一般是利用I對V的偏導求。
注意，這時候需要先判斷MOS處於什麼工作區域。
case1：VdsMOS處於線形區，
Id=u*Cox*（W/L）*[（Vgs-Vt）*Vds-0.5(Vds^2)]
然後I對Vgs求偏導即可：g = partial （Id）/partial （Vgs）= u*Cox*Vds*（W/L）
以上partial為偏導算符，打不出來，只能這麼寫了，u是載流子遷移率，Cox是單位柵電容大小，W和L分別是MOS的寬和長。
case2：Vds>Vgs-Vt，MOS處於飽和區，
Id = 0.5*u*Cox*（W/L）*[（Vgs-Vt）^2]
同樣求偏導：g = partial （Id）/partial （Vgs） = u*Cox*（Vgs-Vt）*（W/L）
如果你知道Id，而不知道Vgs，就用Id的表示式把Vgs代換掉即可，以case2為例，g = [2u*Cox*（W/L）*Id]^0.5
[]^x代表[]的內容的x次方。
跨導簡介：
線性壓控電流源的性質可表示為方程 I=gV ，其中g是常數係數。係數g稱作跨導（或轉移電導），具有與電導相同的單位。這個電路單元通常指放大器。
在MOS管中，跨導的大小反映了柵源電壓對漏極電流的控制作用。在轉移特性曲線上，跨導為曲線的斜率。
一般是利用I對V的偏導求。
注意，這時候需要先判斷MOS處於什麼工作區域。
case1：VdsMOS處於線形區，
Id=u*Cox*（W/L）*[（Vgs-Vt）*Vds-0.5(Vds^2)]
然後I對Vgs求偏導即可：g = partial （Id）/partial （Vgs）= u*Cox*Vds*（W/L）
以上partial為偏導算符，打不出來，只能這麼寫了，u是載流子遷移率，Cox是單位柵電容大小，W和L分別是MOS的寬和長。
case2：Vds>Vgs-Vt，MOS處於飽和區，
Id = 0.5*u*Cox*（W/L）*[（Vgs-Vt）^2]
同樣求偏導：g = partial （Id）/partial （Vgs） = u*Cox*（Vgs-Vt）*（W/L）
如果你知道Id，而不知道Vgs，就用Id的表示式把Vgs代換掉即可，以case2為例，g = [2u*Cox*（W/L）*Id]^0.5
[]^x代表[]的內容的x次方。
跨導簡介：
線性壓控電流源的性質可表示為方程 I=gV ，其中g是常數係數。係數g稱作跨導（或轉移電導），具有與電導相同的單位。這個電路單元通常指放大器。
在MOS管中，跨導的大小反映了柵源電壓對漏極電流的控制作用。在轉移特性曲線上，跨導為曲線的斜率。