PVD(Physical Vapor Deposition)，指利用物理過程實現物質轉移，將原子或分子由源轉移到基材表面上的過程。它的作用是可以使某些有特殊效能（強度高、耐磨性、散熱性、耐腐性等）的微粒噴塗在效能較低的母體上，使得母體具有更好的效能。 PVD基本方法：真空蒸發、濺射 、離子鍍（空心陰極離子鍍、熱陰極離子鍍、電弧離子鍍、活性反應離子鍍、射頻離子鍍、直流放電離子鍍）。 技術倫理： PVD是英文Physical Vapor Deposition（物理氣相沉積）的縮寫，是指在真空條件下，採用低電壓、大電流的電弧放電技術，利用氣體放電使靶材蒸發並使被蒸發物質與氣體都發生電離，利用電場的加速作用，使被蒸發物質及其反應產物沉積在工件上。 圖層技術： 增強型磁控陰極弧：陰極弧技術是在真空條件下，透過低電壓和高電流將靶材離化成離子狀態，從而完成薄膜材料的沉積。增強型磁控陰極弧利用電磁場的共同作用，將靶材表面的電弧加以有效地控制，使材料的離化率更高，薄膜效能更加優異。 過濾陰極弧：過濾陰極電弧(FCA )配有高效的電磁過濾系統，可將離子源產生的等離子體中的宏觀粒子、離子團過濾乾淨，經過磁過濾後沉積粒子的離化率為100%，並且可以過濾掉大顆粒， 因此製備的薄膜非常緻密和平整光滑，具有抗腐蝕效能好，與機體的結合力很強。 磁控濺射：在真空環境下，透過電壓和磁場的共同作用，以被離化的惰性氣體離子對靶材進行轟擊，致使靶材以離子、原子或分子的形式被彈出並沉積在基件上形成薄膜。根據使用的電離電源的不同，導體和非導體材料均可作為靶材被濺射。 離子束DLC：碳氫氣體在離子源中被離化成等離子體，在電磁場的共同作用下，離子源釋放出碳離子。離子束能量透過調整加在等離子體上的電壓來控制。碳氫離子束被引到基片上，沉積速度與離子電流密度成正比。星弧塗層的離子束源採用高電壓，因而離子能量更大，使得薄膜與基片結合力很好；離子電流更大，使得DLC膜的沉積速度更快。離子束技術的主要優點在於可沉積超薄及多層結構，工藝控制精度可達幾個埃，並可將工藝過程中的顆料汙染所帶來的缺陷降至最小。
PVD(Physical Vapor Deposition)，指利用物理過程實現物質轉移，將原子或分子由源轉移到基材表面上的過程。它的作用是可以使某些有特殊效能（強度高、耐磨性、散熱性、耐腐性等）的微粒噴塗在效能較低的母體上，使得母體具有更好的效能。 PVD基本方法：真空蒸發、濺射 、離子鍍（空心陰極離子鍍、熱陰極離子鍍、電弧離子鍍、活性反應離子鍍、射頻離子鍍、直流放電離子鍍）。 技術倫理： PVD是英文Physical Vapor Deposition（物理氣相沉積）的縮寫，是指在真空條件下，採用低電壓、大電流的電弧放電技術，利用氣體放電使靶材蒸發並使被蒸發物質與氣體都發生電離，利用電場的加速作用，使被蒸發物質及其反應產物沉積在工件上。 圖層技術： 增強型磁控陰極弧：陰極弧技術是在真空條件下，透過低電壓和高電流將靶材離化成離子狀態，從而完成薄膜材料的沉積。增強型磁控陰極弧利用電磁場的共同作用，將靶材表面的電弧加以有效地控制，使材料的離化率更高，薄膜效能更加優異。 過濾陰極弧：過濾陰極電弧(FCA )配有高效的電磁過濾系統，可將離子源產生的等離子體中的宏觀粒子、離子團過濾乾淨，經過磁過濾後沉積粒子的離化率為100%，並且可以過濾掉大顆粒， 因此製備的薄膜非常緻密和平整光滑，具有抗腐蝕效能好，與機體的結合力很強。 磁控濺射：在真空環境下，透過電壓和磁場的共同作用，以被離化的惰性氣體離子對靶材進行轟擊，致使靶材以離子、原子或分子的形式被彈出並沉積在基件上形成薄膜。根據使用的電離電源的不同，導體和非導體材料均可作為靶材被濺射。 離子束DLC：碳氫氣體在離子源中被離化成等離子體，在電磁場的共同作用下，離子源釋放出碳離子。離子束能量透過調整加在等離子體上的電壓來控制。碳氫離子束被引到基片上，沉積速度與離子電流密度成正比。星弧塗層的離子束源採用高電壓，因而離子能量更大，使得薄膜與基片結合力很好；離子電流更大，使得DLC膜的沉積速度更快。離子束技術的主要優點在於可沉積超薄及多層結構，工藝控制精度可達幾個埃，並可將工藝過程中的顆料汙染所帶來的缺陷降至最小。