記憶體工作原理
1.記憶體定址 首先，記憶體從CPU獲得查詢某個資料的指令，然後再找出存取資料的位置時（這個動作稱為“定址”），它先定出橫座標（也就是“列地址”）再定出縱座標（也就是“行地址”），這就好像在地圖上畫個十字標記一樣，非常準確地定出這個地方。對於電腦系統而言，找出這個地方時還必須確定是否位置正確，因此電腦還必須判讀該地址的訊號，橫座標有橫座標的訊號（也就是RAS訊號，Row Address Strobe）縱座標有縱座標的訊號（也就是CAS訊號，Column Address Strobe），最後再進行讀或寫的動作。因此，記憶體在讀寫時至少必須有五個步驟：分別是畫個十字（內有定地址兩個操作以及判讀地址兩個訊號，共四個操作）以及或讀或寫的操作，才能完成記憶體的存取操作。
2.記憶體傳輸 為了儲存資料，或者是從記憶體內部讀取資料，CPU都會為這些讀取或寫入的資料編上地址（也就是我們所說的十字定址方式），這個時候，CPU會透過地址匯流排（Address Bus）將地址送到記憶體，然後資料匯流排（Data Bus）就會把對應的正確資料送往微處理器，傳回去給CPU使用。
3.存取時間 所謂存取時間，指的是CPU讀或寫記憶體內資料的過程時間，也稱為匯流排迴圈（bus cycle）。以讀取為例，從CPU發出指令給記憶體時，便會要求記憶體取用特定地址的特定資料，記憶體響應CPU後便會將CPU所需要的資料送給CPU，一直到CPU收到資料為止，便成為一個讀取的流程。因此，這整個過程簡單地說便是CPU給出讀取指令，記憶體回覆指令，並丟出資料給CPU的過程。我們常說的6ns（納秒，秒－9）就是指上述的過程所花費的時間，而ns便是計算運算過程的時間單位。我們平時習慣用存取時間的倒數來表示速度，比如6ns的記憶體實際頻率為1／6ns＝166MHz（如果是DDR就標DDR333，DDR2就標DDR2 667）。
4.記憶體延遲 記憶體的延遲時間(也就是所謂的潛伏期，從FSB到DRAM)等於下列時間的綜合：FSB同主機板晶片組之間的延遲時間(±1個時鐘週期)，晶片組同DRAM之間的延遲時間(±1個時鐘週期)，RAS到CAS延遲時間：RAS(2-3個時鐘週期,用於決定正確的行地址)，CAS延遲時間 (2-3時鐘週期,用於決定正確的列地址)，另外還需要1個時鐘週期來傳送資料，資料從DRAM輸出快取透過晶片組到CPU的延遲時間(±2個時鐘週期)。一般的說明記憶體延遲涉及四個引數CAS（Column Address Strobe 行地址控制器）延遲，RAS（Row Address Strobe列地址控制器）－to－CAS延遲，RAS Precharge（RAS預衝電壓）延遲，Act-to-Precharge（相對於時鐘下沿的資料讀取時間）延遲。其中CAS延遲比較重要，它反映了記憶體從接受指令到完成傳輸結果的過程中的延遲。大家平時見到的資料3—3—3—6中，第一引數就是CAS延遲（CL＝3）。當然，延遲越小速度越快。
記憶體工作原理
1.記憶體定址 首先，記憶體從CPU獲得查詢某個資料的指令，然後再找出存取資料的位置時（這個動作稱為“定址”），它先定出橫座標（也就是“列地址”）再定出縱座標（也就是“行地址”），這就好像在地圖上畫個十字標記一樣，非常準確地定出這個地方。對於電腦系統而言，找出這個地方時還必須確定是否位置正確，因此電腦還必須判讀該地址的訊號，橫座標有橫座標的訊號（也就是RAS訊號，Row Address Strobe）縱座標有縱座標的訊號（也就是CAS訊號，Column Address Strobe），最後再進行讀或寫的動作。因此，記憶體在讀寫時至少必須有五個步驟：分別是畫個十字（內有定地址兩個操作以及判讀地址兩個訊號，共四個操作）以及或讀或寫的操作，才能完成記憶體的存取操作。
2.記憶體傳輸 為了儲存資料，或者是從記憶體內部讀取資料，CPU都會為這些讀取或寫入的資料編上地址（也就是我們所說的十字定址方式），這個時候，CPU會透過地址匯流排（Address Bus）將地址送到記憶體，然後資料匯流排（Data Bus）就會把對應的正確資料送往微處理器，傳回去給CPU使用。
3.存取時間 所謂存取時間，指的是CPU讀或寫記憶體內資料的過程時間，也稱為匯流排迴圈（bus cycle）。以讀取為例，從CPU發出指令給記憶體時，便會要求記憶體取用特定地址的特定資料，記憶體響應CPU後便會將CPU所需要的資料送給CPU，一直到CPU收到資料為止，便成為一個讀取的流程。因此，這整個過程簡單地說便是CPU給出讀取指令，記憶體回覆指令，並丟出資料給CPU的過程。我們常說的6ns（納秒，秒－9）就是指上述的過程所花費的時間，而ns便是計算運算過程的時間單位。我們平時習慣用存取時間的倒數來表示速度，比如6ns的記憶體實際頻率為1／6ns＝166MHz（如果是DDR就標DDR333，DDR2就標DDR2 667）。
4.記憶體延遲 記憶體的延遲時間(也就是所謂的潛伏期，從FSB到DRAM)等於下列時間的綜合：FSB同主機板晶片組之間的延遲時間(±1個時鐘週期)，晶片組同DRAM之間的延遲時間(±1個時鐘週期)，RAS到CAS延遲時間：RAS(2-3個時鐘週期,用於決定正確的行地址)，CAS延遲時間 (2-3時鐘週期,用於決定正確的列地址)，另外還需要1個時鐘週期來傳送資料，資料從DRAM輸出快取透過晶片組到CPU的延遲時間(±2個時鐘週期)。一般的說明記憶體延遲涉及四個引數CAS（Column Address Strobe 行地址控制器）延遲，RAS（Row Address Strobe列地址控制器）－to－CAS延遲，RAS Precharge（RAS預衝電壓）延遲，Act-to-Precharge（相對於時鐘下沿的資料讀取時間）延遲。其中CAS延遲比較重要，它反映了記憶體從接受指令到完成傳輸結果的過程中的延遲。大家平時見到的資料3—3—3—6中，第一引數就是CAS延遲（CL＝3）。當然，延遲越小速度越快。