光刻機的光學曝光系統是不允許裝置超過自己奈米級別的晶片的。

元器件種類很多，並不是所有的器件都需要最高精度的光刻機生產線的。一般一個大的代工廠，會佈局好幾代製程工藝生產線。

按照對光刻機制程工藝的要求可以分為：

最高製程工藝：消費級的主晶片，儲存器

中等高階製程工藝：工業類的主晶片，高精度的ADC 運放等

低等製程工藝：模擬器件

最差等製程工藝：被動器件

所以代工廠會根據使用者要代工的產品情況，來選擇用哪種產線更合適。最新的製程工藝上線以後，原來的就用於其他元器件的生產，一般不會浪費的，對於最末端的產線，要麼賣給低端代工廠或者拆掉，但是那時都是已經早就收回成本了。

28奈米的光刻機可以透過多重曝光技術製作14奈米，12奈米，10奈米，7奈米的晶片。

中國現在量產普及的光刻機是90奈米，也就是我們憑自己的光刻機可以做65奈米晶片。65奈米光刻機已經成功，還沒有量產，如果65奈米量產了，28奈米以上晶片我們都沒問題了。

28奈米光刻機我們關鍵部件都已經突破，最好的情況一兩年內會出產品，28奈米光刻機突破，我們最多可以生產7奈米的晶片。

一臺光刻機並不是只能勝任一個工藝節點，而是可以勝任多個工藝節點，決定一臺光刻機可以製造什麼工藝的晶片，關鍵是看光刻機的波長，比如193nm浸入式光刻機可以製造14nm乃至28nm工藝的晶片，而如果你想製造7nm和5nm晶片，那麼最好就要上極紫外光刻技術了，支援EUV的光刻機波長為13.5nm。

當然，一臺光刻機的壽命也不僅僅在於一兩代晶片，如果用193nm深紫外光刻機也是可以做到10nm乃至7nm晶片的生產的，只是工藝難度實現起來相對複雜，成本較高，比如採用自對準四次成型技術，就可以得到更加緻密的結構，不過因為晶片層級的工藝變得複雜，需要更多掩模版和材料，所以用193nm光刻機生產7nm晶片非常不划算，所以到了這個程度必須上EUV光刻機。

一臺先進光刻機價格不菲，上億美元非常正常，目前手機晶片都進入了7nm時代，難道過去用的非EUV光刻機就要淘汰了嗎？其實不會，因為不是所有的晶片都需要最先進的工藝製程，比如工業類的晶片，儲存類晶片就可以用相對落後一些的工藝進行生產，這時候被“淘汰”的光刻機自然還可以發揮用途，只是用來生產的晶片型別不同而已，其實目前28nm和45nm晶片仍然有不小的市場佔有率，所以即使是多年前老舊的光刻機也可以發揮很多年的作用。