一.因為每一種晶振都有各自的特性，所以最好按照製造廠商所提供的引數來選擇外部器件。

二.允許範圍內，外部的這兩電容越小越好。值越小，起振時間越短，值越大，穩定性高。一般12MHZ的晶振可以選擇18pf或者22pf的電容。

三.晶振需要考慮分類，比如有源和無源。考慮等效電阻，負載電容，頻率偏差等。找份規格書多瞭解一下，就能學到很多。當然有點英語知識是必要的。

晶振分為有源晶振和無源晶振，有源晶振需要供電不需要電容。無源晶振需要外接電容才可以起振。無源晶振典型的電路圖如下圖所示：

上圖中，晶振的兩個引腳接微控制器的晶振引腳。在晶振的兩端接兩個瓷片電容，這兩個電容一般為15-30pF,成為起振電容。

如果微控制器沒有特別說明，則選擇15-30pF的電容即可，否則要在微控制器資料手冊的指導下進行電容選型。微控制器的資料手冊都會介紹外接晶振的起振電路，如下表所示，就是微控制器手冊上推薦的晶振電容的選擇方法。

根據所接晶振的頻率，選擇合適的電容。在設計電路時一定要多研究微控制器的資料書冊。

晶振電路中的兩個小電容叫做晶振負載電容

晶振的負載電容大小一般是幾個皮法到幾十個皮法，需要選用NPO/G0G材質的電容

負載電容的大小不是固定的，需要晶振的規格要求而定，晶振的規格書都標有負載電容的要求，一定要看清楚規格書，選擇匹配的負載電容。假如負載電容要求是12.5pF，晶振兩端的電容用20pF~24pF就差不多了

選擇負載電容的要注意事項：

晶振電路中的兩個小電容的容量選取

在晶振電路中所連線的兩個小電容一般容量都是很小的，其容量單位都在皮法（pF）級，這兩個電容所用的型別都是屬於瓷片電容，我們學過電容型別的特性都知道，對於瓷片電容來說它的高頻特性特別好，並且比較穩定。我們所見到的高頻電路里所用的電容一般都是瓷片電容。由於晶振電路也屬於高頻電路，我所用過的微控制器晶振一般有6兆赫茲、12兆赫茲和11.0592兆赫茲這三種。對於電路來說它們都應該屬於高頻振盪電路了，因此應該首選的就是瓷片電容了。

以我做微控制器電路的經驗來看，我認為對於無源晶振的穩頻電容來說，一般其容值都選在 10pF（皮法）到40pF（皮法） 之間，我在做微控制器晶振電路時常選用的是30pF的瓷片電容或者22pF的瓷片電容，因為我經過多次的實踐，對於12兆赫茲和11.0592兆赫茲的晶振電路選30pF（皮法）的瓷片電容最好，如果找不到30pF（皮法）的用22pF（皮法）的也是可以的。如果我們在做具體晶振電路時，我們也可以 查手冊中有具體電容大小的要求，可以根據要求來選電容了，我在做電路時常常是憑經驗，是不用去查手冊的，我們用20pF、22pF和30pF這三種都是比較好的選擇，這是一個長久以來的經驗值，它是具有極其普遍的適用性。

晶振通常分為無源晶振和有源晶振兩種型別，其實我在製作微控制器電路時有時也會用到有源晶振的，對於有源晶振它就不需要瓷片電容來進行穩頻了，有源晶振則叫做 oscillator(振盪器)，它是一個完整的諧振振盪器，他是利用石英晶體的壓電效應來起振，所以有源晶 振需要供電，當我們把有源晶振電路做好後，不需要外接電路，它就可以主動產生振盪頻 率，並且可以提供高精度的頻率基準，訊號質量比無源訊號好，有源晶振通常有 4 個引腳，VCC，GND，晶振輸出引腳和一個沒有用到的懸空引腳。