美光在二季度財報電話會議上透露，該公司即將開始基於全新 RG 架構的第四代 3D NAND 儲存器的量產工作。
按照計劃，美光將於 2020 Q3 採集開始生產，並於 Q4 像商業客戶發貨。作為這家硬體製造商的一次重大技術轉型，第四代 3D NAND 儲存器的層數達到了 128 層。
【資料圖，來自：Micron】
此外，作為美光長期技術演進計劃的核心，該公司將用替換門（RG）技術來取代與英特爾合作時期使用了多年的傳統浮柵技術。
美光擁有 RG 技術的完整設計，且希望本次技術轉型能夠減小管芯尺寸、降低成本、提高效能，以及更輕鬆地過渡到更多層的下一代節點。
儘管量產工作宜早不宜遲，但美光向也投資者指出，該公司不會在今年內全面轉向基於 RG 架構的 3D NAND 技術，畢竟早期良率還有繼續提升的空間。
美光稱，其計劃在 2020 Q4 財季（今夏）開始出貨 128 層 RG 架構的 3D NAND 快閃記憶體產品。
執行長 Sanjay Mehrotra 補充道：“我們在向 RG 技術過渡方面取得了重大進展，預計到 2020 年末，它將成為公司 NAND 總供應量的重要組成部分”。
美光在二季度財報電話會議上透露，該公司即將開始基於全新 RG 架構的第四代 3D NAND 儲存器的量產工作。
按照計劃，美光將於 2020 Q3 採集開始生產，並於 Q4 像商業客戶發貨。作為這家硬體製造商的一次重大技術轉型，第四代 3D NAND 儲存器的層數達到了 128 層。
【資料圖，來自：Micron】
此外，作為美光長期技術演進計劃的核心，該公司將用替換門（RG）技術來取代與英特爾合作時期使用了多年的傳統浮柵技術。
美光擁有 RG 技術的完整設計，且希望本次技術轉型能夠減小管芯尺寸、降低成本、提高效能，以及更輕鬆地過渡到更多層的下一代節點。
儘管量產工作宜早不宜遲，但美光向也投資者指出，該公司不會在今年內全面轉向基於 RG 架構的 3D NAND 技術，畢竟早期良率還有繼續提升的空間。
美光稱，其計劃在 2020 Q4 財季（今夏）開始出貨 128 層 RG 架構的 3D NAND 快閃記憶體產品。
執行長 Sanjay Mehrotra 補充道：“我們在向 RG 技術過渡方面取得了重大進展，預計到 2020 年末，它將成為公司 NAND 總供應量的重要組成部分”。