場效電晶體分結型、絕緣柵型兩大類。結型場效電晶體（JFET）因有兩個PN接面而得名，絕緣柵型場效電晶體（JGFET）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場效電晶體中，應用最為廣泛的是MOS場效電晶體，簡稱MOS管（即金屬-氧化物-半導體場效電晶體MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效電晶體，以及最近剛問世的πMOS場效電晶體、VMOS功率模組等。

　　按溝道半導體材料的不同，結型和絕緣柵型又分n溝道和P溝道兩種。若按導電方式來劃分，場效電晶體又可分成耗盡型與增強型。結型場效電晶體均為耗盡型，絕緣柵型場效電晶體既有耗盡型的，也有增強型的。

　　場效電晶體的型號命名方法

　　現行有兩種命名方法。第一種命名方法與雙極型三極體相同，第三位字母J代表結型場效電晶體，O代表絕緣柵場效電晶體。第二位字母代表 材料，D是P型矽，反型層是N溝道；C是N型矽P溝道。例如,3DJ6D是結型N溝道場效應三極體，3DO6C 是絕緣柵型N溝道場效應三極體。

　　第二種命名方法是CS××#，CS代表場效電晶體，××以數字代表型號的序號，#用字母代表同一型號中的不同規格。例如CS14A、CS45G等。