共沉澱,一種沉澱從溶液中析出時,引起某些可溶性物質一起沉澱的現象。
產生共沉澱的原因有:
①表面吸附,由於沉澱表面的離子電荷未達到平衡,它們的殘餘電荷吸引了溶液中帶相反電荷的離子。這種吸附是有選擇性的:首先,吸附晶格離子;其次,凡與晶格離子生成的鹽類溶解度越小的離子,就越容易被吸附;離子的價數愈高、濃度愈大,則愈容易被吸附。吸附是一放熱過程,因此,溶液溫度升高,可減少吸附。
②包藏,在沉澱過程中,如果沉澱劑較濃又加入過快,則沉澱顆粒表面吸附的雜質離子來不及被主沉澱的晶格離子取代,就被後來沉積上來的離子所覆蓋,於是雜質離子就有可能陷入沉澱的內部,這種現象稱為包藏,又叫吸留。由包藏引起的共沉澱也遵循表面吸附規律。例如,在過量氯化鋇存在下沉澱硫酸鋇時,沉澱表面首先吸附構晶離子Ba2+;為了保持電中性,表面上的Ba2+又吸引Cl-;如果晶體成長很慢,溶液中的硫酸鋇將置換出大部分Cl-;如果晶體成長很快,則硫酸鋇來不及交換Cl-, 就引起較大量的氯化鋇的包藏共沉澱。因為硝酸鋇比氯化鋇的溶解度小,所以鋇的硝酸鹽比氯化物更易被包藏。
③生成混晶,如果晶形沉澱晶格中的陰、陽離子被具有相同電荷的、離子半徑相近的其他離子所取代,就形成混晶。例如,當大量Ba2+和痕量Ra2+共存時,硫酸鋇就可和硫酸鐳形成混晶同時析出,這是由於二者有相同的晶格結構,Ra2+和Ba2+的離子大小相近的緣故。
共沉澱,一種沉澱從溶液中析出時,引起某些可溶性物質一起沉澱的現象。
產生共沉澱的原因有:
①表面吸附,由於沉澱表面的離子電荷未達到平衡,它們的殘餘電荷吸引了溶液中帶相反電荷的離子。這種吸附是有選擇性的:首先,吸附晶格離子;其次,凡與晶格離子生成的鹽類溶解度越小的離子,就越容易被吸附;離子的價數愈高、濃度愈大,則愈容易被吸附。吸附是一放熱過程,因此,溶液溫度升高,可減少吸附。
②包藏,在沉澱過程中,如果沉澱劑較濃又加入過快,則沉澱顆粒表面吸附的雜質離子來不及被主沉澱的晶格離子取代,就被後來沉積上來的離子所覆蓋,於是雜質離子就有可能陷入沉澱的內部,這種現象稱為包藏,又叫吸留。由包藏引起的共沉澱也遵循表面吸附規律。例如,在過量氯化鋇存在下沉澱硫酸鋇時,沉澱表面首先吸附構晶離子Ba2+;為了保持電中性,表面上的Ba2+又吸引Cl-;如果晶體成長很慢,溶液中的硫酸鋇將置換出大部分Cl-;如果晶體成長很快,則硫酸鋇來不及交換Cl-, 就引起較大量的氯化鋇的包藏共沉澱。因為硝酸鋇比氯化鋇的溶解度小,所以鋇的硝酸鹽比氯化物更易被包藏。
③生成混晶,如果晶形沉澱晶格中的陰、陽離子被具有相同電荷的、離子半徑相近的其他離子所取代,就形成混晶。例如,當大量Ba2+和痕量Ra2+共存時,硫酸鋇就可和硫酸鐳形成混晶同時析出,這是由於二者有相同的晶格結構,Ra2+和Ba2+的離子大小相近的緣故。