1 可裝入增大的GU-10燈座 2 精確的初級側恆壓/恆流控制器省去了次級側控制和光耦器 2.1 無需電流檢測電阻，即可提高效率 2.2 可降低成本的低元件數量解決方案 3 過熱保護功能 — 嚴格的容差範圍(±5%)加上遲滯恢復，可確保PCB溫度在所有條件 下均處於安全範圍內 4 自動重啟動輸出短路和開環保護 5 極高能效 5.1 在整個工作電壓範圍內的滿載效率均超過74% 5.2 在265 VAC輸入情況下，空載功耗<200 mW 6 超低漏電流：在265 VAC輸入情況下<5 μA(無需Y電容) 7 綠色封裝：無鹵素和符合RoHS 工作原理 圖1是使用LinkSwitch-II LNK605DG (U1)設計的通用輸入10.5 V,350mA恆壓/恆流反激式電源的電路圖，適用於LED驅動器應用。本設計專用於驅動3個LED燈串，為LED在整個VF範圍內提供額定輸出電流。 積體電路U1內含功率開關器件、一個振盪器、一個CC/CV控制引擎、啟動以及保護功能。U1初級側恆壓/恆流控制功能可省去檢測電阻和光耦器，因此極大節省了本設計的空間，這樣能使驅動器輕易裝入GU-10 LED燈殼。 橋式整流器BR1對AC輸入電壓進行整流。整流後的DC由大容量電容C1和C3進行濾波。電感L1與電容C1和C3共同組成一個π型濾波器，對差模傳導EMI噪聲進行衰減。這種配置與 Power Integrations變壓器的E-shiELd?技術相結合，使得本設計在無需使用Y電容的情況下能夠滿足EMI標準EN55015 B級要求，並具有6 dB的裕量。防火可熔電阻RF1可在AC上電時及差模流湧期間限制浪湧電流。 T1初級繞組的一側接收經整流和濾波的DC電壓。MOSFET驅動初級繞組的另一側。D2、R4、R5和C4組成RCD-R箝位電路，用於限制漏感引起的漏極電壓尖峰。 器件U1透過旁路(BP)引腳完全實現自供電，並對電容C2進行去耦。U1使用開/關控制來調節恆壓(CV)輸出，透過頻率控制來實現恆流(CC)調節。反饋電阻R1和R2應具有1%的容差值，有助於將額定輸出電壓和恆流工作模式下的電流嚴格控制在中心位置。恆壓特性還可以在任何LED發生開路故障時提供過壓保護(OVP)。 在從空載到滿載的多個模式下，U1內的控制器首先在恆壓階段工作。一旦檢測到最大功率點，控制器將進入恆流模式。 在恆壓階段，U1透過跳過開關週期來維持輸出電壓水平，並透過調節使能週期與禁止週期的比例來維持穩壓。電流限流點也會降低，以便將低負載時的噪音降低到幾乎覺察不到的水平。隨著負載電流的增大，電流限流點也將升高，跳過的週期也越來越少以提供更多的輸出功率。 當U1進入無任何開關週期被跳過狀態時(達到最大輸出功率點),U1內的控制器將切換到恆流模式。需要進一步提高負載電流時，輸出電壓將會隨之下降。輸出電壓的下降反應到FB引腳電壓上。作為對FB引腳電壓下降的響應，開關頻率將下降，以實現恆流輸出。 變壓器的次級繞組由D3和肖特基勢壘二極體(提高效率)進行整流，由C5進行濾波。在本應用設計中，電容C5具有低ESR，可以滿足所需的輸出電壓紋波要求，而無需使用後級LC濾波器
1 可裝入增大的GU-10燈座 2 精確的初級側恆壓/恆流控制器省去了次級側控制和光耦器 2.1 無需電流檢測電阻，即可提高效率 2.2 可降低成本的低元件數量解決方案 3 過熱保護功能 — 嚴格的容差範圍(±5%)加上遲滯恢復，可確保PCB溫度在所有條件 下均處於安全範圍內 4 自動重啟動輸出短路和開環保護 5 極高能效 5.1 在整個工作電壓範圍內的滿載效率均超過74% 5.2 在265 VAC輸入情況下，空載功耗<200 mW 6 超低漏電流：在265 VAC輸入情況下<5 μA(無需Y電容) 7 綠色封裝：無鹵素和符合RoHS 工作原理 圖1是使用LinkSwitch-II LNK605DG (U1)設計的通用輸入10.5 V,350mA恆壓/恆流反激式電源的電路圖，適用於LED驅動器應用。本設計專用於驅動3個LED燈串，為LED在整個VF範圍內提供額定輸出電流。 積體電路U1內含功率開關器件、一個振盪器、一個CC/CV控制引擎、啟動以及保護功能。U1初級側恆壓/恆流控制功能可省去檢測電阻和光耦器，因此極大節省了本設計的空間，這樣能使驅動器輕易裝入GU-10 LED燈殼。 橋式整流器BR1對AC輸入電壓進行整流。整流後的DC由大容量電容C1和C3進行濾波。電感L1與電容C1和C3共同組成一個π型濾波器，對差模傳導EMI噪聲進行衰減。這種配置與 Power Integrations變壓器的E-shiELd?技術相結合，使得本設計在無需使用Y電容的情況下能夠滿足EMI標準EN55015 B級要求，並具有6 dB的裕量。防火可熔電阻RF1可在AC上電時及差模流湧期間限制浪湧電流。 T1初級繞組的一側接收經整流和濾波的DC電壓。MOSFET驅動初級繞組的另一側。D2、R4、R5和C4組成RCD-R箝位電路，用於限制漏感引起的漏極電壓尖峰。 器件U1透過旁路(BP)引腳完全實現自供電，並對電容C2進行去耦。U1使用開/關控制來調節恆壓(CV)輸出，透過頻率控制來實現恆流(CC)調節。反饋電阻R1和R2應具有1%的容差值，有助於將額定輸出電壓和恆流工作模式下的電流嚴格控制在中心位置。恆壓特性還可以在任何LED發生開路故障時提供過壓保護(OVP)。 在從空載到滿載的多個模式下，U1內的控制器首先在恆壓階段工作。一旦檢測到最大功率點，控制器將進入恆流模式。 在恆壓階段，U1透過跳過開關週期來維持輸出電壓水平，並透過調節使能週期與禁止週期的比例來維持穩壓。電流限流點也會降低，以便將低負載時的噪音降低到幾乎覺察不到的水平。隨著負載電流的增大，電流限流點也將升高，跳過的週期也越來越少以提供更多的輸出功率。 當U1進入無任何開關週期被跳過狀態時(達到最大輸出功率點),U1內的控制器將切換到恆流模式。需要進一步提高負載電流時，輸出電壓將會隨之下降。輸出電壓的下降反應到FB引腳電壓上。作為對FB引腳電壓下降的響應，開關頻率將下降，以實現恆流輸出。 變壓器的次級繞組由D3和肖特基勢壘二極體(提高效率)進行整流，由C5進行濾波。在本應用設計中，電容C5具有低ESR，可以滿足所需的輸出電壓紋波要求，而無需使用後級LC濾波器