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1 # Lscssh科技官
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2 # 跪射俑
國內最先進的晶片代工廠是中芯國際,可以實現14nm晶片的量產,7nm正在加速研發,華為的中低端晶片可以交付給中芯國際來生產,但是7nm、5nm晶片只能由臺積電生產,目前的問題就在這裡,美國將會全力阻撓臺積電為華為“供貨”。
現在,中芯國際需要更先進的光刻機才能實現更先進晶片的生產,早在2018年中芯國際就向ASML訂購了一臺先進光刻機,售價高達1.2億美元,但是由於多方原因,至今這臺機器都未能運回國內,這也導致中芯國際與臺積電的差距逐漸擴大。
所以,上海微電子作為目前中國唯一的光刻機制造廠商,必須全力支援中芯國際和華為。上海微電子需要加快研發進度,加大科研資金投入力度,擴充科研團隊,全力追趕ASML,努力縮小差距,最終還要超過ASML。目前,中國擁有全球最大的半導體市場,也有大量的資金,還需要大力度引進行業頂尖人才,各方面發力研製中國產頂尖光刻機,一舉打破國外技術壟斷。
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3 # Geek視界
中國產光刻機90nm製程工藝,荷蘭ASML光刻機7nm製程工藝,按照專家的說法,至少有15年的差距。製程工藝的差距,主要體現了中國和西方發達國家在精密製造領域的差距。
光刻機的格局目前,光刻機市場幾乎被荷蘭ASML、日本尼康和佳能、上海微電子四家所壟斷。在這裡面又分為三個梯隊,荷蘭ASML壟斷了高階光刻機市場份額,日本尼康和佳能處於中端市場,同時競爭低端市場,而上海微電子只有低端市場。
上海微電子(SMEE)成立於2002年,成立之初到荷蘭ASML參觀見學,被調侃“即使把圖紙和元件全部給你們,你們也裝配不出來”。上海微電子經過自力更生,硬是打了國外公司的臉,2007年研製成功了90nm製程工藝的光刻機。
世界最先進的光刻機廠商是荷蘭的ASML,7nm EUV光刻機只有荷蘭ASML能夠生產。中國大陸的晶圓代工廠中芯國際,大部分使用的ASML的高階光刻機,已經量產14nm工藝晶片,突破了N+1、N+2工藝,然而後續的先進製程工藝仍然需要EUV光刻機。中芯國際早在2018年就成功預定了EUV光刻機,然而受到各方面因素的阻撓,至今未收貨。
差距在哪裡?從2007年,上海微研製成功90nm製程,至今13年過去了,上海微仍然停留在量產90nm製程工藝光刻機,這是為什麼呢?
上海微電子與荷蘭ASML光刻機領域的差距,反映了中國和西方發達國家在精密製造領域的差距,一臺頂級的光刻機,90%的關鍵零部件來自不同的發達國家,美國的光源和計量裝置、德國的鏡頭、瑞典的軸承、法國的閥件等等,根據所謂的《瓦森納協定》,這些頂級零部件對中國是禁運的。
上海微電子是一家系統整合商,自己不生產關鍵零部件,所以做不出22nm以下的高階光刻機,也不是它的責任。訊息稱,上海微電子已經突破了28nm製程工藝的關鍵技術,然而受到供應鏈的影響,量產時間還未確定。
就目前的形勢而言,只能做好中低端領域,慢慢培養國內供應鏈,逐步向中高階光刻機領域發展。
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4 # LeoGo科技
一般來說,我們會說上海微電子的前道光刻機生產的90nm的工藝是我們目前生產的主要技術,和我們設想的臺積電的5nm工藝確實有一定的差異。
很多人說我們的光刻機技術是被侷限於外國技術的壟斷,所以中國的光刻機發展困難。我的觀點並不認同,中國光刻機技術目前在市場上沒有大的突破,根源應該是我們的起步時間並不高。
我們總結幾個原因:
1.外國技術的限制可能只是前菜,雖然外國技術確實會讓我們難以招架技術的進步,但是我們並不能簡單的認為光刻機技術,一定是受限於外國技術。ASML的成功也確實是因為它能夠每年>15%的研發投入。
2.ASML技術的不斷髮展,也是因為它拉攏股東,我認為這是核心。因為ASML能夠讓臺積電,英特爾,三星等等企業成為它的股東,這才是ASML能夠成功的核心。
3.合理利用全球化大生產,我們知道ASML能夠合理的利用國際的合理化大生產,能夠不斷的讓最好的技術作用到ASML中。
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5 # 魔術師_小龍
90nm,中芯國際的14nm是使用的荷蘭ASML的光刻機,除了荷蘭ASML以外,全世界包括中國美國日本在內,都卡在45nm的節點上!
中國晶片產業鏈”:
【上游半導體裝置】
1、刻蝕機:北方華創、中微公司
2、光刻機:上微集團、華卓清科
3、PVD:北方華創
4、CVD:北方華創、中微公司、瀋陽拓荊
5、離子注入:中科信、萬業企業
6、爐管裝置:北方華創、晶盛機電
7、檢測裝置:精測電子、華峰測控、長川科技
8、清洗機:北方華創、至純科技、盛美半導體
9、其他裝置:芯源微、大族鐳射、銳科鐳射
【上游半導體材料】
1、大矽片:滬矽產業、中環股份
2、靶材:江豐電子、阿石創、隆華科技、有研新材
3、高純試劑:上海新陽、江化微、晶瑞股份、巨化股份
4、特種氣體:雅克科技、華特氣體、南大光電
5、拋光材料:安集科技、鼎龍股份
6、光刻膠:南大光電、飛凱材料、容大感光、晶瑞股份
7、其他材料:神工光伏、菲利華、石英股份
【中游代工】華虹半導體、粵芯半導體、華潤微電子
【下游封測】長電科技、通富微電、華天科技、晶方科技、深科技
【下游設計】
1、CPU:中科曙光、瀾起科技、中國長城
2、GPU:景嘉微
3、FPGA:紫光國微、上海復旦
4、指紋識別:匯頂科技、兆易創新
5、攝像頭晶片:韋爾股份、格科微、匯頂科技
6、儲存晶片:兆易創新、國科微、北京君正
7、射頻晶片:卓勝微、三安光電、紫光展瑞
8、數字晶片:晶晨股份、樂鑫科技、瑞芯微、全志科技
9、模擬晶片:聖邦股份、韋爾股份、匯頂科技、
10、功率晶片:斯達半導、士蘭微、捷捷微電、晶豐明源
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6 # 機器戰場
90奈米,上海微電子的SSA600
希望今年28奈米能突破,不是一個西貝貨,上海微電子SSA800
說7,14奈米的建議多看幾遍教材。。
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7 # 羅夏Roxia
自從美國加大力度針對華為在晶片上的封鎖之後,大家對於華為的前景也是非常的擔心,那麼在asml不提供光刻機,臺積電也因為種種原因不再為華為提供晶片生產的話,華為該怎麼辦?
目前臺積電關於5nm的晶片客戶就兩家華為和蘋果,如果臺積電加足馬力給華為留出一個月到兩個月的滿負荷生產,那麼華為在未來一到兩年內都是有充足的晶片使用的。不然的話只能依靠中芯國際的努力了,總體的差距還是有的。
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8 # 科技強哥說
很榮幸能夠回答這個問題。近期,因為美國要對華為進行升級打壓,要限制所有給華為代工晶片的公司,在給華為生產晶片時,必須得獲取美國授權。因此,臺積電能不能繼續給華為代工晶片,成了非常關鍵的問題,而中國的中芯國際跟臺積電比還有很大差距,主要原因就是沒有先進的EUV光刻機。那麼,中國產光刻機現在是什麼樣的水平呢,能生產多少nm晶片呢?
那麼,大家覺得對中國目前光刻機的發展是怎麼看的,有什麼好的建議嗎?
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9 # 暉哥自媒體
目前中國產光刻機上海微電子最高只能實現90納米制程,其實中國早在60年代就研製出光刻機且技術先進,那時候光刻機巨頭荷蘭ASML還沒誕生,直到70年代ASML仍然是小後輩。
1970年中國科學院開始研製計算機輔助光刻掩膜工藝。
1972年中武漢無線電元件三廠編寫完成《光刻掩膜版的製造》報告
1980年清華大學研製成功第四代分散式投影光刻機,光刻精度達到三微米,接近當時國際主流水平。
1980年後,中國放棄電子工業的自主攻關,光刻機等科技計劃被迫下線。武漢無線電元件三廠於1994年破產改制賣副食。
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10 # 扶蘇科技
目前國內華為找的替代物件是中芯國際,目前中芯國際為華為生產的14nm的麒麟710A晶片已經完成交付,但是最近華為向臺積電追加的7億美元的7nm和5nm製程的晶片,目前中芯國際還生產不了,目前國內的造芯技術落後行業保守估計在5年,美國也是吃準了中國目前還造不了最新納米制程的晶片,才卡華為脖子限制臺積電交付華為!然而,目前利好訊息就是中央向中芯國際注資200億,來加快國內晶片的發展生產!造芯是一條艱難無比的道路,但是中國必須要走,這樣才不會受制於人!
回覆列表
中國產光刻機量產機型可實現90nm製程工藝,但是近期傳來好訊息今年年將下線28nm節點浸沒式光刻機,同時該光刻機通過多重曝光可生產11nm製程晶片,如果更換精度更高的套件可生產製程更高的晶片。
最先進量產機型為90nm製程,只能用於低端領域代工
目前國內生產光刻機的廠商很多,但最先進的上海微電子,能量產90nm光刻機,具體型號為 SSA600/20,屬於IC前道光刻機,可用於8寸線或12寸線生產線的大規模生產。量產機型從技術角度上來說只是低端光刻機,遠不如荷蘭ASML光刻機,即便是日系廠商尼康、佳能的光刻機也比我們強。
這樣的光刻機現階段只能用於一些對製程要求不高的晶片生產,如果想供貨給中芯等代工廠生產製程先進的晶片是不行的,即便是麒麟710A這樣的低端手機晶片也無法生產。
在十三五規劃中有一項科技領域的標誌性專案,也就是研製28nm節點浸沒式光刻機併產業化,這個專案由上海微電子承擔,而今年是十三五規劃的最後一年,這就意味著到今年年底中國光刻機水平將再上一個臺階,雖然和ASML有差距,如果至少可以達到中等水平。
目前業內已經有傳出訊息,這臺最新光刻機具體型號為SSA/800-10W,年末基本可以沒懸念的正式下線。該光刻機採用ArF光源,使用1.9nm套刻精度的工件臺通過多重曝光可實現11nm製程,如果是更高的1.7nm套刻精度最高可實現7nm製程。
結合2019年末上海微電子公開的最新前道光刻機外觀設計專利,基本上可以認為該訊息靠譜。
當然下線並不代表量產,後續還得看穩定性和良品率,正式量產肯定還得有段時間,預估最快也得2021年,晚的話不排除到2022年。
努力追趕荷蘭ASML,中國產EUV光刻機正在研發中
28nm浸沒式光刻機可以讓我們通過多重曝光實現最高7nm製程的工藝,但這和荷蘭ASML最先進的光刻機相比差距不小,人家的EUV光刻機以不需要通過多重曝光就能直接生產7nm,乃至5nm、3nm製程的晶片。
為此,我們研發機構也正在努力研製EUV光刻機,這類光刻機最核心的EUV曝光目前正由長春光機抓緊研發中。
隨著國內半導體產業近期不斷受到打壓,光刻機的重要性愈發的凸顯出,這個晶片生產最重要的裝置,如果我們有自己的先進裝置,整個產業鏈受到美國的干擾就會小很多。