我從事變頻器研究的，變頻器功率部分最核心的器件就是IGBT，他不是場效電晶體，因為場效電晶體電流做不大，而IGBT電流隨便都在幾十安培，變頻器行業我見過最大的有600A，我們知道三極體電流可以做的大，那麼重點來了，IGBT就是採用了場效電晶體和三極體的優點，研發出來的新產品（當年），場效電晶體比較容易控制，他屬於電壓控制器件，不需要像三極體那樣需要很大的電流。所以IGBT是一個很典型的小電壓控制大電流的器件，現在在變頻器，風電，光伏，大功率電源，電動汽車驅動器（特斯拉）等上廣泛採用，如果還有疑問，關注我，隨時可以提問。

有朋友提出加個圖，那我就加一送二，喜歡那個看那個吧，圖一，圖二左邊都是實物剖面等效圖，其他都是我文字描述的示意圖，驅動管子的極用的場效電晶體的柵極G，另外兩個用的是三極體常用的集電極C和發射極E，而不是場效電晶體的漏極D個和源極。

不是場效電晶體，IBGT是絕緣柵雙極型電晶體，是有MOS（絕緣柵型場效電晶體）和BIT（雙極型三極體)組成的複合全控型電壓驅動型電力電子器件。

IGBT屬於場效電晶體的一種，因為首先場效電晶體的定義就是透過輸入門極的電場效應來控制輸出電流的器件，簡稱壓控器件。IGBT和MOS管一樣，都是透過門極電壓來控制開啟和關斷的，它的門極也是一個柵氧化層，所以IGBT也是場效電晶體的一種，不同的是它又集成了三極體的特性，透過電導調製效應可以把導通壓降降下來。