光刻(photoetching)是透過一系列生產步驟，將晶圓表面薄膜的特定部分除去的工藝。在此之後，晶圓表面會留下帶有微圖形結構的薄膜。透過光刻工藝過程，最終在晶圓上保留的是特徵圖形部分。

光刻工藝也被稱為大家熟知的Photomasking, masking, photolithography, 或microlithography。在晶圓的製造過程中，晶體三極體、二極體、電容、電阻和金屬層的各種物理部件在晶圓表面或表層內構成。這些部件是每次在一個掩膜層上生成的，並且結合生成薄膜及去除特定部分，透過光刻工藝過程，最終在晶圓上保留特徵圖形的部分。光刻生產的目標是根據電路設計的要求，生成尺寸精確的特徵圖形，並且在晶圓表面的位置正確且與其它部件（parts）的關聯正確。

光刻是所有四個基本工藝中最關鍵的。光刻確定了器件的關鍵尺寸。光刻過程中的錯誤可造成圖形歪曲或套準不好，最終可轉化為對器件的電特性產生影響。圖形的錯位也會導致類似的不良結果。光刻工藝中的另一個問題是缺陷。光刻是高科技版本的照相術，只不過是在難以置信的微小尺寸下完成。在製程中的汙染物會造成缺陷。事實上由於光刻在晶圓生產過程中要完成5層至20層或更多，所以汙染問題將會放大。

工序　　

一般的光刻工藝要經歷矽片表面清洗烘乾、塗底、旋塗光刻膠、軟烘、對準曝光、後烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測等工序。