回覆列表
  • 1 # HXM520

    3月15日訊息,在最近的IEEE ISSCC國際固態電路大會上,三星首次展示了採用3nm工藝製造的256Mb(32MB)容量SRAM儲存晶片。該晶片應用了MBCFET技術,寫入電壓僅需0.23V,是三星實現新工藝量產的一次重大進步。

    據悉,三星的3nm工藝採用了GAAFET(環繞柵極場效應電晶體)技術,與上一代7LPP FinFET工藝相比,電晶體密度可以提高80%,效能最高可提升30%,或者降低50%的功耗。

    三星與臺積電並列為全球兩大晶片代工廠,但是卻總是稍遜臺積電一籌。2015年蘋果iPhone 6S系列大賣,為了提高新品產能,同時使用了三星14nm和臺積電16nm工藝代工,然而臺積電出產的晶片效能穩定,三星的晶片卻兩極分化嚴重,部分晶片效能、發熱均表現出色,另一些晶片則出現了發熱翻車的現象。

    後來蘋果晶片的代工訂單基本都交給了臺積電,三星則與高通簽訂了多年合作協議。3nm是晶片工藝的全新節點,比5nm、4nm更為重要,三星早前已經開始佈局,搶在臺積電之前,展出了成品。

    根據產業鏈曝光的訊息,臺積電也在研發3nm工藝,遺憾的是新工藝仍將採用FinFET立體電晶體技術,號稱與5nm工藝相比,電晶體密度將提高70%,效能可提升11%,或者功耗降低27%。

    從紙面引數來看,三星這一次似乎有望實現全面反超。不過三星還沒有公佈3nm工藝的訂單情況,臺積電則基本確認,客戶會包括蘋果、AMD、NVIDIA、聯發科、賽靈思、博通、高通等,貌似Intel也有意尋求臺積電的先進工藝代工。臺積電預計將在2nm晶片上應用GAAFET技術,要等待三年左右才能面世。

    這兩家廠商的3nm工藝都將在今年年底試產,明年正式量產。三星能否彎道超車,只有等待產品量產之後,經過消費者檢驗,我們才能知道。

  • 中秋節和大豐收的關聯?
  • 為什麼很多人說太陽能光伏發電是騙人的?