晶片越小，做的電子產品越精緻。比方講以前一個晶片要做一個火柴盒大小，那裝這個火柴盒的手機或電腦裝置的尺寸就很大；那如果把晶片做成跟指甲蓋一樣大小呢？那裝這手機或電腦的裝置就實現了超薄，更加美觀大方。再比如以前火柴盒大小的晶片上只能放10億個電晶體，而現在指甲蓋大小的晶片上卻可以放100億個電晶體，那現在的晶片就比以前的晶片運算精度以及能效比會更好。奈米級的晶片就是講晶片工藝體積的大小。數字越小，體積越精細，科技含量越高

所謂的XX nm其實指的是，CPU上形成的互補氧化物金屬半導體場效應電晶體柵極的寬度，也被稱為柵長。

柵長越短，則可以在相同尺寸的矽片上整合更多的電晶體——Intel曾經宣稱將柵長從130nm減小到90nm時，電晶體所佔面積將減小一半；在晶片電晶體整合度相當的情況下，使用更先進的製造工藝，晶片的面積和功耗就越小，成本也越低。

晶片的製造工藝常常用90nm、65nm、40nm、28nm、22nm、14nm來表示。現在的CPU內集成了以億為單位的電晶體，這種電晶體由源極、漏極和位於他們之間的柵極所組成，電流從源極流入漏極，柵極則起到控制電流通斷的作用。

nm是指晶片晶體元件的最小間隔，間隔越小元件密度越大，相同面積下算力越強；同時通過電流減小，發熱減小功耗降低。

多少奈米指的是整合電晶體工藝的解析度，如果是7nm的工藝，那麼在晶片上，用製造電晶體的工藝畫兩根線，這兩根線之間的距離最低只能做到7nm，再低就畫不出來了，但並不意味著只能畫最小7nm的結構，你可以畫得比這個大。我們讀書的時候，最先進的工藝才45nm，這個定義標準基本上還是對應得上的，後來工藝進步後出現了很多其他問題，比如蝕刻和離子注入時，在尺寸比較大的時候，基本上是和設計圖上一樣的，而到了尺寸越來越小的時候，你就會發現比如蝕刻得和光刻的會有點兒偏差啊，離子擴散的邊緣不那麼準確啊之類的問題，為了應付這些問題，又得回頭修改設計和工藝，然後各種結構就未必和多少奈米工藝的名字對應得上了。