積體電路的發展經歷了一個漫長的過程，以下以時間順序，簡述它的發展過程：
1906年，第一個電子管誕生；
1912年前後，電子管的製作日趨成熟引發了無線電技術的發展；
1918年前後，逐步發現了半導體材料；
1920年，發現半導體材料所具有的光敏特性；
1932年前後，運用量子學說建立了能帶理論研究半導體現象(這也為經典工藝所能達到的整合尺寸極限下了定論——7NM)；
1946年，威廉.肖克利(矽谷創始人，傑出的電子工藝學家，物理學家)的研發小組成功研發半導體電晶體，使得IC大規模地發揮熱力奠定了基礎；
1956年，矽檯面電晶體問世；
1960年12月，世界上第一塊矽積體電路製造成功；
1966年，美國貝爾實驗室使用比較完善的矽外延平面工藝製造成第一塊公認的大規模積體電路；
1988年，16M DRAM問世，1平方釐米大小的矽片上整合有3500萬個電晶體，標誌著進入超大規模積體電路階段的更高階段；
1997年，300MHz奔騰Ⅱ問世,採用0.25μｍ工藝，奔騰系列晶片的推出讓計算機的發展如虎添翼，發展速度讓人驚歎；
2009年，intel酷睿i系列全新推出，創紀錄採用了領先的32奈米工藝，並且下一代22奈米工藝正在研發。積體電路製作工藝的日益成熟和各積體電路廠商的不斷競爭，使積體電路發揮了它更大的功能，更好的服務於社會。由此積體電路從產生到成熟大致經歷瞭如下過程：電子管——電晶體——積體電路——超大規模積體電路。
積體電路的發展經歷了一個漫長的過程，以下以時間順序，簡述它的發展過程：
1906年，第一個電子管誕生；
1912年前後，電子管的製作日趨成熟引發了無線電技術的發展；
1918年前後，逐步發現了半導體材料；
1920年，發現半導體材料所具有的光敏特性；
1932年前後，運用量子學說建立了能帶理論研究半導體現象(這也為經典工藝所能達到的整合尺寸極限下了定論——7NM)；
1946年，威廉.肖克利(矽谷創始人，傑出的電子工藝學家，物理學家)的研發小組成功研發半導體電晶體，使得IC大規模地發揮熱力奠定了基礎；
1956年，矽檯面電晶體問世；
1960年12月，世界上第一塊矽積體電路製造成功；
1966年，美國貝爾實驗室使用比較完善的矽外延平面工藝製造成第一塊公認的大規模積體電路；
1988年，16M DRAM問世，1平方釐米大小的矽片上整合有3500萬個電晶體，標誌著進入超大規模積體電路階段的更高階段；
1997年，300MHz奔騰Ⅱ問世,採用0.25μｍ工藝，奔騰系列晶片的推出讓計算機的發展如虎添翼，發展速度讓人驚歎；
2009年，intel酷睿i系列全新推出，創紀錄採用了領先的32奈米工藝，並且下一代22奈米工藝正在研發。積體電路製作工藝的日益成熟和各積體電路廠商的不斷競爭，使積體電路發揮了它更大的功能，更好的服務於社會。由此積體電路從產生到成熟大致經歷瞭如下過程：電子管——電晶體——積體電路——超大規模積體電路。