光刻的工作原理，大家可以想象一下膠片照片的沖洗，掩膜版就相當於膠片，而光刻機就是沖洗臺，它把掩膜版上的晶片電路一個個的複製到光刻膠薄膜上，然後透過刻蝕技術把電路“畫”在晶圓上。

當時實際過程肯定沒這麼簡單，上圖是ASML典型的沉浸式步進掃描光刻機為例來看下光刻機是怎麼工作的——首先是鐳射器發光，經過矯正、能量控制器、光束成型裝置等之後進入光掩膜臺，上面放的就設計公司做好的光掩膜，之後經過物鏡投射到曝光臺，這裡放的就是8寸或者12英寸晶圓，上面塗抹了光刻膠，具有光敏感性，紫外光就會在晶圓上蝕刻出電路。而鐳射器負責光源產生，而光源對製程工藝是決定性影響的，隨著半導體工業節點的不斷提升，光刻機縮鐳射波長也在不斷的縮小，從436nm、365nm的近紫外(NUV)鐳射進入到246nm、193nm的深紫外(DUV)鐳射，現在DUV光刻機是目前大量應用的光刻機，波長是193nm，光源是ArF(氟化氬)準分子鐳射器，從45nm到10/7nm工藝都可以使用這種光刻機，但是到了7nm這個節點已經的DUV光刻的極限，所以Intel、三星和臺積電都會在7nm這個節點引入極紫外光(EUV)光刻技術，而GlobalFoundries當年也曾經研究過7nm EUV工藝，只不過現在已經放棄了。

而使用極紫外光(EUV)作為光源的光刻機就是EUV光刻機，當然這絕對不是單純只換個光源這麼簡單。