按記憶體條的介面形式，常見記憶體條有兩種：單列直插記憶體條（SIMM），和雙列直插記憶體條（DIMM）。SIMM記憶體條分為30線，72線兩種。DIMM記憶體條與SIMM記憶體條相比引腳增加到168線。DIMM可單條使用，不同容量可混合使用，SIMM必須成對使用。 按記憶體的工作方式，記憶體又有FPAEDODRAM和SDRAM（同步動態RAM）等形式。 FPA（FASTPAGEMODE）RAM快速頁面模式隨機存取儲存器：這是較早的電腦系統普通使用的記憶體，它每個三個時鐘脈衝週期傳送一次資料。 EDO（EXTENDEDDATAOUT）RAM 擴充套件資料輸出隨機存取儲存器：EDO記憶體取消了主機板與記憶體兩個儲存週期之間的時間間隔，他每個兩個時鐘脈衝週期輸出一次資料，大大地縮短了存取時間，是儲存速度提高30。EDO一般是72腳，EDO記憶體已經被SDRAM所取代。 S（SYSNECRONOUS）DRAM同步動態隨機存取儲存器：SDRAM為168腳，這是目前PENTIUM及以上機型使用的記憶體。SDRAM將CPU與RAM透過一個相同的時鐘鎖在一起，使CPU和RAM能夠共享一個時鐘週期，以相同的速度同步工作，每一個時鐘脈衝的上升沿便開始傳遞資料，速度比EDO記憶體提高50。 DDR（DOUBLEDATARAGE）RAM：SDRAM的更新換代產品，他允許在時鐘脈衝的上升沿和下降沿傳輸資料，這樣不需要提高時鐘的頻率就能加倍提高SDRAM的速度。 RDRAM（RAMBUSDRAM）儲存器匯流排式動態隨機存取儲存器；RDRAM是RAMBUS公司開發的具有系統頻寬，晶片到晶片介面設計的新型DRAM，他能在很高的頻率範圍內透過一個簡單的匯流排傳輸資料。他同時使用低電壓訊號，在高速同步時鐘脈衝的兩邊沿傳輸資料。INTEL將在其820晶片組產品中加入對RDRAM的支援。由於這種記憶體的價格太過昂貴，在pc機上已經見不到他的蹤影。 DDR2（DoubleDataRate2）SDRAM是由JEDEC（電子裝置工程聯合委員會）進行開發的新生代記憶體技術標準，它與上一代DDR記憶體技術標準最大的不同就是，雖然同是採用了在時鐘的上升/下降延同時進行資料傳輸的基本方式，但DDR2記憶體卻擁有兩倍於上一代DDR記憶體預讀取能力（即：4bit資料讀預取）。換句話說，DDR2記憶體每個時鐘能夠以4倍外部匯流排的速度讀/ 寫資料，並且能夠以內部控制匯流排4倍的速度執行。此外，由於DDR2標準規定所有DDR2記憶體均採用FBGA封裝形式，而不同於目前廣泛應用的 TSOP/TSOP-II封裝形式，FBGA封裝可以提供了更為良好的電氣效能與散熱性，為DDR2記憶體的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎。回想起DDR的發展歷程，從第一代應用到個人電腦的DDR200經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術，第一代DDR的發展也走到了技術的極限，已經很難透過常規辦法提高記憶體的工作速度；隨著Intel最新處理器技術的發展，前端匯流排對記憶體頻寬的要求是越來越高，擁有更高更穩定執行頻率的DDR2記憶體將是大勢所趨
按記憶體條的介面形式，常見記憶體條有兩種：單列直插記憶體條（SIMM），和雙列直插記憶體條（DIMM）。SIMM記憶體條分為30線，72線兩種。DIMM記憶體條與SIMM記憶體條相比引腳增加到168線。DIMM可單條使用，不同容量可混合使用，SIMM必須成對使用。 按記憶體的工作方式，記憶體又有FPAEDODRAM和SDRAM（同步動態RAM）等形式。 FPA（FASTPAGEMODE）RAM快速頁面模式隨機存取儲存器：這是較早的電腦系統普通使用的記憶體，它每個三個時鐘脈衝週期傳送一次資料。 EDO（EXTENDEDDATAOUT）RAM 擴充套件資料輸出隨機存取儲存器：EDO記憶體取消了主機板與記憶體兩個儲存週期之間的時間間隔，他每個兩個時鐘脈衝週期輸出一次資料，大大地縮短了存取時間，是儲存速度提高30。EDO一般是72腳，EDO記憶體已經被SDRAM所取代。 S（SYSNECRONOUS）DRAM同步動態隨機存取儲存器：SDRAM為168腳，這是目前PENTIUM及以上機型使用的記憶體。SDRAM將CPU與RAM透過一個相同的時鐘鎖在一起，使CPU和RAM能夠共享一個時鐘週期，以相同的速度同步工作，每一個時鐘脈衝的上升沿便開始傳遞資料，速度比EDO記憶體提高50。 DDR（DOUBLEDATARAGE）RAM：SDRAM的更新換代產品，他允許在時鐘脈衝的上升沿和下降沿傳輸資料，這樣不需要提高時鐘的頻率就能加倍提高SDRAM的速度。 RDRAM（RAMBUSDRAM）儲存器匯流排式動態隨機存取儲存器；RDRAM是RAMBUS公司開發的具有系統頻寬，晶片到晶片介面設計的新型DRAM，他能在很高的頻率範圍內透過一個簡單的匯流排傳輸資料。他同時使用低電壓訊號，在高速同步時鐘脈衝的兩邊沿傳輸資料。INTEL將在其820晶片組產品中加入對RDRAM的支援。由於這種記憶體的價格太過昂貴，在pc機上已經見不到他的蹤影。 DDR2（DoubleDataRate2）SDRAM是由JEDEC（電子裝置工程聯合委員會）進行開發的新生代記憶體技術標準，它與上一代DDR記憶體技術標準最大的不同就是，雖然同是採用了在時鐘的上升/下降延同時進行資料傳輸的基本方式，但DDR2記憶體卻擁有兩倍於上一代DDR記憶體預讀取能力（即：4bit資料讀預取）。換句話說，DDR2記憶體每個時鐘能夠以4倍外部匯流排的速度讀/ 寫資料，並且能夠以內部控制匯流排4倍的速度執行。此外，由於DDR2標準規定所有DDR2記憶體均採用FBGA封裝形式，而不同於目前廣泛應用的 TSOP/TSOP-II封裝形式，FBGA封裝可以提供了更為良好的電氣效能與散熱性，為DDR2記憶體的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎。回想起DDR的發展歷程，從第一代應用到個人電腦的DDR200經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術，第一代DDR的發展也走到了技術的極限，已經很難透過常規辦法提高記憶體的工作速度；隨著Intel最新處理器技術的發展，前端匯流排對記憶體頻寬的要求是越來越高，擁有更高更穩定執行頻率的DDR2記憶體將是大勢所趨