在以微控制器為核心的智慧儀表及過程控制系統中常常需要長時間儲存實時引數。通常可採用E2PROM、FLASH MEMORY以及以隨機存貯器為基礎內建電池的非易失晶片來實現。E2PROM、 FLASHMEMORY屬於可線上修改的ROM器件，它解決了應用系統中實時引數掉電儲存的難題，但這類晶片寫入速度慢（ms級），擦寫次數有限（萬次級），有些器件擦寫次數雖達百萬次，對某些應用系統而言，其寫入次數仍然是有限的。因此這類晶片只能用在需要保護的資料量小且寫入不頻繁的系統中。對那些需要大容量高速反覆存取實時引數的系統，只能用隨機存貯器RAM加掉電保護電路實現。掉電保護系統一般由低功耗的CMOS－RAM、供電電路及控制電路組成。供電電路保證系統正常時由電源給RAM供電，掉電時自動轉到備用電池給RAM供電；控制電路保證在電源供電時RAM正常讀寫，電池供電時RAM處於保護狀態，特別要防止系統上電／掉電過程中的瞬間干擾對RAM晶片的寫入而改變RAM中的資料。基於RAM的掉電保護電路既具有RAM的高速寫入、寫入次數無限制的特點，又能象ROM那樣長時間儲存資料，因此得到了廣泛的應用。實現上述原理的掉電保護方法很多，某些廠商甚至以RAM為基礎內建電池開發出自掉電保護晶片，用這類獨立的掉電保護晶片或電路構成的微控制器系統，實際應用中有時會出現工作不穩定現象。經分析發現：若系統電源的變化使RAM先處於保護狀態，而系統尚未復位，微控制器仍正常工作，這時就出現寫不進，讀不出的現象，引發系統故障。對於這種微控制器復位電平與掉電保護電平不一致而影響系統可靠性的問題，本文提出用微處理器監控電路使微控制器復位與掉電保護聯動的解決方案。RAM在微控制器復位時處於保護狀態，工作時正常存取，從而有效地解決前述問題。
在以微控制器為核心的智慧儀表及過程控制系統中常常需要長時間儲存實時引數。通常可採用E2PROM、FLASH MEMORY以及以隨機存貯器為基礎內建電池的非易失晶片來實現。E2PROM、 FLASHMEMORY屬於可線上修改的ROM器件，它解決了應用系統中實時引數掉電儲存的難題，但這類晶片寫入速度慢（ms級），擦寫次數有限（萬次級），有些器件擦寫次數雖達百萬次，對某些應用系統而言，其寫入次數仍然是有限的。因此這類晶片只能用在需要保護的資料量小且寫入不頻繁的系統中。對那些需要大容量高速反覆存取實時引數的系統，只能用隨機存貯器RAM加掉電保護電路實現。掉電保護系統一般由低功耗的CMOS－RAM、供電電路及控制電路組成。供電電路保證系統正常時由電源給RAM供電，掉電時自動轉到備用電池給RAM供電；控制電路保證在電源供電時RAM正常讀寫，電池供電時RAM處於保護狀態，特別要防止系統上電／掉電過程中的瞬間干擾對RAM晶片的寫入而改變RAM中的資料。基於RAM的掉電保護電路既具有RAM的高速寫入、寫入次數無限制的特點，又能象ROM那樣長時間儲存資料，因此得到了廣泛的應用。實現上述原理的掉電保護方法很多，某些廠商甚至以RAM為基礎內建電池開發出自掉電保護晶片，用這類獨立的掉電保護晶片或電路構成的微控制器系統，實際應用中有時會出現工作不穩定現象。經分析發現：若系統電源的變化使RAM先處於保護狀態，而系統尚未復位，微控制器仍正常工作，這時就出現寫不進，讀不出的現象，引發系統故障。對於這種微控制器復位電平與掉電保護電平不一致而影響系統可靠性的問題，本文提出用微處理器監控電路使微控制器復位與掉電保護聯動的解決方案。RAM在微控制器復位時處於保護狀態，工作時正常存取，從而有效地解決前述問題。