技術指標
關於記憶體人們普遍關心的各種技術指標，一般包括引腳數、容量、速度、奇偶校驗等。記憶體條有無奇偶校驗位是人們常常忽視的問題，奇偶校驗對於保證資料的正確讀寫起到很關鍵的作用，尤其是在進行資料量非常大的計算中。標準型的記憶體條有的有校驗位，有的沒有；非標準的記憶體條均有奇偶校驗位。
效能評估
對於SDRAM，我們必須透過至少3個引數來評估其效能的好壞。
（1）系統時鐘迴圈週期---他表示了SDRAM能執行的最大頻率。譬如：一塊系統時鐘頻率為10ns的SDRAM的晶片，他可以執行在100MHz的頻率下。絕大多數的SDRAM晶片能達到這個要求。顯然，這個數字越小，SDRAM晶片所能執行的頻率就越高。對於現代（Hyundai）PC-100 SDRAM，它的晶片上所刻的-10代表了其執行的時鐘週期為10ns，他可以跑100MHz的外頻。根據現代的產品資料表我們可以知道這種晶片的存取資料的時間（以下會講到該指標）為6ns。
（2）存取時間---類似於EDO/FPM DRAM，他代表了讀取資料所延遲的時間。絕大多數SDRAM晶片的存取時間為6，7，8或10ns。可是千萬不要和系統時鐘頻率所混淆。許多人都把存取時間當作這塊SDRAM晶片所能跑的外頻。對於高士達（Goldstar）PC-100 SDRAM，它的晶片上所刻的-7代表了其存取時間為7ns。然而他的系統時鐘頻率仍然為10ns，外頻為100MHz。
（3）CAS(縱向地址脈衝)反應時間---CAS的延遲時間。某些SDRAM能夠執行在CAS Latency(CL)2或3模式。也就是說他們讀取資料所延遲的時間既可以是二個時鐘週期也可以是三個時鐘週期。我們可以把這個效能寫入SDRAM的EEPROM中，這樣PC的BIOS會檢查此項內容，並且以CL=2模式這一較快的速度執行。
效能指標
然而，以上三個效能指標是互相制約的。換句話說，當你有較快的存取時間，你就必須犧牲CAS latency的效能。因此，評估和比較SDRAM的效能時，我們必須綜合考慮以上三個指標不能僅從晶片上所刻的-6，-7，-8或-10來評價。
時鐘週期
也就是一旦晶片廠商稱其產品為PC-100。其晶片符合PC-100的標準。那麼-6，-7，-10就只是一個符號。並不說明-6比-7快。因此，三星（SAMSUNG）為了防止人們的誤解，不再用這個資料代表存取時間。
技術指標
關於記憶體人們普遍關心的各種技術指標，一般包括引腳數、容量、速度、奇偶校驗等。記憶體條有無奇偶校驗位是人們常常忽視的問題，奇偶校驗對於保證資料的正確讀寫起到很關鍵的作用，尤其是在進行資料量非常大的計算中。標準型的記憶體條有的有校驗位，有的沒有；非標準的記憶體條均有奇偶校驗位。
效能評估
對於SDRAM，我們必須透過至少3個引數來評估其效能的好壞。
（1）系統時鐘迴圈週期---他表示了SDRAM能執行的最大頻率。譬如：一塊系統時鐘頻率為10ns的SDRAM的晶片，他可以執行在100MHz的頻率下。絕大多數的SDRAM晶片能達到這個要求。顯然，這個數字越小，SDRAM晶片所能執行的頻率就越高。對於現代（Hyundai）PC-100 SDRAM，它的晶片上所刻的-10代表了其執行的時鐘週期為10ns，他可以跑100MHz的外頻。根據現代的產品資料表我們可以知道這種晶片的存取資料的時間（以下會講到該指標）為6ns。
（2）存取時間---類似於EDO/FPM DRAM，他代表了讀取資料所延遲的時間。絕大多數SDRAM晶片的存取時間為6，7，8或10ns。可是千萬不要和系統時鐘頻率所混淆。許多人都把存取時間當作這塊SDRAM晶片所能跑的外頻。對於高士達（Goldstar）PC-100 SDRAM，它的晶片上所刻的-7代表了其存取時間為7ns。然而他的系統時鐘頻率仍然為10ns，外頻為100MHz。
（3）CAS(縱向地址脈衝)反應時間---CAS的延遲時間。某些SDRAM能夠執行在CAS Latency(CL)2或3模式。也就是說他們讀取資料所延遲的時間既可以是二個時鐘週期也可以是三個時鐘週期。我們可以把這個效能寫入SDRAM的EEPROM中，這樣PC的BIOS會檢查此項內容，並且以CL=2模式這一較快的速度執行。
效能指標
然而，以上三個效能指標是互相制約的。換句話說，當你有較快的存取時間，你就必須犧牲CAS latency的效能。因此，評估和比較SDRAM的效能時，我們必須綜合考慮以上三個指標不能僅從晶片上所刻的-6，-7，-8或-10來評價。
時鐘週期
也就是一旦晶片廠商稱其產品為PC-100。其晶片符合PC-100的標準。那麼-6，-7，-10就只是一個符號。並不說明-6比-7快。因此，三星（SAMSUNG）為了防止人們的誤解，不再用這個資料代表存取時間。