在14nm之前，三星和臺積電都是要落後英特爾兩年的，比如說2012年英特爾的22nm可以大規模量產，但臺積電這邊直到2014年才能量產20nm工藝。為什麼這兩年臺積電和三星突飛猛進呢？我想原因有兩個，一個是因為英特爾的確遇到了困難，另一個則是因為三星和臺積電說謊了。

英特爾的確遇到了困難，他們本來應該在2014年上半年首發14nm工藝的，但是由於出現了製造問題，14nm的大規模應用拖到了2015年。而10nm本應該在2016年完成，但現在已經2018年了還沒有產品上市。英特爾的困難給了三星和臺積電機會。

為什麼說臺積電和三星說謊呢？我們先看一下這張圖。

這是去年英特爾在精尖製造日活動上釋出的資料。英特爾主動公佈出三家10nm工藝相關技術引數指標，我們看到Intel在這些關鍵性技術指標上都是吊打其餘兩家，例如由於intel 10nm光刻技術製造出來的鰭片、柵極間隔更小，因此在電晶體密度上幾乎是臺積電、三星的兩倍，達到了每平方毫米1億個電晶體，同時保持了邏輯單元高度低的優良傳統，在3D堆疊上更有優勢。

說白了，臺積電和三星玩起了數字遊戲，他們的10nm實際上和英特爾的14nm+差不多。

三星透過挖角的形式拿走臺積電16nm 技術之後，臺積電一直沒緩過氣來，目前宣稱的10nm技術基本就是12nm 製程，Intel的10nm確實是10nm製程，三星介於之間，從真正的技術角度來講，所有的10nm技術都是偽概念

在製程工藝上面，我們可以看到臺積電和三星在去年都推出了10nm工藝的晶片，三星的10nm產品是Exynos8895，臺積電的則是搭載在iPhone上的A11 Bionic。而Intel則一直停留在14nm製程工藝上，並且還是在更新換代了3代的情況處於這種狀況的，這也難怪有人會說臺積電和三星的製程工藝是比起Intel的更先進。

10nm、14nm，從數值上看我們就知道前者肯定是比後者更好的。不過，Intel說了，製程工藝的好壞不能單單看這個表面的數字，還要了解晶片柵極間距、鰭片間距、最小金屬間距等等引數，然後透過對比計算才能得出不同晶片之間的製程工藝好壞。

當然，既然是Intel指出來的，肯定也是因為這對自己有利啦，也確實透過對比三家公司的10nm晶片後發現，Intel的10nm晶片在各引數上都低於另外兩家，從這個對比上來看，就算Intel的晶片才僅為10nm認為目前最先進的製程工藝。

從這個角度來看，Intel推出的晶片一直保持在領先位置，但是其10nm製程工藝一直維持很久了，如果現在還不有所突破，未來就算不能被超越也會被趕上。據報道，臺積電和三星將推出7nm晶片，報道談到三星的7nm工藝在電晶體密度上將趕上Intel目前的10nm工藝。