飽和狀態是指電晶體的一種低電壓、大電流工作狀態（即開態）。電晶體的工作狀態（或工作模式）包括有放大狀態、截止狀態、飽和狀態和反向放大狀態四種。

FET在飽和狀態工作時，柵極電壓大於閾值電壓(對於增強型FET)，存在有溝道，但是溝道在靠近漏極處是夾斷了的(這時，源漏電壓Vds≥柵源電壓Vgs-閾值電壓Vt)，輸出電流基本上由未被夾斷的溝道部分的電阻來決定，在不考慮溝道長度調製效應時，則輸出電流與源漏電壓無關，即輸出電流飽和;但是此飽和的輸出電流要受到柵極電壓控制(飽和時的柵極跨導最大)。

在輸出伏安特性曲線上，飽和狀態即是處在電流飽和的區域(即特性曲線是水平的區域)。實際上，FET的飽和狀態也就是其放大工作的狀態(這與BJT不同)。

擴充套件資料

只要光的頻率超過某一極限頻率，受光照射的金屬表面立即就會逸出光電子，發生光電效應。當在金屬外面加一個閉合電路，這些逸出的光電子全部到達陽極便形成所謂的光電流。不加電源也會產生電流，若加逆向電源，會減小光電流。正向電流會增大光電流。

所以，當入射光強度增大時，根據光子假設，入射光的強度（即單位時間內透過單位垂直面積的光能）決定於單位時間裡透過單位垂直面積的光子數，單位時間裡透過金屬表面的光子數也就增多，於是，光子與金屬中的電子碰撞次數也增多，因而單位時間裡從金屬表面逸出的光電子也增多，飽和電流也隨之增大。

參考資料：