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場效電晶體FET是統稱，以區別於普通三極體。場效電晶體有兩種，MOSFET和JFET. 由於MOSFET較常見，籠統認為場效電晶體就是MOS管問題也不大。三極體是電流控制的電流源，場效電晶體是電壓控制的電流源。PMOS對應P型，NMOS對應N型。MOS管有耗盡型和增強型，JFET只有耗盡型。在高輸入阻抗低噪音小訊號電壓放大器應用領域，以JFET為主。在大電流輸出應用方面，以增強型NMOS為主。
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場效電晶體和MOS管不是一回事，MOS管可以說是場效電晶體的一種，除此之外場效電晶體還包括結型管，具體關係可以參考下圖
既然提到了場效應管幹脆把這個關係給搞清楚，這裡種類確實還挺多的，MOS管又可細分為增強型和耗盡型。
每種對應管子又可分為N型管和P型管，所以如果繼續細分下去場效電晶體一共可以分為6中，如下圖所示。從上到下這6種場效電晶體的名稱依次為
N溝道結型場效電晶體，P溝道結型場效電晶體，N溝道增強型場效電晶體，P溝道增強型場效電晶體，N溝道耗盡型場效電晶體，P溝道耗盡型場效電晶體。
這下搞清楚了吧！
MOS管是場效電晶體的一種，場效電晶體一般分為MOSFET和JFET。所謂MOSFET是指金氧半導體場效應電晶體；而JFET是結型場效應電晶體。目前主要使用MOSFET。場效電晶體是利用輸入的電壓來控制輸出電流的一種半導體器件，屬於壓控型器件。下面簡單介紹一下MOSFET和JFET。
場效電晶體之一：MOSFETMOSFET有三個電極，分別為漏極D、源極S和柵極G，按照溝道的材料可以分為NMOS和PMOS，按照導電方式可以分為耗盡型和增強型。以NMOS為例，NMOS以P型半導體矽作為襯底，在表面上做了兩個N型區域，再鋪上一層絕緣層。兩個N型區域引出漏極和源極，在絕緣層上引出柵極，其結構如下圖所示。
MOSFET可以分為NMOS和PMOS，其電路符號如下圖所示。圖中的二極體叫做體二極體。
場效電晶體之二：JFETJFET是結型場效電晶體，這裡的結是指PN接面，結型場效電晶體按照結構分類可以分為N溝道結型場效電晶體和P溝道結型場效電晶體，在N型半導體的兩側加入兩個P型半導體，由此形成了兩個PN接面，把兩個P型半導體連線後形成一個電極叫做柵極G。JFET的結構和電路符號如下圖所示。
MOSFET和JFET都是場效電晶體，都是電壓型控制器件，兩者的輸入阻抗非常高，一般來說MOSFET比JFET要高。目前常用的場效電晶體是MOSFET。