在矽片上要做一個三極體（或場效電晶體），要分好幾層，每一層先要做掩膜（即塗光敏光刻膠，再用光刻機對需要的部分曝光），然後透過化學手段去除曝光部分，再利用離子注入機對該部分進行離子滲透參雜，使之成為半導體（P型或者N型），以此類推，最後形成若干層而構成一個三極體，由眾多三極體連線組成各種觸發器，閘電路，計數器，儲存器等，放大器，最後成為專用的積體電路產品。

被“卡脖子”的離子注入機實現中國產化，這種裝備是幹什麼的？

離子注入機是高壓小型加速器中的一種，應用數量最多。它是由離子源得到所需要的離子，經過加速得到幾百千電子伏能量的離子束流，用作半導體材料、大規模積體電路和器件的離子注入，還用於金屬材料表面改性和制膜等。

它是積體電路製造前工序中的關鍵裝置，離子注入是對半導體表面附近區域進行摻雜的技術，其目的是改變半導體的載流子濃度和導電型別。離子注入與常規熱摻雜工藝相比可對注入劑量、注入角度、注入深度、橫向擴散等方面進行精確的控制，克服了常規工藝的限制，提高了電路的整合度、開啟速度、成品率和壽命，降低了成本和功耗。離子注入機廣泛用於摻雜工藝，可以滿足淺結、低溫和精確控制等要求，已成為積體電路製造工藝中必不可少的關鍵裝備。

3月17日從中國電子科技集團有限公司獲悉，該集團旗下電科裝備已成功實現離子注入機全譜系產品中國產化，實現中國晶片製造領域全譜系離子注入機自主創新發展，將有效緩解中國晶片製造領域斷鏈、短鏈難題。可為全球晶片製造企業提供離子注入機一站式解決方案。