Gate to Source: 柵源電壓Drain to source：漏源電壓區別不太大，主要是摻雜不同，之間還存在溝道，當然MOSFET和三極體還有很多不同，找了些資料，僅供參考如下：三極體用於功率應用電路中時，有很多侷限性，雖然在一些電器中仍能採用雙極型三極體，但是它們的用途實際上被限制到小於10KHZ的電路，並且在整體效率成為關鍵引數的技術前沿應用中，它們已基本全部退出。BJT是少數載流子器件，而所有少數載流子器件相關的儲存電荷問題限制了最大工作速度，而MOSFET的主要優勢是作為多數載流子器件，不存在少數載流子儲存電荷問題，因此，其工作頻率要高的多，MOSFET的開關延遲特性完全是因為寄生電容的充放電。由於器件在開關狀態的持續時間內既有大電流又有高電壓，器件工作速度快，其損耗的能量就較少，僅這一個優勢就能彌補高壓MOSFET存在的導通損耗稍高的問題。雙極型三極體受電流驅動，因為增益隨集電極電流的增加而大幅度降低，我們要驅動的電流越大，則我們需要提供的電流也越大，在高溫的情況下會加重，需要更大的電流，這不但使三極體消耗大量的功率，還會使其需要能夠快速泵出和吸收電流的相當複雜的基極驅動電路，相比之下，MOSFET在柵極實際上消耗的電流基本為零，甚至在1250C的典型柵極電流都小於100nA。一旦寄生電容被充電，由驅動電路提供的電流就非常低，其驅動電路也極為簡單。MOSFET另外一個優點是不存在二次損壞機制，具有比較寬的SOA，而由於BJT導通電阻是負溫度係數，高溫下會流入更多的電流，最終出現不可逆轉的破壞，而MOSFET能夠應用於一段短時間內的大電流和高電壓，這就避免了二次擊穿對器件超成的破壞，同時，MOSFET導通電阻具有正的溫度係數，比BJT相比，更容易並聯使用。MOSFET內部寄生的二極體使其在電感負載開關應用中，不需要增加額外的成本就能起到箝位二極體的作用。
Gate to Source: 柵源電壓Drain to source：漏源電壓區別不太大，主要是摻雜不同，之間還存在溝道，當然MOSFET和三極體還有很多不同，找了些資料，僅供參考如下：三極體用於功率應用電路中時，有很多侷限性，雖然在一些電器中仍能採用雙極型三極體，但是它們的用途實際上被限制到小於10KHZ的電路，並且在整體效率成為關鍵引數的技術前沿應用中，它們已基本全部退出。BJT是少數載流子器件，而所有少數載流子器件相關的儲存電荷問題限制了最大工作速度，而MOSFET的主要優勢是作為多數載流子器件，不存在少數載流子儲存電荷問題，因此，其工作頻率要高的多，MOSFET的開關延遲特性完全是因為寄生電容的充放電。由於器件在開關狀態的持續時間內既有大電流又有高電壓，器件工作速度快，其損耗的能量就較少，僅這一個優勢就能彌補高壓MOSFET存在的導通損耗稍高的問題。雙極型三極體受電流驅動，因為增益隨集電極電流的增加而大幅度降低，我們要驅動的電流越大，則我們需要提供的電流也越大，在高溫的情況下會加重，需要更大的電流，這不但使三極體消耗大量的功率，還會使其需要能夠快速泵出和吸收電流的相當複雜的基極驅動電路，相比之下，MOSFET在柵極實際上消耗的電流基本為零，甚至在1250C的典型柵極電流都小於100nA。一旦寄生電容被充電，由驅動電路提供的電流就非常低，其驅動電路也極為簡單。MOSFET另外一個優點是不存在二次損壞機制，具有比較寬的SOA，而由於BJT導通電阻是負溫度係數，高溫下會流入更多的電流，最終出現不可逆轉的破壞，而MOSFET能夠應用於一段短時間內的大電流和高電壓，這就避免了二次擊穿對器件超成的破壞，同時，MOSFET導通電阻具有正的溫度係數，比BJT相比，更容易並聯使用。MOSFET內部寄生的二極體使其在電感負載開關應用中，不需要增加額外的成本就能起到箝位二極體的作用。