大家都知道，光刻機是晶片製造過程當中一個重要的環節，光刻機直接決定著晶片的質量。而中國作為全球最大的晶片消費國之一，每年進口的晶片都達到幾萬億人民幣。

雖然最近十幾年中國一直在致力於研究光刻機，但是取得的成果並不是很明顯，目前中國光刻機最高技術也就上海微電子所生產的90nm光刻機。除此之外，目前合肥芯碩半導體公司也具備量產200nm光刻機的實力，無錫影幻半導體公司也具備200nm光刻機量產的實力。

但是目前這些中國產光刻機企業跟asml、尼康等具備28nm以上工藝光刻機的企業相比，差距還是比較大的，尤其是跟asml7nmEUV的差距更大。

表面上看，90nm跟28nm或者是7nm從數字上來看差距不是很大，但實際上這裡面是千差萬別的，光刻機每上一個臺階技術難度就會大大增加，可能從90nm升級到65nm並不難，但是從65nm升級到45nm，就是一個技術節點了，45nm的光刻機技術明顯要比90nm和65nm難很多，至於28nm、14nm和7nm，甚至未來有可能出現的3nm，那難度就更大了，也正因為如此，中國的光刻機的研發進度一直都比較緩慢。

而目前製造高階光刻機所需要的一些零部件外國都是對中國進行技術封鎖的，中國又並不具備單獨生產這些高階零部件的實力，這也是為什麼中國光刻機長期停滯在90mm，很難有突破的重要原因。

好在天無絕人之路，任何困難都阻擋不了中國實現晶片獨立自主的夢想，經過多年的研發和積累之後，最近幾年中國光刻機的研發成果取得了比較喜人的成績。

比如2018年8月份，清華大學的研究團隊研發出了雙工作臺光刻機，這使得中國成為全球第二個具備開發雙工作臺光刻機的國家。這種雙工作臺光刻機的研發難度是非常大的，失敗的風險非常高，之前有很多國家都曾經做過試驗，但基本上都半途而廢了。

到了2019年之後，中國的晶片研發又向前推進了一步，2019年4月，武漢光電國家技術研究中心甘棕鬆團隊採用二束鐳射在自主研發的光刻膠上突破了光束衍射極限，採用遠場光學的辦法，成功刻出9nm線寬的線段，實現了從超分辨成像到超衍射極限光刻製造的重大創新，這個技術突破讓中國打破了三維納米制造的國外技術壟斷，在這個全新的技術領域內，中國從材料、軟體到光機電零部件都不再受制於人，使得中國的光刻機技術又向前邁進了一步。

光刻就是把晶片製作所需要的線路與功能區做出來。利用光刻機發出的光通過具有圖形的光罩對塗有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光後會發生性質變化，從而使光罩上得圖形影印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用。這就是光刻的作用，類似照相機照相。照相機拍攝的照片是印在底片上，而光刻刻的不是照片，而是電路圖和其他電子元件。

光刻技術是一種精密的微細加工技術。常規光刻技術是採用波長為2000～4500埃的紫外光作為影象資訊載體，以光致抗光刻技術蝕劑為中間（影象記錄）媒介實現圖形的變換、轉移和處理，最終把影象資訊傳遞到晶片(主要指矽片)或介質層上的一種工藝。

在廣義上，光刻包括光復印和刻蝕工藝兩個主要方面：

1、光復印工藝：經曝光系統將預製在掩模版上的器件或電路圖形按所要求的位置，精確傳遞到預塗在晶片表面或介質層上的光致抗蝕劑薄層上。

2、刻蝕工藝：利用化學或物理方法，將抗蝕劑薄層未掩蔽的晶片表面或介質層除去，從而在晶片表面或介質層上獲得與抗蝕劑薄層圖形完全一致的圖形。積體電路各功能層是立體重疊的，因而光刻工藝總是多次反覆進行。例如，大規模積體電路要經過約10次光刻才能完成各層圖形的全部傳遞。

光刻技術在狹義上，光刻工藝僅指光復印工藝。

光刻技術的發展

1947年，貝爾實驗室發明第一隻點接觸電晶體。從此光刻技術開始了發展。

1959年，世界上第一架電晶體計算機誕生，提出光刻工藝，快捷半導體研製世界第一個適用單結構矽晶片。

1960年代，仙童提出CMOS IC製造工藝，第一臺IC計算機IBM360，並且建立了世界上第一臺2英寸積體電路生產線，美國GCA公司開發出光學圖形發生器和分佈重複精縮機。

1970年代，GCA開發出第一臺分佈重複投影曝光機，積體電路圖形線寬從1.5μm縮小到0.5μm節點。

1980年代，美國SVGL公司開發出第一代步進掃描投影曝光機，積體電路圖形線寬從0.5μm縮小到0.35μm節點。

1990年代，n1995年，Cano著手300mm晶圓曝光機，推出EX3L和5L步進機； ASML推出FPA2500，193nm波長步進掃描曝光機。光學光刻解析度到達70nm的“極限”。

2000年以來，在光學光刻技術努力突破解析度“極限”的同時，NGL正在研究，包括極紫外線光刻技術，電子束光刻技術，X射線光刻技術，奈米壓印技術等。

光學光刻技術

光學光刻是通過廣德照射用投影方法將掩模上的大規模積體電路器件的結構圖形畫在塗有光刻膠的矽片上，通過光的照射，光刻膠的成分發生化學反應，從而生成電路圖。限制成品所能獲得的最小尺寸與光刻系統能獲得的解析度直接相關，而減小照射光源的波長是提高解析度的最有效途徑。因為這個原因，開發新型短波長光源光刻機一直是各個國家的研究熱點。

除此之外，根據光的干涉特性，利用各種波前技術優化工藝引數也是提高解析度的重要手段。這些技術是運用電磁理論結合光刻實際對曝光成像進行深入的分析所取得的突破。其中有移相掩膜、離軸照明技術、鄰近效應校正等。運用這些技術，可在目前的技術水平上獲得更高解析度的光刻圖形。

20世紀70—80年代，光刻裝置主要採用普通光源和汞燈作為曝光光源，其特徵尺寸在微米級以上。90年代以來，為了適應IC整合度逐步提高的要求，相繼出現了g譜線、h譜線、I譜線光源以及KrF、ArF等準分子鐳射光源。目前光學光刻技術的發展方向主要表現為縮短曝光光源波長、提高數值孔徑和改進曝光方式。

移相掩模

光刻解析度取決於照明系統的部分相干性、掩模圖形空間頻率和襯比及成象系統的數值孔徑等。相移掩模技術的應用有可能用傳統的光刻技術和i線光刻機在最佳照明下刻劃出尺寸為傳統方法之半的圖形，而且具有更大的焦深和曝光量範圍。相移掩模方法有可能克服線/間隔圖形傳統光刻方法的侷限性。

隨著移相掩模技術的發展,湧現出眾多的種類, 大體上可分為交替式移相掩膜技術、衰減式移相掩模技術；邊緣增強型相移掩模, 包括亞解析度相移掩模和自對準相移掩模；無鉻全透明移相掩模及複合移相方式( 交替移相+ 全透明移相+ 衰減移相+ 二元鉻掩模) 幾類。尤其以交替型和全透明移相掩模對解析度改善最顯著, 為實現亞波長光刻創造了有利條件。

全透明移相掩模的特點是利用大於某寬度的透明移相器圖形邊緣光相位突然發生180度變化, 在移相器邊緣兩側衍射場的干涉效應產生一個形如“刀刃”光強分佈, 並在移相器所有邊界線上形成光強為零的暗區, 具有微細線條一分為二的分裂效果, 使成像解析度提高近1 倍。

光學曝光技術的潛力, 無論從理論還是實踐上看都令人驚歎, 不能不刮目相看。其中利用控制光學曝光過程中的光位相引數, 產生光的干涉效應,部分抵消了限制光學系統解析度的衍射效應的波前面工程為代表的解析度增強技術起到重要作用, 包括: 移相掩模技術、光學鄰近效應校正技術、離軸照明技術、光瞳空間濾波技術、駐波效應校正技術、離焦迭加增強曝光技術、表面成像技術及多級膠結構工藝技術。在實用化方面取得最引人注目進展的要數移相掩模技術、光學鄰近效應校正技術和離軸照明技術, 尤其浸沒透鏡曝光技術上的突破和兩次曝光技術的應用, 為解析度增強技術的應用更創造了有利條件。

電子束光刻

電子束光刻技術是微型技術加工發展的關鍵技術,他在納米制造領域中起著不可替代的作用。電子束光刻主要是刻畫微小的電路圖，電路通常是以奈米微單位的。電子束光刻技術不需要掩膜，直接將會聚的電子束斑打在表面塗有光刻膠的襯底上。

電子束光刻技術要應用於奈米尺度微小結構的加工和積體電路的光刻，必須解決幾個關鍵的技術問題：電子束高精度掃描成像曝光效率低;電子在抗蝕劑和基片中的散射和背散射現象造成的鄰近效應；在實現奈米尺度加工中電子抗蝕劑和電子束曝光及顯影、刻蝕等工藝技術問題。

實踐證明,電子束鄰近效應校正技術、電子束曝光與光學曝光系統的匹配和混合光刻技術及抗蝕劑曝光工藝優化技術的應用，是一種提高電子束光刻系統實際光刻分辨能力非常有效的辦法。電子束光刻最主要的就是金屬化剝離，第一步是在光刻膠表面掃描到自己需要的圖形。第二部是將曝光的圖形進行顯影，去除未曝光的部分，第三部在形成的圖形上沉澱金屬，第四部將光刻膠去除，在金屬剝離的過程中，關鍵在於光刻工藝的膠型控制。最好使用厚膠，這樣有利於膠劑的滲透，形成清晰的形貌。

聚焦粒子束光刻

聚焦離子束(Focused Ion beam, FIB)的系統是利用電透鏡將離子束聚焦成非常小尺寸的顯微切割儀器，她的原理與電子束光刻相近，不過是有電子變成離子。目前商業用途系統的離子束為液態金屬離子源，金屬材質為鎵，因為鎵元素具有熔點低、低蒸氣壓、及良好的抗氧化力；典型的離子束顯微鏡包括液相金屬離子源、電透鏡、掃描電極、二次粒子偵測器、5-6軸向移動的試片基座、真空系統、抗振動和磁場的裝置、電子控制面板、和計算機等硬裝置，外加電場於液相金屬離子源 可使液態鎵形成細小尖端，再加上負電場(Extractor) 牽引尖端的鎵，而匯出鎵離子束，在一般工作電壓下，尖端電流密度約為1埃10-8 Amp/cm2，以電透鏡聚焦，經過一連串變化孔徑 (Automatic Variable Aperture, AVA)可決定離子束的大小，再經過二次聚焦至試片表面，利用物理碰撞來達到切割之目的。

在成像方面，聚焦離子束顯微鏡和掃描電子顯微鏡的原理比較相近，其中離子束顯微鏡的試片表面受鎵離子掃描撞擊而激發出的二次電子和二次離子是影像的來源，影像的解析度決定於離子束的大小、帶電離子的加速電壓、二次離子訊號的強度、試片接地的狀況、與儀器抗振動和磁場的狀況，目前商用機型的影像解析度最高已達 4nm，雖然其解析度不及掃描式電子顯微鏡和穿透式電子顯微鏡，但是對於定點結構的分析，它沒有試片製備的問題，在工作時間上較為經濟。

聚焦離子束投影曝光除了前面已經提到的曝光靈敏度極高和沒有鄰近效應之外還包括焦深大於曝光深度可以控制。離子源發射的離子束具有非常好的平行性，離子束投影透鏡的數值孔徑只有0.001，其焦深可達100μm，也就是說，矽片表面任何起伏在100μm之內，離子束的分辨力基本不變。而光學曝光的焦深只有1～2μm為。她的主要作用就是在電路上進行修補 ，和生產線製成異常分析或者進行光阻切割。

EUV 光刻技術

在微電子技術的發展歷程中，人們一直在研究開發新的IC製造技術來縮小線寬和增大晶片的容量。我們也普遍的把軟X射線投影光刻稱作極紫外投影光刻。在光刻技術領域我們的科學家們對極紫外投影光刻EUV技術的研究最為深入也取得了突破性的進展，使極紫外投影光刻技術最有希望被普遍使用到以後的積體電路生產當中。它支援22nm以及更小線寬的積體電路生產使用。

EUV是目前距實用化最近的一種深亞微米的光刻技術。波長為157nm的準分子鐳射光刻技術也將近期投入應用。如果採用波長為13nm的EUV，則可得到0.1um的細條。

在1985年左右已經有前輩們就EUV技術進行了理論上的探討並做了許多相關的實驗。近十年之後微電子行業的發展受到重重阻礙才致人們有了憂患意識。並且從微電子技術的發展過程能判斷出，若不早日推出極紫外光刻技術來對當前的晶片製造方法做出全面的改進，將使整個晶片工業處在岌岌可危的地步。

EUV系統主要由四部分構成：極端紫外光源；反射投影系統；光刻模板（mask）；能夠用於極端紫外的光刻塗層（photo-resist）。

極端紫外光刻技術所使用的光刻機的對準套刻精度要達到10nm，其研發和製造原理實際上和傳統的光學光刻在原理上十分相似。對光刻機的研究重點是要求定位要極其快速精密以及逐場調平調焦技術，因為光刻機在工作時拼接圖形和步進式掃描曝光的次數很多。不僅如此入射對準光波訊號的採集以及處理問題還需要解決。

EUV技術當前狀況

EUV技術的進展還是比較緩慢的，而且將消耗大量的資金。儘管目前很少廠商將這項技術應用到生產中，但是極紫外光刻技術卻一直是近些年來的研究熱點，所有廠商對這項技術也都充滿了期盼，希望這項技術能有更大的進步，能夠早日投入大規模使用。

各家廠商都清楚，半導體工藝嚮往下刻，使用EUV技術是必須的。波長越短，頻率越高，光的能量正比於頻率，反比于波長。但是因為頻率過高，傳統的光溶膠直接就被打穿了。現在，半導體工藝的發展已經被許多物理學科從各個方面制約了。

在45nm工藝的蝕刻方面，EUV技術已經展現出一些特點所以現在EVU技術要突破，從外部支援來講，要換光溶膠，但是合適的一直沒找到[3]。而從EUV技術自身來講，同時儘可能的想辦法降低輸出能量。

目前EUV光刻技術存在的問題

1、造價太高，高達6500萬美元，比193nm ArF浸沒式光刻機貴；

2、未找到合適的光源；

3、沒有無缺陷的掩模；

4、未研發出合適的光刻膠；

5、人力資源缺乏；

6、能用於22nm工藝早期開發工作。

EUV光刻技術前景

在摩爾定律的規律下，以及在如今科學技術快速發展的資訊時代，新一代的光刻技術就應該被選擇和研究，在當前微電子行業最為人關注，而在這些高新技術當中，極紫外光刻與其他技術相比又有明顯的優勢。極紫外光刻的解析度至少能達到30nm以下,且更容易收到各積體電路生產廠商的青睞，因為極紫外光刻是傳統光刻技術的拓展，同時積體電路的設計人員也更喜歡選擇這種全面符合設計規則的光刻技術。極紫外光刻技術掩模的製造難度不高，具有一定的產量優勢。

EUV光刻技術裝置製造成本十分高昂，包括掩模和工藝在內的諸多方面花費資金都很大。同時極紫外光刻光學系統的設計和製造也極其複雜，存在許多尚未解決的技術問題，但對這些難關的解決方案正在研究當中，一旦將這些難題解決，極紫外光刻技術在大規模積體電路生產應用過程中就不會有原理性的技術難關了。

X射線光刻技術

1895年，德國物理學家倫琴首先發現了X射線，也因此獲得了諾貝爾物理學獎。X射線是一種與其他粒子一樣具有波粒二象性的電磁波，可以是重原子能級躍遷或著是加速電子與電磁場耦合輻射的產物。X射線的波長極短，1972年X射線被最早提出用於光刻技術上，X射線在用於光刻時的波長通常在0.7到0.12nm之間，它極強的穿透性決定了它在厚材料上也能定義出高解析度的圖形。

X射線光刻基礎工藝

X射線波長極短，使得其不會發生嚴重的衍射現象。我們在使用X射線進行曝光時對波長的選擇是受到一定因素限制的，在曝光過程中，光刻膠會吸收X射線光子，而產生射程隨X射線波長變化而相繼改變的光電子，這些光電子會降低光刻解析度，X射線的波長越短，光電子的射程越遠，對光刻越不利。因此增加X射線的波長有助於提高光刻解析度。然而長波長的X射線會加寬圖形的線寬，考慮多種因素的影響，通常只能折中選擇X射線的波長。

今年來的研究發現，當圖形的線寬小到一定程度時（一般為0.01μm以下），被波導效應影響，最終得到的圖形線寬要小於實際掩模圖形，因此X光刻解析度也受到掩模版與晶圓間距大小的影響。

除此之外，還需要大量的實驗研究來解決X射線光刻圖形微細加工時對圖形質量造成影響的諸多因素。

射線光刻掩模

在後光學光刻的技術中，其最主要且最困難的技術就是掩模製造技術，其中1：1的光刻非常困難，是妨礙技術發展的難題之一。所以說，我們認為掩模開發是對於其應用於工業發展的重要環節，也是決定成敗的關鍵。在過去的發展中，科學家對其已經得到了巨大的發展，也有一些新型材料的發現以及應用，有一些已經在實驗室中得以實踐，但對於工業發展還是沒有什麼重大的成就。

X射線掩模的基本結構包括薄膜、吸收體、框架、襯底，其中薄膜襯基材料一般使用Si、SiC、金剛石。吸收體主要使用金、鎢等材料，其結構圖如圖所示：

對於掩模的效能要求如下：

1、要能夠使X射線以及其他光線的有效透過，且保障其有足夠的機械強度，具有高的X射線的吸收性，且要足夠厚。

2、保障其高寬比的量，且其要有高度的解析度以及反差。

3、對於其掩模的尺寸要保障其精度，要沒有缺陷或者缺陷較少。

對於襯基像Si3N4膜常常使用低壓CVD，而常常使用蒸發濺射電鍍等方法制造吸收體。為提高X射線掩模質量需要正確選擇材料、優化工藝。

X射線光刻技術不僅擁有高解析度，並且有高出產率的優點。通過目前對X射線光刻技術應用現狀來看，要將投入量產，使其在大規模或超大規模IC電路的生產中發揮更重要的作用，突破高精度圖形掩模技術難關已經如同箭在弦上。

奈米壓印光刻技術

奈米壓印技術是美國普林斯頓大學華裔科學家周鬱在20 世紀1995 年首先提出的。這項技術具有生產效率高、成本低、工藝過程簡單等優點, 已被證實是奈米尺寸大面積結構複製最有前途的下一代光刻技術之一。目前該技術能實現解析度達5 nm以下的水平。奈米壓印技術主要包括熱壓印、紫外壓印以及微接觸印刷。

奈米壓印技術是加工聚合物結構最常用的方法, 它採用高解析度電子束等方法將結構複雜的奈米結構圖案制在印章上, 然後用預先圖案化的印章使聚合物材料變形而在聚合物上形成結構圖案。

1、熱壓印技術

奈米熱壓印技術是在微奈米尺度獲得並行複製結構的一種成本低而速度快的方法。該技術在高溫條件下可以將印章上的結構按需複製到大的表面上, 被廣泛用於微納結構加工。整個熱壓印過程必須在氣壓小於1Pa 的真空環境下進行, 以避免由於空氣氣泡的存在造成壓印圖案畸變,熱壓印印章選用SiC 材料製造, 這是由於SiC非常堅硬, 減小了壓印過程中斷裂或變形的可能性。

此外SiC 化學性質穩定, 與大多數化學藥品不起反應, 因此便於壓印結束後用不同的化學藥品對印章進行清洗。在製作印章的過程中, 先在SiC 表面鍍上一層具有高選比( 38&1) 的鉻薄膜, 作為後序工藝反應離子刻蝕的刻蝕掩模, 隨後在鉻薄膜上均勻塗覆ZEP 抗蝕劑, 再用電子束光刻在ZEP 抗蝕劑上光刻出奈米圖案。為了打破SiC 的化學鍵, 必須在SiC 上加高電壓。最後在350V 的直流電壓下, 用反應離子刻蝕在SiC 表面得到具有光滑的刻蝕表面和垂直面型的奈米圖案。

整個熱壓印過程可以分為三個步驟：

( 1) 聚合物被加熱到它的玻璃化溫度以上。這樣可減少在壓印過程中聚合物的粘性, 增加流動性,在一定壓力下, 就能迅速發生形變。但溫度太高也沒必要, 因為這樣會增加升溫和降溫的時間, 進而影響生產效率, 而對模壓結構卻沒有明顯改善, 甚至會使聚合物彎曲而導致模具受損。同時為了保證在整個壓印過程中聚合物保持相同的粘性, 必須通過加熱器控制加熱溫度不變。

(2) 在印章上施加機械壓力, 約為500 ~1000KPa[ 9] 。在印章和聚合物間加大壓力可填充模具中的空腔。

(3) 壓印過程結束後, 整個疊層被冷卻到聚合物玻璃化溫度以下, 以使圖案固化, 提供足夠大的機械強度, 便於脫模。然後用反應離子刻蝕將殘餘的聚合物( PM�MA) 去掉, 模板上的奈米圖案完整地轉移到矽基底表面的聚合物上, 再結合刻蝕技術把圖形轉移到矽基底上。

2、紫外壓印光刻技術

紫外壓印工藝是將單體塗覆的襯底和透明印章裝載到對準機中, 在真空環境下被固定在各自的卡盤上。當襯底和印章的光學對準完成後, 開始接觸壓印。透過印章的紫外曝光促使壓印區域的聚合物發生聚合和固化成型。

與熱壓印技術相比, 紫外壓印對環境要求更低, 僅在室溫和低壓力下就可進行,從而使用該技術生產能大大縮短生產週期, 同時減小印章磨損。由於工藝過程的需要, 製作紫外壓印印章要求使用能被紫外線穿過的材料。

以往紫外壓印工藝中印章是用PDMS 材料塗覆在石英襯底上製作而成。PDMS 是一種楊式模數很小的彈性體, 用它製作的軟印章能實現高解析度。然而在隨後的試驗中發現由於PDMS 本身的物理軟性, 在壓印過程中在外界低壓力下也很容易發生形變, 近來, 法國國家奈米結構實驗室提出使用一種3 層結構的軟性印章, 以減小紫外壓印印章的形變。

該印章使用2mm 厚的石英襯底, 中間一層是厚度為5mm 的PDMS 緩衝層, 頂層是由PMMA 構成。具體制作印章步驟是先將PMMA 均勻塗覆在被離子啟用的PDMS 材料上, 在PMMA 上鍍上一層30nm厚的鍺薄膜作為後續工藝中的刻蝕掩模, 再在鍺薄膜上塗覆對電子束靈敏度高的抗蝕劑, 隨後用電子束光刻及反應離子刻蝕就可在印章頂層PMMA 上得到高縱橫比的圖案, 最後將殘餘鍺薄膜移去即可。使用該方法可以在保持高解析度情況下大大提高印章的堅硬度, 減小印章壓印形變。

先說國外的技術，國外在90nm工藝之前使用的DUV光刻機，這種光刻機在90nm之後就用不了了，研究下一代光刻機中途夭折了，這時臺積電提出了浸沒式DUV光刻機，然後和阿斯麥合作，就因為這個想法，他們兩家都從行業倒數變成了行業老大。這種浸沒式DUV光刻機一直用到7nm，這兩年EUV光刻機出來了，用到了第二代7nm工藝上，之後的工藝一直都會用EUV光刻機。

再說國內，國內目前有的90nm光刻機好像是DUV非浸沒式光刻機，目前傳出來的28nm基本上能看出來是浸沒式DUV光刻機，這種光刻機通過後續改進理論上最多能做到7nm。目前中國還沒有EUV光刻機，估計光源鏡頭什麼的也開始研發了。

所以要我說28nm光刻機出來之後意義非常大，解決的從無到有的問題，同時也讓我們看到了中國產7nm的希望，還為後續的EUV光刻機奠定了基礎。

最後說一下EUV光刻機，EUV光刻機裡面確實有很多新想法，光源用的13.5nm波長的光，其實已經是x射線了，這種X射線穿透能力很差，所以不能用透鏡做鏡頭來聚焦了，所以EUV光刻機裡面全部都是反射鏡組。確實很不可思議。也正是因為這樣，EUV光刻機才研發了十幾年。

實際上在晶片製作上28nm和7nm有著巨大差距，所謂差距是在整合度上，但是晶片的使用效果並沒有差距，就是說晶片功能上用小體積的代替了大的，單位體積下能容納更多設計功能，當然是今後晶片的發展方向，但是並不代表有些領域一定就是必須使用小的，比如軍用晶片，由於很多國家掌握不了7nm晶片技術，但是由於軍事上的需求，必須防止機密洩露，因此軍事晶片肯定不會採用其他國家的產品，就像俄羅斯，他的軍工產品晶片全部都是自己的，晶片不管多大隻能是在自己成熟技術範圍內，中國也是如此，在武器裝備中的晶片絕不可能使用別國的，即使是別的國家可以廉價供應的也不會使用，一定會根據自己的需要設計生產自己的晶片，因此中國有28nm晶片能力，就會有繼續發展的基礎，事實證明晶片技術還是自己的好，不能7nm那就8nm.10nm20nm，包括手機晶片，使用大的晶片，大不了體積大點，費電一些，只要保證功能使用就行，咱們不能急功近利，但是中國晶片技術的發展肯定會繼續前進，生成自己的成熟產業鏈是早晚的事。

由此可知，EUV光刻機和DUV光刻機之間的差距有多大。當然了，EUV光刻機需要的光源和物鏡都是需要極高技術支援的，不掌握先進的技術，那是製造不出EUV光刻機的。此外，晶片的製程工藝，不僅僅是由光刻機決定的。更多的在於一個廠商的研發工藝，比如說，臺積電使用DUV光刻機就可以將晶片的製程推向7奈米，而三星就不行了，三星想要製造出7納米制程工藝的晶片，就必須要有EUV光刻機。所以說，現在使用DUV光刻機也是可以實現7納米制程工藝的，只不過就看廠商對技術的研發怎麼樣了。畢竟臺積電上千人的研發團隊，用了3年時間，燒了數百億美金才拿出7納米制程工藝。所以說，生產晶片既要捨得投資，還要等待。

先了解一些瓦森納協議，他的前身是巴黎統籌委員會，是專門針對一些國家的出口限制協議。

大意是頂級產品是禁止出口給一些國家的，比如蘇聯伊朗北韓等。對這些國家採取n--2的出口方式，意思是最頂級的是絕對禁止出口的，落後兩代的可以出口。比如光刻機，現在最頂級的光刻機達到了3奈米，落後兩代的就是14奈米的，中間隔著5奈米和7奈米。中國可以進口14奈米的，5奈米和7奈米是禁止購買的。當然，西方陣營國家隨便買。

不只光刻機，其他裝置同樣如此，頂級的想都不要想，比如德國日本機床，幾乎是n--3了。儘管落後兩代甚至三代，對國內來說，也是最先進裝置了，這就是差距！

提問者是文科生嗎？你混淆了光刻機指標和晶片工藝指標，這兩者不是一樣的。28奈米是中國馬上要推出的光刻機指標，通過多次曝光，其可以生產11奈米晶片，如果配合正在開發中的下一代高精度工作臺，有潛力生產7奈米晶片。

具體相差程度，用生活裡的一個現象比喻一下，未必恰當。但是隻有差距更大，沒有更小。

如果把現在的最先進照明技術比做4NM光刻機，那28NM光刻機就應該是火把等級的吧。

不知此比喻恰當否？望指教！