值傳輸率可以達到800MBps；工作在133MHz的情況下，其峰值的傳輸率已經達到了1.06GBps，這一速度比PC100提高了200MBps。在實際應用中，其效能提高的效果是很明顯的。對於DDR而言，由於在同一個時鐘的上升沿和下降沿都能傳輸資料，所以工作在133MHz時，它的實際傳輸率可以達到2.1GBps。 計算記憶體頻寬的公式也很簡單：記憶體頻寬總量（Mbytes）＝最大時鐘速頻率（MHz）×匯流排寬度（bits）×每時鐘資料段數量／8。 3 ECC校驗 為了防止記憶體中的資料發生錯誤，需要對位元組中的資料位進行奇偶校驗。奇偶校驗對於保證資料的正確讀寫起到很關鍵的作用，尤其是在資料量非常大的計算中。標準型的記憶體條有的有校驗位，有的沒有；非標準的記憶體條均有奇偶校驗位。 ECC是Error Correction Coding或Error Checking and Correcting的縮寫，代表具有自動糾錯功能的記憶體，可以糾正一位二進位制數的錯誤。ECC記憶體也是在原來的資料位上外加位來實現的。當資料的位數增加一倍，Parity也增加一倍，而ECC只需增加一位，當資料為64位時所用的ECC只需增加一位，當資料為64位時所用的ECC和Parity位數相同。 4 tCK tCK（TCLK）指系統時鐘週期，表示SDRAM所能執行的最大頻率。數字越小說明SDRAM晶片所能執行的頻率越高。對於一片普通的PC-100 SRDAM來說，其晶片上的標識-100表示它的執行時鐘週期為10ns，即可以在100MHz的外頻下正常工作。大多數記憶體標號的尾數表示的就是tCK週期。P133標準要求tCK不大於7.5ns。 5 tAC tAC（Access Time from CLK）是最大CAS延遲時的最大數輸入時鐘。PC100規範要求在CL＝3時，tAC不大於6ns。某些記憶體標號的位數表示這個值。目前大多數SDRAM晶片的存取時間為5、6、7、8或10ns。這不同於系統時鐘週期，它們之間有著本質的區別 6 CL CL（CAS Latency）為CAS的延遲時間，是縱向地址脈衝的反應時間，也是在一定頻率下衡量支援不同規範的記憶體的重要標誌之一。如現在大多數的SDRAM都能執行在CAS Latency＝2或3的模式下，也就是說這時它們讀取資料的延遲時間可以是2個時鐘週期也可以是3個時鐘週期。在SDRAM的製造過程中，可以將這個特性寫入SDRAM的EEPROM中，在開機時主機板的BIOS就會檢查此項內容，並以CL＝2這一預設模式執行。 對於PC100記憶體來說，就是要求當CL＝3時，tCK的數值要小於10ns，tAC要小於6ns。至於為什麼強調是CL＝3的時候，這是因為對於同一個記憶體條當設定成不同的CL數值時，tCK的值可能是不相同的，當然tAC的值也是不太可能相同的。總延遲時間的計算公式為：總延遲時間＝系統時鐘週期＋儲存時間，如某PC100記憶體的存取時間為6ns，假設CL模式數為2即CL＝2，則總延遲時間＝10ns×2＋6ns＝26ns，這就是評價記憶體效能高低的重要數值。對於將PC100、PC133記憶體只使用在66MHz或100MHz匯流排下的使用者，強烈建議將CL的數值設定為2，這樣你的記憶體無疑會有更好的效能。 7 行地址控制器（CAS） 行地址控制器（CAS）可能是最能決定記憶體模組對資料請求進行響應的因素之一了。通常把行地址控制器叫做CAS延遲，一般來說，在SDR SDRAM中，可以設定為2或者3（當然是根據自己記憶體的具體情況而定）。對於DDR記憶體來說，一般常用的設定為2或者2.5。 記憶體中最基本的儲存單元就是柱面，而這些柱面透過行和列的排列組成了一個矩陣，每個行和列的座標集就代表了一個惟一的地址。所以記憶體在存取資料的時候是根據行和列的地址集來進行資料搜尋的。 8 定址到可用（Trp）/GAS到RAS（CMD） 相對而言，Trp以及CMD時間並沒有CAS時間那麼重要，但是也足以影響記憶體的效能。一般這裡的設定值為3（時鐘迴圈），如果把這個值改小為2，就可以提升一點記憶體效能。 9 列地址控制器（RAS）/其他延遲 記憶體本身就是一個非常複雜的零部件，可以這麼說，計算機內部工作過程最複雜的就是儲存器了。但是幸好這些煩瑣的工作對於我們這些終端使用者來說是透明的，而我們平時用來判斷記憶體效能、質量好壞的這些引數也只是其中的一部分而已。在此必須提及RAS延遲和另外兩個延遲。RAS通常為6個始終迴圈，但是實際上在超頻中可以將它修改為5。 10 SPD（串的存在探測） SPD是1個8針的SOIC封裝256位元組的EEPROM晶片。型號多為24LC01B，一般處於記憶體條正面的右側，裡面記錄了諸如記憶體的速度、容量、電壓與行、列地址頻寬等引數資訊。當開機時，計算機的BIOS將自動讀取SPD中記錄的資訊，如果沒有SPD，就容易出現宕機或致命錯誤的現象。 11 ECC（Error Checking and Correcting） 錯誤檢查和糾正。與奇偶校驗類似，它不但能檢測到錯誤的地方，還可以糾正絕大多數錯誤。它也是在原來的資料位上外加位來實現的，這些額外的位是用來重建錯誤資料的。只有經過記憶體的糾錯後，計算機操作指令才可以繼續執行。 12 DIMM（Dual In-line Memory Modules） 雙邊接觸記憶體模組。也就是說這種型別介面記憶體的插板兩邊都有資料介面觸片，這種介面模式的記憶體廣泛應用於現在的計算機中，通常為84針。由於是雙邊的，共有84×2＝168線接觸，所以人們常把這種記憶體稱為168線記憶體。 13 SIMM （Single In-line Memory Modules） 單邊接觸記憶體模組，是5x86及其較早的PC中常採用的記憶體介面方式。在486以前，多采用30針的SIMM介面，而在Pentium中更多的是72針的SIMM介面，或者與DIMM介面型別並存。人們通常把72線的SIMM型別記憶體模組直接稱為72線記憶體