英特爾現在的主力工藝依然是14nm，目前已經發展了三代14nm工藝，將會一直用到2019年底，之後才會升級10nm工藝。不過10nm處理器最近已經上市了，聯想Ideapad 330就使用了10nm Cannonlake架構的Core i3-8121處理器，透過分析英特爾的10nm工藝電晶體密度達到了100MTr/mm2，是14nm節點的2.7倍，而且英特爾首次使用了貴金屬釕。

Techinsights日前就以聯想Ideapad 330中的Core i3-8121處理器為例分析了英特爾的10nm工藝，詳細報告還沒有釋出，他們只公佈了部分資料，英特爾的10nm工藝主要創新如下：

·邏輯電晶體密度達到了100.8MTr/mm2，也就是每平方毫米1億個電晶體，電晶體密度是14nm工藝的2.7倍多。

英特爾之前公佈的自家14nm工藝特點

·10nm FinFET使用的是第三代FinFET電晶體工藝技術

·10nm工藝的最小柵極距（gate pitch）從之前的70nm縮小到了54nm。

·10nm工藝的最小金屬間距（metal pitch）從之前的52nm縮小到了36nm。

英特爾10nm工藝亮點：

·與現有10nm及即將問世的7nm工藝相比，英特爾10nm工藝具有最強的間距縮小

·在後端製程BEOL中首次使用金屬銅及釕，後者是一種貴金屬

·在contact及BEOL端使用了自對齊曝光方案（self-aligned patterning scheme）

設計亮點：

·透過6.2-Track高密度庫實現了超級縮放（Hyperscaling ）

·Cell級別的COAG（Contact on active gate）技術

關於英特爾的10nm工藝優勢，之前我們也介紹過，而且英特爾CEO科贊奇也解釋過他們的10nm工藝為什麼難產的問題，一大原因就是他們的10nm工藝指標定的太高了，10nm工藝100MTr/mm2的電晶體密度實際上跟臺積電、三星的7nm工藝差不多，效能指標是很好的，但遇到了良率這樣的問題，所以量產時間上要比其他兩家落後兩年多。

Intel 10nm工藝最初安排在2016年下半年，但因為技術難度太高，遲遲無法大規模量產，現在已經延期到2019年年底，也就是整整三年！

這還是在不再出什麼么蛾子的情況下。

而三星、臺積電的10nm都已經進入了成熟期，7nm正在投入量產，就連一向炸雷不斷的GlobalFoundries，7nm也不遠了，AMD堅定地從14nm直接跳到7nm，與GlobalFoundries緊密合作，可見對其信心滿滿。

在近日的二季度財報會議上，Intel表示，10nm晶片將在2019年下半年開始大量供貨，隨後，他們進一步確認，10nm消費者CPU將會趕在假期前出貨，Xeon尾隨。

按照早先的說法，Intel今年秋季會基於14nm++工藝(二次打磨升級版)釋出Whiskey Lake和Amber Lake架構處理器，面向低功耗和超低功耗市場。

Intel還將在今年年底推出下代伺服器平臺Cascade Lake-SP，但仍然是14nm工藝，最多還是28個核心，架構基本不變，只是一次重新整理式升級，而且在整個2019年都只有這套平臺。

要知道，AMD明年就會拿出7nm新工藝、Zen2新架構的全新一代EPYC霄龍伺服器，銳龍也會同步上7nm。

Intel 10nm伺服器新平臺要等到2020年了。