這個問題怎麼說呢，不止是矽，其實所有的物體的電導率都是和溫度有一定關係的。而矽作為半導體材料中的重要一環，被各國科研人員廣泛研究，所有才會變得具有代表性吧。

可能有人已經猜到我要講的東西了，那就是特魯德模型理論（更多的適用於金屬）。至於和矽有關的半導體的話在下文會詳細解釋。大家如果覺得難懂可以直接下拉看加粗字型的結論。

首先根據歐姆定律，流經金屬導體的電流密度 j 和施加在導體上的電場強度 E 成正比。

故得出公式：

在外場作用下，設兩次碰撞之間的時間間隔為t，則電子獲得的附加速度為

透過實驗測得電阻率, 可得平均自由時間：

而平均自由時間，就是自由電子兩次碰撞之間的時間。

大家都知道分子的碰撞激烈程度會隨溫度而改變。因此，自由電子兩次碰撞的時間也會隨溫度而改變。結果顯而易見，電導率是隨溫度變化而變化的。

但是矽不是金屬，它介於金屬和絕緣體之間，是半導體。它如果要科學的解釋的話是不能依靠金屬導電理論的。它們之間的差別可以用下圖來解釋：

而半導體的導電原理，就是價帶上出現空穴，導帶上出現電子。這些載流子是導電的原因，和金屬的自由電子模型是不同的。而隨溫度的關係，可以透過能帶理論等來解釋。簡單來說，溫度升高，電子由滿價帶躍遷到空導帶，載流子濃度升高，從而導電。電子的躍遷能力和溫度有關，所以影響電導率。

下面就是有關本徵半導體電導率和溫度關係計算公式的推導（其它P摻雜N摻雜也可以計算，大家有興趣的話自己搜尋）

本徵載流子濃度隨溫度升高而迅速增大，但是到了高溫（1600℃），完全激發，會出現下降的趨勢，這時候和金屬有點類似。

總結一下，矽的電導率離不開載流子。溫度升高載流子濃度增大，但是到達極限後（完全激發）會降低。這個就是矽的電導率隨溫度變化的原因。