CMP
現在縮寫詞彙急劇增多,很多縮寫都有很多完全不同的意思,CMP也不例外.
計算機:Chip multiprocessors,單晶片多處理器,也指多核心
電子:Chemical Mechanical Planarization,化學機械平坦化
綜合佈線：Plenum Cable，天花板隔層電纜
計算機:
CMP是由美國斯坦福大學提出的，其思想是將大規模並行處理器中的SMP（對稱多處理器）整合到同一晶片內，各個處理器並行執行不同的程序。與CMP比較， SMT處理器結構的靈活性比較突出。但是，當半導體工藝進入0.18微米以後，線延時已經超過了門延遲，要求微處理器的設計透過劃分許多規模更小、區域性性更好的基本單元結構來進行。相比之下，由於CMP結構已經被劃分成多個處理器核來設計，每個核都比較簡單，有利於最佳化設計，因此更有發展前途。目前，IBM 的Power 4晶片和Sun的 MAJC5200晶片都採用了CMP結構。多核處理器可以在處理器內部共享快取，提高快取利用率，同時簡化多處理器系統設計的複雜度。
發展史片斷:
2000年IBM、HP、Sun 推出了用於RISC的多核概念，並且成功推出了擁有雙核心的HP PA8800和IBM Power4處理器。此類處理器已經成功應用不同領域的伺服器產品中，像IBM eServer pSeries 690或HP 9000此類伺服器上仍可以看到它們的身影。由於它們相當昂貴的，因此從來沒得到廣泛應用
05年四月，INTEL推出了第一款供個人使用的雙核處理器，打開了處理器歷史新的一頁
06年底:第一款四核極致版CPU:QX6700(Quad eXtreme 6700)
06年底:第一款四核非極致版CPU:Q6600(Intel Core 2 Quad 6600)
07年五月:第二款四核極致版CPU:QX6800(Quad eXtreme 6800)
電子:
化學機械平坦化是半導體工藝的一個步驟，該技術於90年代前期開始被引入半導體矽晶片工序，從氧化膜等層間絕緣膜開始，推廣到聚合矽電極、導通用的鎢插塞（W-Plug）、STI（元件分離），而在與器件的高效能畫同時引進的銅佈線工藝技術方面，現在已經成為關鍵技術之一。雖然目前有多種平坦化技術，同時很多更為先進的平坦化技術也在研究當中嶄露頭角，但是化學機械拋光已經被證明是目前最佳也是唯一能夠實現全域性平坦化的技術。進入深亞微米以後，擺在CMP面前的代表性課題之一就是對於低介電常數材料的全域性平坦化。
綜合佈線：
根據全美防火協會（ NFPA）的規定，進入大樓的資料通訊電纜必須滿足安全要求，其中CMP為最高等級，即Plenum Cable（天花板隔層電纜），應滿足UL―910試驗規定的阻燃、低發煙等特殊要求，這種電纜必須採用FEP介質絕緣以及Flamarrest之類的高阻燃PVC護套，對於防止大樓火焰的傷害十分有利。
CMP
現在縮寫詞彙急劇增多,很多縮寫都有很多完全不同的意思,CMP也不例外.
計算機:Chip multiprocessors,單晶片多處理器,也指多核心
電子:Chemical Mechanical Planarization,化學機械平坦化
綜合佈線：Plenum Cable，天花板隔層電纜
計算機:
CMP是由美國斯坦福大學提出的，其思想是將大規模並行處理器中的SMP（對稱多處理器）整合到同一晶片內，各個處理器並行執行不同的程序。與CMP比較， SMT處理器結構的靈活性比較突出。但是，當半導體工藝進入0.18微米以後，線延時已經超過了門延遲，要求微處理器的設計透過劃分許多規模更小、區域性性更好的基本單元結構來進行。相比之下，由於CMP結構已經被劃分成多個處理器核來設計，每個核都比較簡單，有利於最佳化設計，因此更有發展前途。目前，IBM 的Power 4晶片和Sun的 MAJC5200晶片都採用了CMP結構。多核處理器可以在處理器內部共享快取，提高快取利用率，同時簡化多處理器系統設計的複雜度。
發展史片斷:
2000年IBM、HP、Sun 推出了用於RISC的多核概念，並且成功推出了擁有雙核心的HP PA8800和IBM Power4處理器。此類處理器已經成功應用不同領域的伺服器產品中，像IBM eServer pSeries 690或HP 9000此類伺服器上仍可以看到它們的身影。由於它們相當昂貴的，因此從來沒得到廣泛應用
05年四月，INTEL推出了第一款供個人使用的雙核處理器，打開了處理器歷史新的一頁
06年底:第一款四核極致版CPU:QX6700(Quad eXtreme 6700)
06年底:第一款四核非極致版CPU:Q6600(Intel Core 2 Quad 6600)
07年五月:第二款四核極致版CPU:QX6800(Quad eXtreme 6800)
電子:
化學機械平坦化是半導體工藝的一個步驟，該技術於90年代前期開始被引入半導體矽晶片工序，從氧化膜等層間絕緣膜開始，推廣到聚合矽電極、導通用的鎢插塞（W-Plug）、STI（元件分離），而在與器件的高效能畫同時引進的銅佈線工藝技術方面，現在已經成為關鍵技術之一。雖然目前有多種平坦化技術，同時很多更為先進的平坦化技術也在研究當中嶄露頭角，但是化學機械拋光已經被證明是目前最佳也是唯一能夠實現全域性平坦化的技術。進入深亞微米以後，擺在CMP面前的代表性課題之一就是對於低介電常數材料的全域性平坦化。
綜合佈線：
根據全美防火協會（ NFPA）的規定，進入大樓的資料通訊電纜必須滿足安全要求，其中CMP為最高等級，即Plenum Cable（天花板隔層電纜），應滿足UL―910試驗規定的阻燃、低發煙等特殊要求，這種電纜必須採用FEP介質絕緣以及Flamarrest之類的高阻燃PVC護套，對於防止大樓火焰的傷害十分有利。