201 8年1月30日，微電子行業標準發展的全球領導者--固態技術協會JEDEC釋出了Universal FlashStorage(UFS，即通用快閃記憶體儲存)v3.0標準(JESD220D、JESD223D)。
UFS 3.0擁有以下新特性
●第一個引入MIPI (移動行業處理器介面) M-PHY
HS-G4標準，資料速率高達每通道11.6 Gbps,是HS-G3(UFS 2.1)(5.8Gbps)的2倍。
●支援雙通道雙向讀寫，最高資料速率為23.2
Gbps (實際讀寫效能可能會超越iPhone目前所使用的NVMe協議快閃記憶體)
●2.5V VCC電源，可降低功耗。
●支援最新的NAND Flash快閃記憶體技術。
●溫度事件通知，包括基於預定溫度範圍的裝置警報。
●RPMB區域:支援具有多個關聯的RPMB區域的多
個RPMB金鑰。以往RPMB區 域在製造時是固定的，現在則可以在製造時配置。
●裝置錯誤記錄:為裝置啟用系統內除錯定義的記
錄模式。
●使用MIPI M-PHY v4.1物理層規範和最近釋出的
MIPI UniProSM v1.8傳輸層規範來形成互連層，透過監視和訓練通訊通道來支援更可靠的鏈路通訊。
●透過定義標準主機控制器介面來簡化設計過程，
系統設計人員可以使用該介面建立一-個通用主機控制器軟體驅動程式，以便與來自不同製造商的UFS主機控制器硬體-起工作。 HCI功能透過最小化主處理器在快閃記憶體子系統的操作中的參與來實現更高的效能和功率效率。
●UFS儲存卡v1.1全面支援HS-G1 / G2 / G3。
●包含兩個專門門針對汽車市場推出的功能:擴充套件了執行的溫度範圍(-40°C， 105°C) 和重新整理操作的能力，增加主機控制機制，可提高裝置資料的可靠性，將用於下一代車載儲存產品。
驍龍845、Exynos 9810等今年上半年的旗艦SOC應該並不支援UFS 3.0介面，所以UFS 3.0實際大規模在智慧手機上應用最快也要再等半年以上(UFS 2.0釋出於2013年9月，而首發的SAMSUNG Galaxy S6到2015年3月才釋出; 2016年3月，改進版UFS 2.1釋出，華為Mate9在11月首發)。
201 8年1月30日，微電子行業標準發展的全球領導者--固態技術協會JEDEC釋出了Universal FlashStorage(UFS，即通用快閃記憶體儲存)v3.0標準(JESD220D、JESD223D)。
UFS 3.0擁有以下新特性
●第一個引入MIPI (移動行業處理器介面) M-PHY
HS-G4標準，資料速率高達每通道11.6 Gbps,是HS-G3(UFS 2.1)(5.8Gbps)的2倍。
●支援雙通道雙向讀寫，最高資料速率為23.2
Gbps (實際讀寫效能可能會超越iPhone目前所使用的NVMe協議快閃記憶體)
●2.5V VCC電源，可降低功耗。
●支援最新的NAND Flash快閃記憶體技術。
●溫度事件通知，包括基於預定溫度範圍的裝置警報。
●RPMB區域:支援具有多個關聯的RPMB區域的多
個RPMB金鑰。以往RPMB區 域在製造時是固定的，現在則可以在製造時配置。
●裝置錯誤記錄:為裝置啟用系統內除錯定義的記
錄模式。
●使用MIPI M-PHY v4.1物理層規範和最近釋出的
MIPI UniProSM v1.8傳輸層規範來形成互連層，透過監視和訓練通訊通道來支援更可靠的鏈路通訊。
●透過定義標準主機控制器介面來簡化設計過程，
系統設計人員可以使用該介面建立一-個通用主機控制器軟體驅動程式，以便與來自不同製造商的UFS主機控制器硬體-起工作。 HCI功能透過最小化主處理器在快閃記憶體子系統的操作中的參與來實現更高的效能和功率效率。
●UFS儲存卡v1.1全面支援HS-G1 / G2 / G3。
●包含兩個專門門針對汽車市場推出的功能:擴充套件了執行的溫度範圍(-40°C， 105°C) 和重新整理操作的能力，增加主機控制機制，可提高裝置資料的可靠性，將用於下一代車載儲存產品。
驍龍845、Exynos 9810等今年上半年的旗艦SOC應該並不支援UFS 3.0介面，所以UFS 3.0實際大規模在智慧手機上應用最快也要再等半年以上(UFS 2.0釋出於2013年9月，而首發的SAMSUNG Galaxy S6到2015年3月才釋出; 2016年3月，改進版UFS 2.1釋出，華為Mate9在11月首發)。