您說的3D顆粒應該是指“3D NAND快閃記憶體堆疊技術”，它是一種晶片封裝技術，並非顆粒！接下來帶大家一起了解一下“3D NAND快閃記憶體堆疊技術“。

NAND快閃記憶體顆粒，是快閃記憶體家族的一員，最早由日立公司於1989年研製並推向市場，由於NAND快閃記憶體顆粒功耗更低、價格更低和效能更佳等優點，早已成為儲存行業重要的儲存原料。

快閃記憶體是一種永久性的半導體可擦寫儲存器，隨身碟、SD儲存卡、SSD 等都屬於快閃記憶體。

NAND 即與非門，是數位電路的一種基本邏輯電路。NAND是現在市場上一種主要的非易失快閃記憶體技術。從上世紀80年代開始就應用於快閃記憶體。現在，它是生產SSD固態硬碟的基本材料，即快閃記憶體顆粒。

快閃記憶體顆粒，又稱快閃記憶體，是一種非易失性儲存器，即在斷電時儲存的資料不易丟失，而且是以固定的區塊為單位進行儲存，而不是象機械硬碟那樣，以單個的位元組為單位進行儲存的。這樣，讀寫的速度就很快。也就是說，快閃記憶體不是一個字一個字地讀、寫，而是像影印機掃描的方式一樣，一次掃一頁，存、寫都是一頁。SSD中的一塊，會有幾頁。

SSD固態硬碟的容量每隔幾個月就會升級，原因是快閃記憶體儲存器的3D堆疊又上了層次，它類似於單個的儲存器。NAND的優良效能是能對資料進行快速處理，程式設計速度快、擦除時間短。

NAND是一種比機械硬碟驅動器更好的儲存裝置，在不超過4GB的低容量中表現得更好。現在追求功耗更低、重量更輕和效能更佳的產品，因此，NAND極具吸引力。

3D NAND顆粒又可以分為32層、48層甚至64層，3D TLC/MLC顆粒的不同產品，各大廠商的技術不盡相同。根據NAND快閃記憶體中電子單元密度的差異，又可以分為SLC（單層次儲存單元）、MLC（雙層儲存單元）以及TLC(三層儲存單元)，此四種儲存單元在壽命以及造價上有著明顯的區別。

晶片堆疊，像積木一樣一層層的堆起來，但是，這種技術並非僅僅只應用在建築上。科技產品下一個重大突破將在3D快閃記憶體晶片堆疊領域出現。

2D NAND就是平面上的2個維度，從2013年8月以來，3D NAND儲存器就已經成功地投入了市場。

3D就是立方體的3個維度。以前，把NAND快閃記憶體顆粒，直接平鋪在SSD固態硬碟電路板上，叫2D技術。後來，廠家為節約成本，節省空間，像建高樓一樣，一層又一層地平鋪上去，就成為了3D堆疊快閃記憶體技術。3D NAND將思路從提高製造工藝轉移到了堆疊更多層數，這樣就可以兼顧容量、效能和可靠性了。

3D NAND快閃記憶體是一種新興的快閃記憶體型別，透過把記憶體顆粒堆疊在一起來，解決2D或者平面NAND快閃記憶體帶來的限制。相同顆粒數的96層堆疊快閃記憶體比32層堆疊快閃記憶體的容量大很多，所需要的技術難度也更大。

3D NAND相對2D NAND來說，是一次快閃記憶體技術上的變革。而且不同於基於微縮技術的平面快閃記憶體，3D儲存器的關鍵技術是薄膜和刻蝕工藝，技術工藝差別較大。