真空鍍膜中常用的方法有真空蒸發和離子濺射。真空蒸發鍍膜是在真空度不低於10-2Pa的環境中，用電阻加熱或電子束和鐳射轟擊等方法把要蒸發的材料加熱到一定溫度，使材料中分子或原子的熱振動能量超過表面的束縛能，從而使大量分子或原子蒸發或昇華，並直接沉澱在基片上形成薄膜。離子濺射鍍膜是利用氣體放電產生的正離子在電場的作用下的高速運動轟擊作為陰極的靶，使靶材中的原子或分子逸出來而沉澱到被鍍工件的表面，形成所需要的薄膜。
真空蒸發鍍膜最常用的是電阻加熱法，其優點是加熱源的結構簡單，造價低廉，操作方便；缺點是不適用於難熔金屬和耐高溫的介質材料。電子束加熱和鐳射加熱則能克服電阻加熱的缺點。電子束加熱上利用聚焦電子束直接對被轟擊材料加熱，電子束的動能變成熱能，使材料蒸發。鐳射加熱是利用大功率的鐳射作為加熱源，但由於大功率鐳射器的造價很高，目前只能在少數研究性實驗室中使用。
濺射技術與真空蒸發技術有所不同。“濺射”是指荷能粒子轟擊固體表面（靶），使固體原子或分子從表面射出的現象。射出的粒子大多呈原子狀態，常稱為濺射原子。用於轟擊靶的濺射粒子可以是電子，離子或中性粒子，因為離子在電場下易於加速獲得所需要動能，因此大都採用離子作為轟擊粒子。濺射過程建立在輝光放電的基礎上，即濺射離子都來源於氣體放電。不同的濺射技術所採用的輝光放電方式有所不同。直流二極濺射利用的是直流輝光放電；三極濺射是利用熱陰極支援的輝光放電；射頻濺射是利用射頻輝光放電；磁控濺射是利用環狀磁場控制下的輝光放電。
濺射鍍膜與真空蒸發鍍膜相比，有許多優點。如任何物質均可以濺射，尤其是高熔點，低蒸氣壓的元素和化合物；濺射膜與基板之間的附著性好；薄膜密度高；膜厚可控制和重複性好等。缺點是裝置比較複雜，需要高壓裝置。
此外，將蒸發法與濺射法相結合，即為離子鍍。這種方法的優點是得到的膜與基板間有極強的附著力，有較高的沉積速率，膜的密度高。
真空鍍膜中常用的方法有真空蒸發和離子濺射。真空蒸發鍍膜是在真空度不低於10-2Pa的環境中，用電阻加熱或電子束和鐳射轟擊等方法把要蒸發的材料加熱到一定溫度，使材料中分子或原子的熱振動能量超過表面的束縛能，從而使大量分子或原子蒸發或昇華，並直接沉澱在基片上形成薄膜。離子濺射鍍膜是利用氣體放電產生的正離子在電場的作用下的高速運動轟擊作為陰極的靶，使靶材中的原子或分子逸出來而沉澱到被鍍工件的表面，形成所需要的薄膜。
真空蒸發鍍膜最常用的是電阻加熱法，其優點是加熱源的結構簡單，造價低廉，操作方便；缺點是不適用於難熔金屬和耐高溫的介質材料。電子束加熱和鐳射加熱則能克服電阻加熱的缺點。電子束加熱上利用聚焦電子束直接對被轟擊材料加熱，電子束的動能變成熱能，使材料蒸發。鐳射加熱是利用大功率的鐳射作為加熱源，但由於大功率鐳射器的造價很高，目前只能在少數研究性實驗室中使用。
濺射技術與真空蒸發技術有所不同。“濺射”是指荷能粒子轟擊固體表面（靶），使固體原子或分子從表面射出的現象。射出的粒子大多呈原子狀態，常稱為濺射原子。用於轟擊靶的濺射粒子可以是電子，離子或中性粒子，因為離子在電場下易於加速獲得所需要動能，因此大都採用離子作為轟擊粒子。濺射過程建立在輝光放電的基礎上，即濺射離子都來源於氣體放電。不同的濺射技術所採用的輝光放電方式有所不同。直流二極濺射利用的是直流輝光放電；三極濺射是利用熱陰極支援的輝光放電；射頻濺射是利用射頻輝光放電；磁控濺射是利用環狀磁場控制下的輝光放電。
濺射鍍膜與真空蒸發鍍膜相比，有許多優點。如任何物質均可以濺射，尤其是高熔點，低蒸氣壓的元素和化合物；濺射膜與基板之間的附著性好；薄膜密度高；膜厚可控制和重複性好等。缺點是裝置比較複雜，需要高壓裝置。
此外，將蒸發法與濺射法相結合，即為離子鍍。這種方法的優點是得到的膜與基板間有極強的附著力，有較高的沉積速率，膜的密度高。