iPad ari2的A8x晶片比iPhone6S的A9晶片的要好一些，它們的差距要從很多方面來說。一直以來，大眾對晶片製造工藝的印象都停留在“奈米線寬”的層面上。從上世紀的微米級工藝到現在的接近個位數奈米級工藝，每一代製造工藝進步的最明顯特徵就是線寬縮小。一般來說，工藝進步一代則線寬縮小為原來的約0.7倍，例如90nm到65nm再到45nm。兩代工藝之間還往往存在著半代工藝的過渡，例如90nm到80nm就是進化半代，32nm到28nm也是半代改進。從表面上看，線寬越窄的工藝應該是越先進的，這也符合人們的直覺印象。然而事實情況卻要複雜得多。首先，工藝的技術水平評價引數很多，線寬只是其中較為重要的一個指標。比較典型的，影響同電晶體規模下芯片面積的指標就細分為電晶體柵極間距和內部互聯最小間距，而不同的晶片工廠的同代工藝在這兩個重要指標上一般都不相同；另外，晶體管制造技術不斷進化，是否使用最新的電晶體技術（例如FinFET鰭式場效應電晶體）來減少漏電率、增強電晶體效能，也是區分不同代工廠工藝水平的重要因素。

綜合來說，Intel的製造工藝一直處於業界標杆地位，比臺積電、三星等對手的同代工藝通常領先半代之多—也就是說，Intel 32nm工藝的綜合實力就能達到臺積電28nm工藝的層次，甚至可能更強。此外，每家晶片工廠的同代工藝也會細分為幾個發展階段，例如臺積電的28nm技術就分為低功耗版和高效能版，後者是在前者發展成熟後才推出，效能也更強一些。