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    三星前不久釋出的2018年Q4季度財報指引顯示三星當季盈利會大幅下滑,同比跌減少9%,環比減少38.5%,而盈利暴跌的主要原因就是三星智慧手機業務低迷,還有最關鍵的儲存晶片降價,這個趨勢會一直持續到今年上半年。為了彌補儲存晶片降價週期帶來的影響,三星早就開始強化代工業務了,要趕超臺積電,而這就要跟後者搶先進工藝量產時間了。根據三星高管所說,他們今年下半年會量產7nm EUV工藝,2021年則會量產更先進的3nm GAA工藝。

    Tomshardware網站報道,三星晶圓代工業務市場副總Ryan Sanghyun Lee表示三星從2002年以來一直在開發GAA( Gate-All-Around)技術,透過使用奈米片裝置製造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多橋-通道場效電晶體),該技術可以顯著增強電晶體效能。

    根據他的訊息,三星將在2021年量產3nm GAA工藝。

    去年底,三星宣佈將在2020年使用4nm GAA工藝。業內觀察人士,如Garner副QuattroporteSamuel Wang對2022年之前量產GAA技術表示懷疑,不過他現在也說三星看起來可能比預期更早地將GAA晶片投入生產。

    只不過三星關於3nm GAA工藝何時量產的說法似乎並沒有一個統一的表態,三星晶圓代工業務負責人Eun Seung Jung去年12月在IEDM會議上表示三星已經完成了3nm工藝技術的效能驗證,並且在進一步完善該工藝,目標是在2020年大規模量產。

    3nm GAA工藝不論是在2020年還是2021年量產,現在都還有點遠,三星今年主推的是7nm EUV工藝,預計今年下半年量產——儘管三星去年就宣佈7nm EUV工藝能夠量產了,實際上之前所說的量產只是風險試產,遠沒有達到 規模量產的底部,今年底量產才是有可能的。

    在7nm EUV工藝上,臺積電之前也宣佈今年量產,看起來三星的進度優勢也沒有了,不過三星在7nm EUV工藝上有自己開發的光罩檢查工具,而其他家還沒有類似的商業工具。

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