光刻機就是個“投影儀”，把我們想要的影子投影到幕布上。

晶片那麼精細，是怎麼生產出來的呢？用刀刻？用水衝？都不行，因為晶片太精細了，動輒幾十nm的線條，日常沒有什麼材料能做成這麼精細的刻刀。所以我們就想了一個辦法，用光線來刻，這也就是光刻機。

我們都用過膠捲相機吧，膠片平日裡是黑色的，不能見光的，一旦見光就會變白，我們也找了一種一見光就“易溶解”的特殊膠片。當我們想要在晶片上刻一個圓圈的時候，我們就在晶片上塗上這種特殊膠片，拿一個圓圈光照上去，再經過一些列後續處理，我們在這個晶片上就做出了一個圓圈圖形了對吧。

光刻機就是用這種膠片來刻出圖形的。剩下的問題是，我們怎麼把一種我們想要的特定圖形打到膠片上呢？

極其微觀的精細化操作，奈米級別的操作，據說可以在髮絲蝕刻清明上河圖，大概是這個意思。

這樣就可以在同樣大小的晶片上合成更多的內容，滿足更多的設計需要。

華為可以自己設計，但是沒有這個工匠幫忙，實現不了自己的創新，無法變成產能，也就無法變現可持續發展，很要命的一環。

晶片製造大約五個步驟，第一步，從沙子裡提純99.999999999%的晶圓，也就是矽晶片目前只有日本的信越株式會社能做到。

第二步，光刻機將設計好的晶片圖紙，微縮投影到塗了光刻膠（晶圓上面塗完液態光刻膠，要利用光刻機的EUV極紫外光源，固化成薄膜）的晶圓片上，這個原理和照相機的底片成像原理相同，等於是把圖紙畫在了晶圓上。密度相當於把全球70億人的名字可在一個雞蛋殼上面，光刻機制程以nm標識，就是說每根電路線段的寬度是以nm衡量的，目前最先進的光刻機是荷蘭ASML，製程在7nm以下，這是目前晶片製作高度能達到的上限。但是中國買不到這種高階光刻機。

我們說的7nm光刻機制程，指的是光刻機微縮投影的晶片圖紙，線段的寬度是7nm

光刻機只是把圖紙已平面的形式畫在了晶圓上面，第一步，晶圓上面塗了光刻膠，此種膠抗腐蝕，整個晶圓表面全部被固化的光刻機薄膜覆蓋，我們不需要的也存在了，所以。

第三步，需要用到蝕刻機按照光刻機畫好的圖案蝕刻掉光刻膠，露出晶圓面，同時蝕刻出一道道的凹槽。

第四步，用離子注入機在凹槽上面注入特殊離子，改變晶圓，矽晶片的屬性，使凹槽變成能導電的奈米級“電線”。

第五步，沉積。

光刻是晶片製造重要流程之一。簡單說，就是將圖紙畫在矽片上，下一步，就是用刻蝕機，按照圖紙，把不需要的部分刻蝕掉，從而把電晶體在矽片上刻出來。

工藝製程的指標是奈米，表示光刻和刻蝕的精度。奈米數越低，說明就可以把矽片上的電晶體做的越小。這樣，同樣面積的矽片，就可以刻出更多的電晶體。從而實現更高的效能，或者更低的功耗。

目前中國中國產最先進的光刻機是90納米制程，另外28奈米的光刻機據說今年底會生產出來。而世界最先進的asml光刻機已經可以做到5奈米，領先我們幾代。如果採用28奈米光刻機，通過多次反射，最多可以製造11奈米晶片。

這個製造工藝，已經可以滿足華為通訊裝置的所有需要。但是做最先進的手機還是不夠。如果5奈米的麒麟1020晶片，用11奈米工藝來做，那芯片面積至少要變成原來的4倍，發熱功耗也擴大成4倍。對於手機裝置是沒法接受的。