BOOST拓撲，即升壓電路，一般的基礎拓撲如降壓BUCK和升壓拓撲BOOST的組成缺少不了的元器件 有(1)半導體器件，如MOSFET或者IGBT開關變換器件，整流作用的二極體；

(2)濾波電容；

(3)磁性元器件，電源中非常重要的器件，對於基礎拓撲來說就是非電感莫屬了，電感。

在升壓電路BOOST中，電感不僅僅是儲能平滑電流波形，同時你可以很簡單明瞭的知道，它也是使電路的輸出電壓升高的元器件，因為當開關開通時，電感首先儲能，將電感兩端電壓箝位至電路的輸入電壓，在開關管關斷時，透過整流二極體將輸入電壓和電感電壓一同給輸出，這樣輸出電壓自然要比輸入電壓高了，通通控制不同的佔空比，你可以得到不同的高於輸入電壓的輸出電壓。

Boost DC-DC電路中的電感很重要，電路的升降壓功能就是靠這個電感線圈來實現的。下面我們以DC-DC升壓電路為例，來介紹一下這個電感的升壓原理。▲ DC-DC升壓電路的工作原理。

上圖是一個簡單的DC-DC升壓電路。電感L為升壓電感，這裡的N-MOSFET工作於開關狀態，其柵極的驅動訊號VG為矩形波。當VT導通時，1.5V電池透過VT的D、S兩極給電感L充電儲能；當VT截止時，L兩端將產生一個數倍於電池電壓的感生電壓，此電壓與電池電壓疊加後，透過二極體VD給電容C充電，這樣在C兩端獲得的便是升高的電壓。VT不停的導通與截止，這樣便可將較低的電池電壓升高到所需的電壓。

這種Boost DC-DC升壓電路中，一般選用低開啟電壓及低飽和壓降的MOSFET，可以在很低的電壓下（2V以下）工作，並且具有較高的效率。此外，MOSFET的開關頻率一般都在數百KHz以上，這樣可以選用較小的電感線圈及濾波電容，從而減小整個電路的體積。▲ SL3400構成的超低壓升壓電路。

上圖是一款超低壓升壓電路，其工作原理與上述電路一樣。該電路的最低輸入電壓可低至0.9V，其Vout為2.5～5V，輸出電流可達600mA。由於這種DC-DC升降壓電路的工作頻率較高，整流二極體一般皆選用肖特基二極體。

要說明Boost變換器中電感的作用，要先知道Boost變換器的工作原理。首先是開關管導通時，如下圖a所示，電源電壓Vin直接加在電感兩端，電源、電感L和開關管VT構成一個迴路，電感電流上升，電感電壓左正右負，電感儲存能量；電容C和負載R構成另一個迴路，二極體D處於截止狀態，電容向負載釋放能量。

開關管VT關斷時，如圖b所示，電源Vin、電感L、二極體D、負載R構成迴路，電感電流下降，電感電壓左負右正（電感電壓和電源電壓同向，電源和電感電壓疊加在一起向後面的負載供電，所以實現了升壓，當然後面需要一個大容值的電容C來穩壓），電源和電感一起向負載釋放能量。

總的來說電感就是儲能升壓的作用。

Boost電路即非隔離式升壓電路，如圖1為其基本拓撲圖，主要應用在非隔離電源中，輸出電壓大於輸入電壓，Uo=Uin/(1-D)D為佔空比，其公式是由伏秒平衡所得，基本原理如圖3當開關管Q關導通時，輸入電源給電感充電，輸出電容給負載供電，此時電感U=di/dt*L.給電感儲能，如圖2所示，電感開始透過二極體給電容和負載充電，透過電感的充放電來維持輸出電壓，如果沒有電感，輸出電壓不能建立，因為開關管導通時，輸入電源就會短路。

對於電感當開關管開通時Uin*Ton=di/dt=Q1.當開關管關閉時(Uin-Uo)*Toff=di/dt=Q2.根據能量守恆定律電感的充放電能量相等，所以Q1=Q2=(Uin-Uo)*Toff=Uin*Ton進而得Uo=Uin/(1-D).D=Ton/T.T=Ton+Toff，透過使變換器工作在CCM還是DCM來輸出一個電感值，再透過負載大小，紋波電壓和紋波電流，來設計濾波電容，所以電感的作用就是透過其儲能作用來得到想要的輸出電壓。

現在也有小的BOOST模組便宜而穩定性好，如果做大功率，就應選擇好的控制晶片UC3842電流控制和電壓控制都可以！

Boost的Dc-Dc變換器的電感主要作用有2個：

本過程主要發生在功率管導通期間。

此時電源對電感充電，電流成線性增加。只要電感不飽和，頻率可以很低。同理，低振盪頻率的晶片就要使用大容量電感。某些時候這低頻率會增加器件成本。一般的DCDC振盪頻率是300kHz以上。

當功率器件斷開後，電感電流不能突變，產生反電動勢，該電動勢和電源電壓疊加，使輸出電壓高於供電電壓，完成升壓的使命。

根據能量守恆及效率問題，高壓輸出，勢必提供的電流會小。

能量是由電感電感量及佔空比決定的。

電感中的電流是三角波，還含有直流分量，再利用電容濾波輸出穩定的高壓直流電。