中芯國際目前最先進的工藝是14nm工藝，再在14nm基礎上進行工藝升級就可以做到N+1工藝，提升後功耗下降，效能提高，

那麼中芯國際的N+1是怎麼實現的呢？是通過購買的荷蘭asml光刻機實現的，目前利用asml光刻機可以實現DUV 7nm工藝（N+1），有訊息稱目前中芯國際的N+1工藝進入客戶了匯入試產的階段，這個客戶有極大可能是華為，N+1工藝相比14nm功耗下降50%，效能提高20%，是價效比比較高的技術應用，中芯國際目前的工藝水平也是目前國內最先進的工藝水準。

目前麒麟710A就是利用中芯國際工藝量產出來的晶片，搭載機型為華為榮耀play4T手機（見下圖）

願華為改變手機，發展雲手機，做個空白手機，雲服務，語音控制，戴在手上，像科幻片那樣空中投屏，什麼狗屁晶片，統統看如糞土！傳統晶片反正都要淘汰，到了1nm看你怎麼發展？中國量子世界第一，量子晶片崛起！

去年，中芯國際表示開啟基於14nm FinFET製程的量產晶片。同時，也在努力開發下一代主要節點(N+1)，與中芯國際自家的14nm製程相比，N+1可在效能提升20%的同時降低57%的功耗、並將邏輯面積減少了63%。目前N+1是否可達到臺積電7nm可能存在一定疑問，應該能接近三星或者臺積電10nm工藝。不過可以肯定的是N+1繞開了ASML的EUV光刻機，也可以算是沒有光刻機的無奈之舉吧。未來若能獲得EUV光刻機，中芯可能才會真正達到量產7nm的水準。