晶體場分裂能的大小與配位化合物的幾何構型、配位體電場強度和中心原子(離子)電荷及週期位置有關。分裂能和電子成對能決定配位化合物。將一個孤立的過渡金屬離子放到正八面體配位的晶體中時，五個d軌道都受到配位體負電荷的排斥，軌道的總能級提高。由於在正八面體配位場中配位體質點處於直角座標的三個垂直軸的方向，故dr軌道電子雲的瓣指向配位體，使兩個dr軌道電子的被排斥力比de軌道電子的被排斥力大，dr軌道電子的能級要比dε軌道電子的能級升高得更多，dr軌道電子能級與dε軌道電子能級間的能量差。擴充套件資料：晶體場理論只能適用於離子晶體礦物，如矽酸鹽、氧化物等。在負電荷的晶體場中，過渡金屬中心陽離子d軌道的能級發生變化。這種變化取決於晶體場的強度（周圍配位體的型別）和電場的配位性（配位體的對稱性）。中心離子與配體之間看作純粹的靜電作用。中心原子是帶正電的點電荷，配體（或配位原子）是帶負電的點電荷。它們之間的作用猶如離子晶體中正、負離子之間的離子鍵，是純粹的靜電吸引和排斥，並不形成共價鍵。中心原子的5 個能量相同的d 軌道在周圍配體所形成的負電場的作用下，能級發生分裂。有些d 軌道能量升高，有些d軌道能量則降低。由於d 軌道能級的分聚，中心原子d 軌道上的電子將重新排布，優先佔據能量較低的軌道，使系統的總能裡有所降低，配合物更穩定。