不同種類的晶振對啟動時間影響很大，如頻率為mHz級的晶振啟動時間是毫秒級，32KHz的晶振啟動時間為1一5秒，晶振的牽引度（也叫可排程Pullability）是指工作在正常並聯諧振區的晶振頻率的變化率，這也用於衡量隨負載電容變化而導致頻率的變化，負載電容的減少會導致頻率的增加，反之負載電容的增加會導致頻率的減少。

大多數電子工程師都見過微控制器中如下圖所示的形式，一般微控制器都會有這樣的電路。晶振的兩個引腳與晶片（如微控制器）內部的反相器相連線，再結合外部的匹配電容CL1、CL2、R1、R2，組成一個皮爾斯振盪器（Pierce oscillator）

上圖中，U1為增益很大的反相放大器，CL1、CL2為匹配電容，是電容三點式電路的分壓電容，接地點就是分壓點。以接地點即分壓點為參考點，輸入和輸出是反相的，但從並聯諧振迴路即石英晶體兩端來看，形成一個正反饋以保證電路持續振盪，它們會稍微影響振盪頻率，主要用與微調頻率和波形，並影響幅度。 X1是晶體，相當於三點式裡面的電感

R1是反饋電阻（一般≥1MΩ），它使反相器在振盪初始時處於線性工作區，R2與匹配電容組成網路，提供180度相移，同時起到限制振盪幅度，防止反向器輸出對晶振過驅動將其損壞。

這裡涉及到晶振的一個非常重要的引數，即負載電容CL（Load capacitance），它是電路中跨接晶體兩端的總的有效電容（不是晶振外接的匹配電容），主要影響負載諧振頻率和等效負載諧振電阻，與晶體一起決定振盪器電路的工作頻率，透過調整負載電容，就可以將振盪器的工作頻率微調到標稱值。

負載電容的公式如下所示：

其中，CS為晶體兩個管腳間的寄生電容（Shunt Capacitance）

CD表示晶體振盪電路輸出管腳到地的總電容，包括PCB走線電容CPCB、晶片管腳寄生電容CO、外加匹配電容CL2，即CD=CPCB+CO+CL2

CG表示晶體振盪電路輸入管腳到地的總電容，包括PCB走線電容CPCB、晶片管腳寄生電容CI、外加匹配電容CL1，即CG=CPCB+CI+CL1

一般CS為1pF左右，CI與CO一般為幾個皮法，具體可參考晶片或晶振的資料手冊

（這裡假設CS=0.8pF，CI=CO=5pF，CPCB=4pF）。

比如規格書上的負載電容值為18pF，則有

則CD=CG=34.4pF，計算出來的匹配電容值CL1=CL2=25pF

晶振電路中需要接入反饋電阻和負載電容

反饋電阻需要和晶振並聯，兩個負載電容需要和晶振串聯

負載電阻一般是1M~10M，需要根據MCU和振盪頻率的要求去確定，可以參考MCU規格書

有些MCU還要求接上拉電阻Ru