(1) 石英晶體諧振器成品上標有一個標稱頻率，當電路工作在這個標稱頻率時，頻率穩定度最高。這個標稱頻率通常是在成品出廠前，在石英晶體上並接一定的負載電容條件下測定的。在實際組成石英晶體振盪器時必須在石英晶體兩端並接負載電容，且負載電容必須符合石英晶體技術條件中所規定的數值，這個電容大都採用微調電容，以便調整。規定的負載電容值載於廠家的產品說明書中，通常為30pF(高頻晶體)，或為100pF (低頻晶體)，還有32.768KHz普通晶體對應的12.5PF（最普通常見的一種負載電容）或標示為田(這是指無需外接負載電容，通常用在串聯晶體振盪器中)。
(2) 石英晶體諧振器的激勵電平應在規定範圍內。石英晶體諧振器在振盪器中被激勵時，要透過激勵電流，要消耗一定的激勵功率。在實際應用時，應使輸入石英晶體的激勵功率不超過額定值。過高的激勵功率會使石英諧振器內部溫度升高，使石英晶片的老化效應和頻率漂移增大；極強的激勵功率會使石英晶片的機械振動過於劇烈而損壞。
(3) 在並聯石英晶體振盪器中，石英晶體只能工作在感性區，而不能工作在容性區。因為若把晶體當作容性元件使用，一旦壓電效應失效，它仍呈容性，此時振盪器仍可能維持振盪，但石英晶體已失去穩頻作用。
(4) 由於石英諧振器在一定的溫度範圍內才具有很高的頻率穩定度，當對頻率穩定度要求很高時，可以考慮採用恆溫裝置或溫度補償措施。
(5) 晶振在振盪電路中起振時等效為感性，負載電容與晶振的等效電感形成諧振，決定振盪器的振盪頻率。負載電容值不同，振盪器的振盪頻率也不一樣，改變負載電容的大小，就可以改變振盪頻率。因此，透過適度調整負載電容，一般可以將振盪器的振盪頻率精確地調整到標準值。在晶振資料主要引數中提供的負載電容是一個測試條件，也是一個不容忽視的使用條件，忽略這個負載電容引數，會使振盪頻率偏離標準值，偏離過大時會使振盪器起振困難造成停振。
(6) 晶振的負載電容有高、低兩類之別。低者一般僅為十幾至幾百PF，而高者則為無窮大，兩者相差懸殊，決不能混用，否則會使振盪頻率偏離。兩類不同負載電容的晶振使用方式絕然不同。低負載電容晶振都串聯幾十pF容量的電容器；而高負載電容晶振不但不能串聯電容器，還須並聯數pF小容量電容器(外電路的分佈晶振電容有時也能取代這個並聯小電容)
以上問題我們需要慎重考慮，只有這樣，晶振的優點才會被合理的應用。
(1) 石英晶體諧振器成品上標有一個標稱頻率，當電路工作在這個標稱頻率時，頻率穩定度最高。這個標稱頻率通常是在成品出廠前，在石英晶體上並接一定的負載電容條件下測定的。在實際組成石英晶體振盪器時必須在石英晶體兩端並接負載電容，且負載電容必須符合石英晶體技術條件中所規定的數值，這個電容大都採用微調電容，以便調整。規定的負載電容值載於廠家的產品說明書中，通常為30pF(高頻晶體)，或為100pF (低頻晶體)，還有32.768KHz普通晶體對應的12.5PF（最普通常見的一種負載電容）或標示為田(這是指無需外接負載電容，通常用在串聯晶體振盪器中)。
(2) 石英晶體諧振器的激勵電平應在規定範圍內。石英晶體諧振器在振盪器中被激勵時，要透過激勵電流，要消耗一定的激勵功率。在實際應用時，應使輸入石英晶體的激勵功率不超過額定值。過高的激勵功率會使石英諧振器內部溫度升高，使石英晶片的老化效應和頻率漂移增大；極強的激勵功率會使石英晶片的機械振動過於劇烈而損壞。
(3) 在並聯石英晶體振盪器中，石英晶體只能工作在感性區，而不能工作在容性區。因為若把晶體當作容性元件使用，一旦壓電效應失效，它仍呈容性，此時振盪器仍可能維持振盪，但石英晶體已失去穩頻作用。
(4) 由於石英諧振器在一定的溫度範圍內才具有很高的頻率穩定度，當對頻率穩定度要求很高時，可以考慮採用恆溫裝置或溫度補償措施。
(5) 晶振在振盪電路中起振時等效為感性，負載電容與晶振的等效電感形成諧振，決定振盪器的振盪頻率。負載電容值不同，振盪器的振盪頻率也不一樣，改變負載電容的大小，就可以改變振盪頻率。因此，透過適度調整負載電容，一般可以將振盪器的振盪頻率精確地調整到標準值。在晶振資料主要引數中提供的負載電容是一個測試條件，也是一個不容忽視的使用條件，忽略這個負載電容引數，會使振盪頻率偏離標準值，偏離過大時會使振盪器起振困難造成停振。
(6) 晶振的負載電容有高、低兩類之別。低者一般僅為十幾至幾百PF，而高者則為無窮大，兩者相差懸殊，決不能混用，否則會使振盪頻率偏離。兩類不同負載電容的晶振使用方式絕然不同。低負載電容晶振都串聯幾十pF容量的電容器；而高負載電容晶振不但不能串聯電容器，還須並聯數pF小容量電容器(外電路的分佈晶振電容有時也能取代這個並聯小電容)
以上問題我們需要慎重考慮，只有這樣，晶振的優點才會被合理的應用。