熱學效能上，奈米SnO2可歸於一種ATO原料，其隔熱機理：
SnO2晶體具有正四面體的金紅石結構，陰陽離子配位數為6∶3，每個錫離子都與6個氧離子相鄰，每個氧離子都與3個錫離子相鄰。在SnO2中摻入銻離子後，佔據了晶格中Sn4+的位置，形成一個一價正電荷中心SbSn和一個多餘的價電子，使淨電子增加，形成n-type半導體，晶粒電導率增大，從而使SnO2及其摻雜得到的粉末製成膜以後在保持高可見光透過率的同時，顯示出類似於金屬的電導效能和高紅外光反射率等優e69da5e887aae79fa5e9819331333365663536良特性。且由於ATO是一種n-type半導體，根據經典Drude理論，導電性最佳的奈米ATO粒子具備最優的紅外線遮蔽效能。
何秋星等提出ATO粒子的隔熱作用是基於其對紅外光的吸收。黃寶元等透過較長時間的隔熱效果測試和光譜效能表徵，認為ATO顆粒在紅外區域是以吸收為主，反射為輔。Qu等認為奈米ATO透明隔熱塗層的隔熱機理是當太陽輻射到達塗層表面時，大部分近紅外光和極少部分可見光被吸收，因而塗層表面溫度升高；同時，絕大部分可見光和極少的近紅外光會透過塗層進入室內，如此在使得室內溫度降低的同時仍能保持在可見光區良好的透光率。此外，由於其在遠紅外區域的低發射率，在以採暖為主的節氣或冬季使用時，該塗層可以有效地阻止房間內的熱量向外散失。
化妝品方面的應用：SnO2作為摻雜材料，利用奈米SnO2粉體的紅外反射效能，結合奈米TiO2粉體吸收的紫外光的特點，摻雜有TiO2的奈米SnO2粉體，具有抗紅外和抗紫外的特點，製出的化妝品更能起到保護面板的作用。
電學效能簡述：
奈米SnO2是典型的n型半導體，其Eg=3.5eV（300K），具有比表面大、活性高、熔點低、導熱性好等特點，在氣敏材料、電學方面、催化劑、陶瓷及化妝品方面應用比較多。
SnO2是目前廣泛應用的一種半導體氣敏材料，普通SnO2粉為基體材料製成的燒結型電阻式氣敏元件，對多種還原性氣體具有很高的靈敏度，但器件的穩定性和一致性等方面還不令人滿意。SnO2奈米粉體在陶瓷工業中可用作釉料和搪瓷乳濁劑。在電學方面，抗為靜電劑顯示出比其它抗靜電材料較大的優越性，並且在光電顯示器、透明電極、太陽能電池、液晶顯示、催化等方面有很大優點。
此外，奈米二氧化錫複合材料也是目前開發的一個熱點，在製備SnO2材料的過程中，透過新增少量的摻雜劑，來改善其選擇性和降低電阻率。
熱學效能上，奈米SnO2可歸於一種ATO原料，其隔熱機理：
SnO2晶體具有正四面體的金紅石結構，陰陽離子配位數為6∶3，每個錫離子都與6個氧離子相鄰，每個氧離子都與3個錫離子相鄰。在SnO2中摻入銻離子後，佔據了晶格中Sn4+的位置，形成一個一價正電荷中心SbSn和一個多餘的價電子，使淨電子增加，形成n-type半導體，晶粒電導率增大，從而使SnO2及其摻雜得到的粉末製成膜以後在保持高可見光透過率的同時，顯示出類似於金屬的電導效能和高紅外光反射率等優e69da5e887aae79fa5e9819331333365663536良特性。且由於ATO是一種n-type半導體，根據經典Drude理論，導電性最佳的奈米ATO粒子具備最優的紅外線遮蔽效能。
何秋星等提出ATO粒子的隔熱作用是基於其對紅外光的吸收。黃寶元等透過較長時間的隔熱效果測試和光譜效能表徵，認為ATO顆粒在紅外區域是以吸收為主，反射為輔。Qu等認為奈米ATO透明隔熱塗層的隔熱機理是當太陽輻射到達塗層表面時，大部分近紅外光和極少部分可見光被吸收，因而塗層表面溫度升高；同時，絕大部分可見光和極少的近紅外光會透過塗層進入室內，如此在使得室內溫度降低的同時仍能保持在可見光區良好的透光率。此外，由於其在遠紅外區域的低發射率，在以採暖為主的節氣或冬季使用時，該塗層可以有效地阻止房間內的熱量向外散失。
化妝品方面的應用：SnO2作為摻雜材料，利用奈米SnO2粉體的紅外反射效能，結合奈米TiO2粉體吸收的紫外光的特點，摻雜有TiO2的奈米SnO2粉體，具有抗紅外和抗紫外的特點，製出的化妝品更能起到保護面板的作用。
電學效能簡述：
奈米SnO2是典型的n型半導體，其Eg=3.5eV（300K），具有比表面大、活性高、熔點低、導熱性好等特點，在氣敏材料、電學方面、催化劑、陶瓷及化妝品方面應用比較多。
SnO2是目前廣泛應用的一種半導體氣敏材料，普通SnO2粉為基體材料製成的燒結型電阻式氣敏元件，對多種還原性氣體具有很高的靈敏度，但器件的穩定性和一致性等方面還不令人滿意。SnO2奈米粉體在陶瓷工業中可用作釉料和搪瓷乳濁劑。在電學方面，抗為靜電劑顯示出比其它抗靜電材料較大的優越性，並且在光電顯示器、透明電極、太陽能電池、液晶顯示、催化等方面有很大優點。
此外，奈米二氧化錫複合材料也是目前開發的一個熱點，在製備SnO2材料的過程中，透過新增少量的摻雜劑，來改善其選擇性和降低電阻率。