IGBT的種類有；
1、低功率IGBT
IGBT應用範圍一般都在600V、1KA、1KHz以上區域，為滿足家電行業的發展需求，摩托羅拉、ST半導體、三菱等公司推出低功率IGBT產品，實用於家電行業的微波爐、洗衣機、電磁灶、電子整流器、照相機等產品的應用。
2、U-IGBT
U（溝槽結構）--IGBT是在管芯上刻槽，晶片元胞內部形成溝槽式柵極。採用溝道結構後，可進一步縮小元胞尺寸，減少溝道電阻，進步電流密度，製造相同額定電流而晶片尺寸最少的產品。現有多家公司生產各種U—IGBT產品，適用低電壓驅動、表面貼裝的要求。
3、NPT-IGBT
NPT（非穿通型）--IGBT採用薄矽片技術，以離子注進發射區代替高複雜、高本錢的厚層高阻外延，可降低生產本錢25%左右，耐壓越高本錢差越大，在效能上更具有特色，高速、低損耗、正溫度係數，無鎖定效應，在設計600—1200V的IGBT時，NPT—IGBT可靠性最高。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型電晶體，是由BJT(雙極型三極體)和MOS(絕緣柵型場效電晶體)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。
GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用於直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
擴充套件資料：
發展歷程
1979年，MOS柵功率開關器件作為IGBT概念的先驅即已被介紹到世間。這種器件表現為一個類閘流體的結構（P-N-P-N四層組成），其特點是透過強鹼溼法刻蝕工藝形成了V形槽柵。
80年代初期，用於功率MOSFET製造技術的DMOS（雙擴散形成的金屬-氧化物-半導體）工藝被採用到IGBT中來。在那個時候，矽晶片的結構是一種較厚的NPT（非穿通）型設計。
90年代中期，溝槽柵結構又返回到一種新概念的IGBT，它是採用從大規模整合（LSI）工藝借鑑來的矽幹法刻蝕技術實現的新刻蝕工藝，但仍然是穿通（PT）型晶片結構。在這種溝槽結構中，實現了在通態電壓和關斷時間之間折衷的更重要的改進。
IGBT的種類有；
1、低功率IGBT
IGBT應用範圍一般都在600V、1KA、1KHz以上區域，為滿足家電行業的發展需求，摩托羅拉、ST半導體、三菱等公司推出低功率IGBT產品，實用於家電行業的微波爐、洗衣機、電磁灶、電子整流器、照相機等產品的應用。
2、U-IGBT
U（溝槽結構）--IGBT是在管芯上刻槽，晶片元胞內部形成溝槽式柵極。採用溝道結構後，可進一步縮小元胞尺寸，減少溝道電阻，進步電流密度，製造相同額定電流而晶片尺寸最少的產品。現有多家公司生產各種U—IGBT產品，適用低電壓驅動、表面貼裝的要求。
3、NPT-IGBT
NPT（非穿通型）--IGBT採用薄矽片技術，以離子注進發射區代替高複雜、高本錢的厚層高阻外延，可降低生產本錢25%左右，耐壓越高本錢差越大，在效能上更具有特色，高速、低損耗、正溫度係數，無鎖定效應，在設計600—1200V的IGBT時，NPT—IGBT可靠性最高。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型電晶體，是由BJT(雙極型三極體)和MOS(絕緣柵型場效電晶體)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。
GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用於直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
擴充套件資料：
發展歷程
1979年，MOS柵功率開關器件作為IGBT概念的先驅即已被介紹到世間。這種器件表現為一個類閘流體的結構（P-N-P-N四層組成），其特點是透過強鹼溼法刻蝕工藝形成了V形槽柵。
80年代初期，用於功率MOSFET製造技術的DMOS（雙擴散形成的金屬-氧化物-半導體）工藝被採用到IGBT中來。在那個時候，矽晶片的結構是一種較厚的NPT（非穿通）型設計。
90年代中期，溝槽柵結構又返回到一種新概念的IGBT，它是採用從大規模整合（LSI）工藝借鑑來的矽幹法刻蝕技術實現的新刻蝕工藝，但仍然是穿通（PT）型晶片結構。在這種溝槽結構中，實現了在通態電壓和關斷時間之間折衷的更重要的改進。