作為現在最廣泛應用的半導體材料,它的優點是多方面的.
1）矽的地球儲量很大,所以原料成本低廉.
2）矽的提純工藝歷經60年的發展,已經達到目前人類的最高水平.
3）Si/SiO2 的介面可以透過氧化獲得,非常完美.通過後退火工藝可以獲得極其完美的介面.
4）關於矽的摻雜和擴散工藝,研究得十分廣泛,前期經驗很多.
不足：矽本身的電子和空穴遷移速度在未來很難滿足更高效能半導體器件的需求.氧化矽由於介電常數較低,當器件微小化以後,將面臨介電材料擊穿的困境,尋找替代介電材料是當務之急.矽屬於間接帶隙半導體,光發射效率不高.
鍺：作為最早被研究的半導體材料,帶給我們兩個諾貝爾獎,第一個transistor和第一個IC.鍺的優點是：
1）空穴遷移率最大,是矽的四倍；電子遷移率是矽的兩倍.
2）禁頻寬度比較小,有利於發展低電壓器件.
3）施主/受主的啟用溫度遠低於矽,有利於節省熱預算.
4）小的波爾激子半徑,有助於提高它的場發射特性.
5）小的禁頻寬度,有助於組合介電材料,降低漏電流.
缺點也比較明顯：鍺屬於較為活潑的材料,它和介電材料的介面容易發生氧化還原反應,生成GeO,產生較多缺陷,進而影響材料的效能；鍺由於儲量較少,所以直接使用鍺作襯底是不合適的,因此必須透過GeOI（絕緣體上鍺）技術,來發展未來器件.該技術存在一定難度,但是透過借鑑研究矽材料獲得的經驗,相信會在不久的將來克服.
作為現在最廣泛應用的半導體材料,它的優點是多方面的.
1）矽的地球儲量很大,所以原料成本低廉.
2）矽的提純工藝歷經60年的發展,已經達到目前人類的最高水平.
3）Si/SiO2 的介面可以透過氧化獲得,非常完美.通過後退火工藝可以獲得極其完美的介面.
4）關於矽的摻雜和擴散工藝,研究得十分廣泛,前期經驗很多.
不足：矽本身的電子和空穴遷移速度在未來很難滿足更高效能半導體器件的需求.氧化矽由於介電常數較低,當器件微小化以後,將面臨介電材料擊穿的困境,尋找替代介電材料是當務之急.矽屬於間接帶隙半導體,光發射效率不高.
鍺：作為最早被研究的半導體材料,帶給我們兩個諾貝爾獎,第一個transistor和第一個IC.鍺的優點是：
1）空穴遷移率最大,是矽的四倍；電子遷移率是矽的兩倍.
2）禁頻寬度比較小,有利於發展低電壓器件.
3）施主/受主的啟用溫度遠低於矽,有利於節省熱預算.
4）小的波爾激子半徑,有助於提高它的場發射特性.
5）小的禁頻寬度,有助於組合介電材料,降低漏電流.
缺點也比較明顯：鍺屬於較為活潑的材料,它和介電材料的介面容易發生氧化還原反應,生成GeO,產生較多缺陷,進而影響材料的效能；鍺由於儲量較少,所以直接使用鍺作襯底是不合適的,因此必須透過GeOI（絕緣體上鍺）技術,來發展未來器件.該技術存在一定難度,但是透過借鑑研究矽材料獲得的經驗,相信會在不久的將來克服.