首先要知道摩爾定律是什麼，它就是英特爾創始人戈登摩爾所提出，具體內容~積體電路上可容納的元器件的數目，每隔18-24個月便會增加一倍，效能提升一倍。雖然在很長一段時間內，摩爾定律跟業界積體電路的變化極為吻合，但它並非類似牛頓三大定律這樣的物理法則，只不過是根據經驗預測而成的。

大家可以看手機高通驍龍晶片的對比，835晶片容量30以電晶體，845晶片為55億，兩者都是10奈米工藝，效能只相差30%，855晶片為60億電晶體，效能提升40%，手機晶片的發展依然在摩爾定律的大致曲線上。

電晶體的尺寸很難在繼續縮小下去，未來幾年當2奈米工藝出現後，摩爾定律很可能直接結束。這個時候如果沒有新的工藝出現，半導體產業停止不前都有可能。

真正原因是沒有競爭對手了，就這麼幾家巨頭了，大家可以躺著掙錢，何必你死我活？他們不是沒有新技術，而是不想這麼快投放市場。

矽基晶片極限是物理極限，臺積電的5nm是製程晶片、其物理晶片可能是14nm、12nm、10nm、7nm.所以晶片製程可以有5nm、3nm、2nm?

在積體電路工業領域，有一個神奇的定律歸納了其發展規律，即積體電路上可容納的電晶體數目，每隔 18-24 個月便會增加一倍，效能也將提升一倍，這就是廣為熟知的“摩爾定律”。

摩爾定律是由英特爾(Intel)創始人之一戈登·摩爾(Gordon Moore)提出來的。其內容為：當價格不變時，積體電路上可容納的電晶體數目，約每隔18個月便會增加一倍，效能也將提升一倍。換言之，每一美元所能買到的電腦效能，將每隔18個月翻兩倍以上。這一定律揭示了資訊科技進步的速度。

摩爾定律是商業規律。晶片這裡說的物理極限呀。

物理學家都沒有搞得清楚的東西，這是無法比較。

所以你說的無法回答的。

個人意見，僅供參考。

目前的技術路線就是7nmEUV、5nmEUV、3nmGGA、2nm碳奈米管，其實傳統光刻到7nm的時候就要到頭了EUV開始都不再是傳統型別的光刻了。

物理極限本來就是7nm，臺積電三星搞的是等效5nm，用3d堆疊或者其他方法提高密度，就變成等效5nm 3nm

在之前，業界普遍認為，7nm已經是極限，再小會導致電子偏移，發熱嚴重，效率變低，效能會適得其反。不過臺積電對5nm進展感到非常滿意，自信能夠按照計劃量產。根據臺積電的規劃，其 5nm(CLN5)將繼續使用荷蘭ASML Twinscan NXE: 3400 EUV光刻機系統，擴大EUV的使用範圍，相比於第一代7nm電晶體密度可猛增80％(相比第二代則是增加50％。而為了追求這個先進工藝，臺積電投入巨資，讓所有競爭對手都望塵莫及。

另外摩爾定律只是定律不是真理，5nm的極限摩爾當年是沒提到的

根本原因是，業界對製程的奈米數還沒有統一的標準。基本是企業自己說了算，所以臺積電的7奈米等價於英特爾的10奈米

摩爾定律是由英特爾（Intel）創始人之一戈登·摩爾（Gordon Moore）提出來的。其內容為：當價格不變時，積體電路上可容納的元器件的數目，約每隔18-24個月便會增加一倍，效能也將提升一倍。

從以上可以看出，“”摩爾定律“”並非一個科學理論，而是個人主觀臆斷。在近半個世紀幾乎符合這個判斷，但進入21世紀以來，晶片的製造的速度放緩，效能提升更是緩慢，是這個推斷已經破產。

從理論上，這種推斷也是站不住腳的，凡事都有個極限，當越接近極限更進一步就要比前面困難得多，所需的時間也更長。

晶片的製程，如提問中的矽5奈米，和摩爾定律沒有任何關係，儘管摩爾定律是一個錯誤的個人臆斷。