目前能量產的晶片是7奈米的，據三星第一季度財報表示第二季度會量產5奈米的晶片，臺積電今年肯定也會量產5奈米的晶片，業界3奈米的晶片正在研發中，按照這個節奏，肯定是會達到一個物理極限！那接下來會往哪些方向走呢？大概說一下業界可行的一個設計方案，還有現在學術界在研究的一些方向！

歷經了MOSFET、FinFET的發展，到了3奈米及以下就用到GAA工藝，其實這種工藝也是在FinFET的基礎上做的改進，而FinFET是在MOSFET的基礎上改進的！本質上都是通過控制有效的gate接觸面積來縮短漏極和源極之間的距離以致於達到單位面積內整合更多器件的目的！

三星和臺積電已經可以量產7nm晶片。高通驍龍855以及華為麒麟980都是7nm製程的。

不過大家熟知的”摩爾極限“問題依然在困擾著半導體相關研究者們。前兩年我們講7nm是半導體工藝的極限不可能被突破，但只是受限於當時的技術。因為到了7nm節點即使是finfet也不足以在保證效能的同時抑制漏電，所以工業界用砷化銦鎵取代了單晶矽溝道來提高器件效能，解決了這個問題，實現了7nm晶片的量產。

不過，瓶頸依然存在，以後如何發展還是個嚴重的問題，不過最近三星提出一個新的計劃是”次世代電晶體架構（GAA）”，表明了3nm晶片的一個方案。不過具體可不可行，還需要驗證。量產更是三四年後的事情了。

矽原子半徑是0.2nm，所以1nm基本是矽晶片的極限了，除非能用原子半徑更小的材料做載體。而且1nm工藝即使研發出來很可能也沒有商業價值，一是發熱問題難以解決晶片不能做得過大，如果被迫縮小晶片體積就失去了研發更高製程的意義了。二是良品率可能不高導致價格極高。未來只有另闢蹊徑才行

三奈米和一奈米的晶片研發已經提上日程了，但是這之後，晶片製程在小下去，就會碰到量子隧道效應，簡單來說就是電子不走尋常路了，所以控制不了了，所以下一步，全世界的目標就放在光晶片研發上了，如果量子計算機研發取得突破那就更好

奈米一奈米等於百萬分之一毫米，肉眼是看清的，未來的微電子管個電做到三奈米應該行，但此技術就看那個國家領先了，聽說中國上海有家工廠能生產五十奈米的電晶體

其實手機晶片的核心是簡單核心的，還有就是手機晶片上電晶體數量上和PC端的晶片沒法比，主要是散熱問題沒法解決。我覺得現在的手機晶片已經到天花板了。除非有革命性的新半導體材料出現，不然不會有太大的進步了。現在5奈米晶片手機都5000元起步了，3奈米還不得8000元起步了。再說1奈米已經很接近原子半徑了，訊號還怎麼傳播，漏電怎麼解決。

科技在進步，一百年一千年，一萬年以後是什麼樣的，一百萬年誰也無法預測，科技是永無止境的發展，所以你提的問題我想說一定能，只是時間問題，或許到時候不用現在的晶片了，可能有更先進的儲存方式了，就好比原來拍照都要底片，才能洗出照片，現在手機一拍，直接打印出來了。

未來的晶片不是固態的，可能是膠體態的晶片，內部組織轉化為多個各種功能的細胞組成，突凸的神經細胞絲代替固態金屬絲，膠體內含各功能球形小膠體細胞，不是人體細胞，有老化和代謝性質，未來晶片以生物電做能源，膠體震盪是動能電的本能，未來的矽膠也可能象砂子的石英有壓電效應，產生電子，這種自帶電能的未來晶片膠體，是隨機可變形，不受外部限制的，

科技的發展必定帶來技術的突破，3奈米、1奈米晶片的出現是遲早的事，奈米之後應該還有皮米、飛米、阿米，不過這個過程有可能持續時間比較長，畢竟以目前的科學技術發展來看，只有革命興的突破才可能實現，我們還需要技術的積澱才行。

原子直徑在0.1nm這個量級，間距做到十個原子就是極限了，最多也就做到1nm，還得看實測的效果，一定的穩定性可靠性下，可能2nm就到極限了。