矽二極體與鍺二極體的區別主要如下：在電流相同時，鍺管的直流電阻小於矽管的直流電阻。而矽管的交流電阻小於鍺管的交流電阻。2.根據實驗研究，鍺二極體正向在0.2V就開始有電流了，而矽二極體要到0.5V才開始有電流，也就是說兩者達到導通的起始電壓不同3.在反向電壓下，矽管的漏電流要比鍺管的漏電流小得多。開始導通後，鍺管電流增大速度較慢，矽管電流增大速度相對較快4.矽二極體反向電流遠小於鍺二極體反向電流，鍺管為mA級，矽管為nA級。這是因為在相同溫度下的ni比矽的ni高約三個數量級，因此在相同摻雜濃度下的少數矽濃度遠低於少數鈮的濃度，因此矽的反向飽和電流管非常小。5.當正向電壓很小時，透過二極體的電流非常小，只有在正向電壓達到一定值Ur後，電流才會顯著增加。電壓Ur通常被稱為二極體的閾值電壓，也稱為死區電壓或閾值電壓。6.由於矽二極體的Is遠小於鍺二極體的Is，因此矽二極體的閾值電壓大於鍺二極體的閾值電壓。通常，矽二極體的閾值電壓約為0.5V~0.6V，鍺二極體的閾值電壓約為0.1V~0.2V。拓展資料：二極體，指的是電子元件當中，一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過，許多的使用是應用其整流的功能。而變容二極體（Varicap Diode）則用來當作電子式的可調電容器。大部分二極體所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流（Rectifying）”功能。二極體最普遍的功能就是隻允許電流由單一方向透過（稱為順向偏壓），反向時阻斷 （稱為逆向偏壓）。因此，二極體可以想成電子版的逆止閥。2.早期的真空電子二極體；它是一種能夠單向傳導電流的電子器件。在半導體二極體內部有一個PN接面兩個引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方向，具備單向電流的傳導性。一般來講，晶體二極體是一個由p型半導體和n型半導體燒結形成的p-n結介面。3.在其介面的兩側形成空間電荷層，構成自建電場。當外加電壓等於零時，由於p-n 結兩邊載流子的濃度差引起擴散電流和由自建電場引起的漂移電流相等而處於電平衡狀態，這也是常態下的二極體特性。4.早期的二極體包含“貓須晶體（"Cat"s Whisker" Crystals）”以及真空管(英國稱為“熱遊離閥（Thermionic Valves）”)。現今最普遍的二極體大多是使用半導體材料如矽或鍺。5.由於半導體鍺二極體在氣液兩相流中具有不同的傳熱能力，因而引起其溫度發生變化，使二極體的正向輸出電壓也隨之發生變化，利用二極體的這種特性製成低溫液體液位計可達到精確測量和控制低溫工質液而變化的目的。