回覆：檢查VCC以及MR34/MR35分壓後的電壓值VGS，VGS絕對值要比MQ1的VGS(th)高才能保證MOSFET完全開啟，否則後面的系統可能不工作；同時檢查GPIO口的驅動能力，是否滿足驅動的要求。如果很小，最好用GPIO口驅動一個三極體的B極，三極體的集電極C下拉MOSFET的G極。由實際的浪湧電流再調整MC11值，以及MR34/MR35值。在PCB設計時，MQ1的D，S用大銅皮連線，如果多層板，在多個層放銅皮，用多個過孔分別進行連線。

MOSFET導通時的內阻非常小，驅動負載能力比三極體更強

MOSFET可以用於快速開關、電平轉換、負載驅動。MOSFET導通內阻更小，可以透過的電流比三極體多很多，更適合用於驅動負載。電動工具的電機驅動用的就是MOSFET，承受的電流可以達到幾十A。

MOSFET是電壓控制型的元件，如果CPU的GPIO的輸出電壓大於MOSFET導通電壓要求，直接驅動是沒有問題的。

N溝道MOSFET:CPU的GPIO（DR）設定為高電平時MOSFET導通，GPIO（DR）設定為低電平時MOSFET斷開

P溝道MOSFET:CPU的GPIO（DR）設定為低電平時導通，GPIO（DR）設定為高電平時MOSFET斷開

不同的驅動電壓，MOSFET導通時的內阻會有差異，驅動電壓較低時，內阻會增大，導致MOSFET發熱增大。如果CPU的工作電壓較低，GPIO直接驅動MOSFET的確存在一定的風險。在設計MOSFET驅動電路時，一定要充分考慮CPU的GPIO的驅動電壓

三極體是電流型的驅動元件，雖然CPU工作電壓較低，透過調整三極體的基極電阻可以使控制電流(Ib)滿足三極體驅動要求，再透過三極體集電極提供驅動電壓給MOSFET。

N溝道MOSFET:CPU的GPIO（DR）設定為低電平時導通，三極體截止，三極體的集電極為高電平，可以驅動N MOSFET導通；CPU的GPIO（DR）設定為高電平時，三極體導通，三極體的集電極為低電平，N MOSFET管就斷開了。

P溝道MOSFET:CPU的GPIO（DR）設定為高電平時導通，三極體導通，三極體的集電極為低電平，可以驅動P MOSFET導通；CPU的GPIO（DR）設定為低電平時，三極體截止，三極體的集電極為高電平，P MOSFET管就斷開了。

用CPU的GPIO口直接控制MOSFET管，MOSFET作為後端負載的開關是否存在風險需要看MOSFET的選型和電路的設計是否合理。如果設計合理，CPU的GPIO驅動MOSFET的電壓足夠是不存在風險的。在不確定是否存在風險的情況下，建議加入三極體控制MOSFET，以確保產品設計的可靠性！

MOS管是電壓驅動的元器件，通常被用作較大功率的電子開關，來控制直流負載迴路的通斷。MOS管可以分為NMOS和PMOS，具有三個電極，分別為：1)門極G；2)源極S；3)漏極D。其中門極為控制端，源極S和漏極D為輸出端。

MOS管透過GS之間的電壓VGS來控制通斷，NMOS和PMOS的控制方式不一樣，如下：

NMOS的控制方式

NMOS的VGS > Vth時，NMOS導通，用微控制器控制NMOS時，微控制器輸出高電平可以控制NMOS管的導通，微控制器輸出低電平時NMOS管關斷。控制電路如下圖所示。

PMOS的控制方式

PMOS的VGS<VTH時，PMOS管導通。用微控制器控制PMOS時，微控制器輸出低電平，PMOS導通；微控制器輸出高電平時，PMOS截止關斷。控制電路如下圖所示。

微控制器的供電為5V或者3.3V，而且以3.3V居多，MOS管的Vth一般在(2-5)V，用微控制器可以直接控制。對於過電流能力較強大功率MOS管而言，Vth的值可能更大。這時候用微控制器就不能直接控制了。

實際上，為了使MOS管更穩定的工作，我們一般會用三極體來控制MOS管，因為三極體是流控型的器件，微控制器驅動三極體更為合適。下圖是微控制器透過三極體控制NMOS的電路圖。

微控制器輸出高電平時，三極體導通，NMOS的G極為低電平，NMOS截止關斷；微控制器輸出低電平時，三極體截止，G極為高電平，NMOS導通。這樣可以有效的避免微控制器輸出的電平無法滿足VTH的情況。