可控矽觸發電路的形式很多,常用的有阻容移相橋觸發電路、單結電晶體觸發電路、晶體觸發電路、利用小可控矽觸發大可控矽的觸發電路,等等。今天大家制作的可控矽調壓器,多采用的是單結電晶體觸發電路。
應用舉例:
可控矽在實際應用中電路花樣最多的是其柵極觸發迴路,概括起來有直流觸發電路,交流觸發電路,相位觸發電路等等。
1、直流觸發電路:如圖g2是一個電視機常用的過壓保護電路,當e+電壓過高時a點電壓也變高,當它高於穩壓管dz的穩壓值時dz道通,可控矽d受觸發而道通將e+短路,使保險絲rj熔斷,從而起到過壓保護的作用。
2、相位觸發電路:相位觸發電路實際上是交流觸發電路的一種,如圖g3,這個電路的方法是利用rc迴路控制觸發訊號的相位。當r值較少時,rc時間常數較少,觸發訊號的相移a1較少,因此負載獲得較大的電功率;當r值較大時,rc時間常數較大,觸發訊號的相移a2較大,因此負載獲得較少的電功率。這個典型的電功率無級調整電路在日常生活中有很多產品中都應用它。
雙向觸發亦稱二端交流器件(diac),與雙向閘流體同時間世.由於它結構簡單、價格低廉,所以常用來觸發雙向閘流體,還可構成過壓保護等電路。雙向觸發二極體的構造。符號及等效電路如圖1所示。
它屬於三層構造、具有對稱性的二端半導體器件,可等效於基極開路、發射極與集電極對稱的npn電晶體。其正、反向伏安特性完全對稱,見圖2。當器件兩端的電壓v小於正向轉折電壓v(so)時,呈高阻態,當v>;v(bo),時進入負阻區。同樣,當v超過反向轉折電壓v(br)時,管子也能進入負阻區。
雙向觸發二極體的耐壓值(v)大致分3個等級:
20—60v,100-150v,200-250v.
可控矽觸發電路的形式很多,常用的有阻容移相橋觸發電路、單結電晶體觸發電路、晶體觸發電路、利用小可控矽觸發大可控矽的觸發電路,等等。今天大家制作的可控矽調壓器,多采用的是單結電晶體觸發電路。
應用舉例:
可控矽在實際應用中電路花樣最多的是其柵極觸發迴路,概括起來有直流觸發電路,交流觸發電路,相位觸發電路等等。
1、直流觸發電路:如圖g2是一個電視機常用的過壓保護電路,當e+電壓過高時a點電壓也變高,當它高於穩壓管dz的穩壓值時dz道通,可控矽d受觸發而道通將e+短路,使保險絲rj熔斷,從而起到過壓保護的作用。
2、相位觸發電路:相位觸發電路實際上是交流觸發電路的一種,如圖g3,這個電路的方法是利用rc迴路控制觸發訊號的相位。當r值較少時,rc時間常數較少,觸發訊號的相移a1較少,因此負載獲得較大的電功率;當r值較大時,rc時間常數較大,觸發訊號的相移a2較大,因此負載獲得較少的電功率。這個典型的電功率無級調整電路在日常生活中有很多產品中都應用它。
雙向觸發亦稱二端交流器件(diac),與雙向閘流體同時間世.由於它結構簡單、價格低廉,所以常用來觸發雙向閘流體,還可構成過壓保護等電路。雙向觸發二極體的構造。符號及等效電路如圖1所示。
它屬於三層構造、具有對稱性的二端半導體器件,可等效於基極開路、發射極與集電極對稱的npn電晶體。其正、反向伏安特性完全對稱,見圖2。當器件兩端的電壓v小於正向轉折電壓v(so)時,呈高阻態,當v>;v(bo),時進入負阻區。同樣,當v超過反向轉折電壓v(br)時,管子也能進入負阻區。
雙向觸發二極體的耐壓值(v)大致分3個等級:
20—60v,100-150v,200-250v.